- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- ElecSuper(静芯)
- onsemi(安森美)
- VBsemi(微碧半导体)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- TECH PUBLIC(台舟)
- MSKSEMI(美森科)
- ChipNobo(无边界)
- LRC(乐山无线电)
多选 - 封装
- SOT-23(TO-236)
- 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 200mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 5.6Ω@2.75V
描述特性：低阈值电压 (VGS(th): 0.5V-1.5V)，适合低压应用。微型SOT-23表面贴装封装，节省电路板空间。BVSS前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准。应用：DC-DC转换器。便携式和电池供电产品的电源管理，如计算机、打印机、PCM/CIA卡、移动和无绳电话
- 收藏
- 对比
- ￥0.259
- ￥0.2111
- ￥0.1864
- ￥0.149055
- ￥0.14231
- ￥0.13775
- 现货
- 484K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 200mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 3.5Ω@5V
描述N沟道,50V,0.2A,3.5Ω@5V
- 收藏
- 对比
- ￥0.1247
- ￥0.095
- ￥0.0752
- ￥0.0653
- ￥0.0567
- ￥0.052
- 现货
- 180K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 200mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 3.5Ω@5V
描述特性：低阈值电压（VGS(th)：0.5V-1.5V），适用于低电压应用。微型SOT-23表面贴装封装，节省电路板空间。BVSS前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准。应用：DC-DC转换器。便携式和电池供电产品的电源管理，如计算机、打印机、PCM/CIA卡、移动电话和无绳电话
- 收藏
- 对比
- ￥0.6837
- ￥0.5418
- ￥0.4709
- ￥0.4177
- ￥0.3469
- ￥0.3256
- 现货
- 8335
10000个/圆盘
总额￥0
近期成交68单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 360mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 4.5Ω@2.5V
描述场效应管(MOSFET)
- 收藏
- 对比
- ￥0.1347
- ￥0.1077
- ￥0.0831
- ￥0.0741
- ￥0.0663
- ￥0.062
- 现货
- 15K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 400mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.5Ω@10V
描述带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
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- 对比
- ￥0.0723
- ￥0.0593
- ￥0.0521
- ￥0.0474
- ￥0.0437
- ￥0.0416
- 现货
- 25K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交30单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 200mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 3.78Ω@2.75V
描述BSS138L N 沟道功率 MOSFET 的典型应用为 DC-DC 转换器、便携式电池供电产品中的电源管理，如计算机、打印机、PCMCIA 卡、手机和无绳电话。
- 收藏
- 对比
- ￥0.7182
- ￥0.5721
- ￥0.4991
- ￥0.4443
- ￥0.3568
- 现货
- 4765
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交51单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 400mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.5Ω@10V
描述带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
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- 对比
- ￥0.0682
- ￥0.0552
- ￥0.048
- ￥0.0437
- ￥0.04
- ￥0.0379
- 现货
- 7760
- 在途
- 3000
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交17单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 400mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.5Ω@10V
描述带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.07656
- ￥0.049126
- ￥0.033701
- ￥0.032629
- ￥0.027939
- ￥0.025393
- 现货
- 2810
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交6单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 55V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.2Ω@10V
描述MOS管 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：0.3A 功率(Pd)：0.35W 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.8V-1.6V@250uA
- 收藏
- 对比
- ￥0.1549
- ￥0.1225
- ￥0.1045
- ￥0.0877
- ￥0.0783
- ￥0.0732
- 现货
- 1960
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交14单
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 360mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 4.5Ω@2.5V
- 耗散功率(Pd)
- 350mW
描述场效应管(MOSFET)
- 收藏
- 对比
- ￥0.0626
- ￥0.0611
- ￥0.0602
- ￥0.0592
- 现货
- 150
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 55V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.2Ω@10V
描述特性：55V，0.3A，RDS(ON) = 1.2Ω@VGS = 10V。 改进的dv/dt能力。 快速开关。 提供绿色环保器件。 内置G-S ESD保护二极管。 ESD防护能力高达2KV。应用：电机驱动。 电动工具
- 收藏
- 对比
- ￥0.170255
- ￥0.133535
- ￥0.113135
- ￥0.100895
- ￥0.09027
- ￥0.084575
- 现货
- 540
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 250mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.8Ω@10V
描述台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
- 收藏
- 对比
- ￥0.189335
- ￥0.18525
- ￥0.182495
- ￥0.17974
- 现货
- 510
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 250mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.8Ω@10V
描述台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
- 收藏
- 对比
- ￥0.340765
- ￥0.272365
- ￥0.238165
- ￥0.198265
- ￥0.177745
- ￥0.167485
- 现货
- 460
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交10单
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 220mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 3.5Ω@10V
- 耗散功率(Pd)
- 350mW
描述品牌: ChipNobo(无边界) 封装: SOT-23 描述: N沟道,50V,0.22A,3.5Ω@10V 类型: 1个N沟道 漏源电压(Vdss): 50V 连续漏极电流(Id): 220mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 3.5Ω@10V,220mA
- 收藏
- 对比
- ￥0.088255
- ￥0.067735
- ￥0.056335
- ￥0.049495
- ￥0.043605
- ￥0.040375
- 现货
- 1200
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交8单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 250mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.8Ω@10V
描述台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
- 收藏
- 对比
- ￥0.30311
- ￥0.24191
- ￥0.21131
- ￥0.18836
- ￥0.17
- ￥0.16082
- 现货
- 2350
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 220mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.1Ω@10V
描述该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23小型封装，专为50V电压系统设计，额定电流0.2A。具有低导通电阻和快速开关性能，尤其适用于电池保护、信号切换等低功耗应用，提供精准高效的功率控制解决方案。
SMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥0.1016
- ￥0.08
- ￥0.0642
- ￥0.057
- ￥0.0507
- ￥0.0474
- 现货
- 0
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 400mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.5Ω@10V
描述带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
- 收藏
- 对比
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 220mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 3Ω@4.5V
- 耗散功率(Pd)
- 350mW
描述这款N沟道场效应晶体管（MOSFET）具有0.2A的连续漏极电流能力，支持最高50V的漏源电压。其导通电阻为1100mΩ，适合低功率应用。栅源电压范围达到20V，确保了与多种控制电路的良好兼容性。适用于小型电子设备、便携式装置以及需要精确控制的小信号处理场景中，是追求稳定性和可靠性的理想选择。
SMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥0.1889
- ￥0.0754
- ￥0.0729
- ￥0.0716
- 现货
- 0
3000个/圆盘
总额￥0
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 220mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 3Ω@4.5V
- 耗散功率(Pd)
- 350mW
描述这款N沟道场效应管（MOSFET）具备0.2A的最大连续漏极电流（ID）和50V的漏源极击穿电压（VDSS），适用于多种低至中等功率的应用场景。其导通电阻（RDON）仅为1100毫欧，有助于减少工作时的能耗，提高转换效率。该器件支持最高20V的栅源电压（VGS），为设计者提供了广泛的操作范围。此MOSFET凭借其出色的电气特性和可靠性，非常适合用作电源管理、信号切换等电路中的关键组件。
SMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥0.5447
- ￥0.2174
- ￥0.2101
- ￥0.2065
- 现货
- 0
3000个/圆盘
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
SMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥0.6829
- ￥0.2643
- ￥0.255
- ￥0.2504
- 现货
- 0
3500个/圆盘
总额￥0
