- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- ElecSuper(静芯)
- DIODES(美台)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- NCE(无锡新洁能)
- Slkor(萨科微)
- VBsemi(微碧半导体)
- TECH PUBLIC(台舟)
- TWGMC(迪嘉)
- FUXINSEMI(富芯森美)
- MSKSEMI(美森科)
- Huixin(慧芯)
- PAKER(派克微)
- Siliup(矽普)
- MCC(美微科)
- onsemi(安森美)
多选 - 封装
- SOT-23(TO-236)
- SOT-363
- SOT-323(SC-70)
- SOT-523(SC-75)
多选 - 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 220mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.5Ω@1.8V
描述N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管 50V，0.22A，1.6Ω
- 收藏
- 对比
- ￥0.5231
- ￥0.4223
- ￥0.3719
- ￥0.3341
- ￥0.263
- ￥0.2478
- 现货
- 23K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 400mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.5Ω@10V
描述带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.0723
- ￥0.0593
- ￥0.0521
- ￥0.0474
- ￥0.0437
- ￥0.0416
- 现货
- 226K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交51单
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 导通电阻(RDS(on))
- 2Ω@10V
- 耗散功率(Pd)
- 150mW
- 阈值电压(Vgs(th))
- 1V
描述小电流MOSFET产品，N沟道，ESD防护，耐压：60V，电流：0.22A, Rdson：2000mR
- 收藏
- 对比
- ￥0.1626
- ￥0.1259
- ￥0.1055
- ￥0.0959
- ￥0.0853
- ￥0.0796
- 现货
- 29K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交9单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 55V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.2Ω@10V
描述MOS管 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：0.3A 功率(Pd)：0.35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.2mΩ@10V,0.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.8V-1.6V@250uA
- 收藏
- 对比
- ￥0.1466
- ￥0.1142
- ￥0.0962
- ￥0.0854
- ￥0.0761
- ￥0.071
- 现货
- 2980
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交12单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 360mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 4.5Ω@2.5V
描述场效应管(MOSFET)
- 收藏
- 对比
- ￥0.1296
- ￥0.1026
- ￥0.0876
- ￥0.0786
- ￥0.0708
- ￥0.0665
- 现货
- 1550
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交7单
- 数量
- 2个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 200mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 6Ω@4.5V
描述特性：高密度单元设计，实现低导通电阻。 电压控制小信号开关。 坚固可靠。 高饱和电流能力。 ESD保护。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥0.1437
- ￥0.1119
- ￥0.09426
- ￥0.0837
- ￥0.07452
- ￥0.0696
- 现货
- 4980
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交3单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 55V
- 连续漏极电流(Id)
- 350mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.2Ω@10V
描述漏源电压：55V 连续漏极电流：350mA N沟道,带ESD保护,应用于笔记本、负载开关、电池保护、手持式仪器
- 收藏
- 对比
- ￥0.149
- ￥0.1166
- ￥0.0986
- ￥0.0878
- 现货
- 5740
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 200mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 3.5Ω@10V
描述该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 收藏
- 对比
- ￥0.3921
- ￥0.3103
- ￥0.2694
- 现货
- 170
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交36单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 500mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 4Ω@3.3V
描述SOT-23 应用消费电子、工控通信、汽车电子
- 收藏
- 对比
- ￥0.13566
- ￥0.107445
- ￥0.09177
- ￥0.074385
- ￥0.066215
- ￥0.061845
- 现货
- 2380
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 250mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.6Ω@10V
- 收藏
- 对比
- ￥0.2042
- ￥0.1619
- ￥0.1385
- ￥0.1244
- 现货
- 4700
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交6单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 310mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.3Ω@10V
描述该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 收藏
- 对比
- ￥0.4855
- ￥0.3784
- ￥0.3249
- 现货
- 920
10000个/圆盘
总额￥0
近期成交13单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 250mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.8Ω@10V
描述台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
- 收藏
- 对比
- ￥0.30192
- ￥0.24055
- ￥0.209865
- ￥0.17408
- ￥0.15572
- ￥0.14654
- 现货
- 2220
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 220mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1Ω@10V
描述N沟道，漏源电压：50V，连续漏极电流：220mA，导通电阻：3Ω@5V，耗散功率：350mW，小电流MOSFET产品，ESD防护。
- 收藏
- 对比
- ￥0.27632
- ￥0.220088
- ￥0.192016
- ￥0.170896
- ￥0.154088
- ￥0.14564
- 现货
- 2960
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 310mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.3Ω@10V
描述该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 收藏
- 对比
近期成交1单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 220mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 2Ω@10V
描述该款消费级N沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，专为50V电压系统设计，提供精细的0.2A电流控制。具备低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于电池保护、智能设备及各类小电流电子应用中，实现高效且精确的功率管理。
SMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥0.1016
- ￥0.08
- ￥0.0642
- ￥0.057
- ￥0.0507
- ￥0.0474
- 现货
- 0
3000个/圆盘
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 耗散功率(Pd)
- 350mW
描述带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
SMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥0.2289
- ￥0.1803
- ￥0.1533
- ￥0.1317
- ￥0.1177
- ￥0.1101
- 现货
- 0
3000个/圆盘
总额￥0
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 220mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1Ω@10V
- 耗散功率(Pd)
- 350mW
- 收藏
- 对比
- ￥0.396
- ￥0.1533
- ￥0.1479
- ￥0.1452
- 现货
- 0
3000个/圆盘
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 400mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.5Ω@10V
描述带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.0723
- ￥0.0593
- ￥0.0521
- ￥0.0474
- ￥0.0437
- ￥0.0416
- 现货
- 26K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交29单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 400mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.5Ω@10V
描述带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.0584
- ￥0.0484
- ￥0.0428
- ￥0.0413
- ￥0.0384
- ￥0.0368
- 现货
- 26K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交78单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 400mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.5Ω@10V
描述带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.0648
- ￥0.0548
- ￥0.0492
- ￥0.0404
- ￥0.0375
- ￥0.0359
- 现货
- 19K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交87单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 400mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.5Ω@10V
描述带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.0695
- ￥0.0565
- ￥0.0493
- ￥0.045
- ￥0.0413
- ￥0.0392
- 现货
- 35K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交29单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 400mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.5Ω@10V
描述带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.0682
- ￥0.0552
- ￥0.048
- ￥0.0437
- ￥0.04
- ￥0.0379
- 现货
- 10K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交18单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 400mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.5Ω@10V
描述带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.07656
- ￥0.049126
- ￥0.033701
- ￥0.032629
- ￥0.027939
- ￥0.025393
- 现货
- 2850
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交4单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 220mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 6Ω@4.5V
描述特性：高密度单元设计，实现极低的RDS(on)。 坚固可靠。应用：直接逻辑电平接口：TTL/CMOS。 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器、晶体管等
- 收藏
- 对比
- ￥0.1012
- ￥0.0796
- ￥0.0676
- ￥0.057
- ￥0.0507
- ￥0.0474
- 现货
- 1500
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交23单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 400mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.5Ω@10V
描述带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.0767
- ￥0.0594
- ￥0.0498
- ￥0.044
- ￥0.039
- ￥0.0364
- 现货
- 5150
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交11单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 400mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.5Ω@10V
描述带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.0782
- ￥0.0609
- ￥0.0513
- ￥0.0456
- ￥0.0406
- ￥0.0379
- 现货
- 1400
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交4单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 400mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.5Ω@10V
描述带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.0782
- ￥0.0609
- ￥0.0513
- ￥0.0456
- ￥0.0406
- ￥0.0379
- 现货
- 3860
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 220mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 2Ω@10V
描述该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于50V电压系统，额定电流为0.2A。具有出色的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于电池保护、信号切换等低功率场景，提供高效且精准的功率控制解决方案。
- 收藏
- 对比
- ￥0.093955
- ￥0.076
- ￥0.066025
- ￥0.060705
- ￥0.05548
- ￥0.052725
- 现货
- 4780
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交4单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 400mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.5Ω@10V
描述带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.0782
- ￥0.0609
- ￥0.0513
- ￥0.0456
- ￥0.0406
- ￥0.0379
- 现货
- 2300
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交5单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 400mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.5Ω@10V
描述带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.0747
- ￥0.0574
- ￥0.0478
- ￥0.042
- ￥0.037
- ￥0.0343
- 现货
- 30
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
