- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- ElecSuper(静芯)
- VBsemi(微碧半导体)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- MSKSEMI(美森科)
- TECH PUBLIC(台舟)
- JSMSEMI(杰盛微)
- TWGMC(迪嘉)
- FUXINSEMI(富芯森美)
- FOSAN(富捷/富信)
- ChipNobo(无边界)
- LRC(乐山无线电)
- onsemi(安森美)
多选 - 封装
- SOT-23(TO-236)
- 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 200mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 5.6Ω@2.75V
描述特性：低阈值电压 (VGS(th): 0.5V-1.5V)，适合低压应用。微型SOT-23表面贴装封装，节省电路板空间。BVSS前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准。应用：DC-DC转换器。便携式和电池供电产品的电源管理，如计算机、打印机、PCM/CIA卡、移动和无绳电话
- 收藏
- 对比
- ￥0.2556
- ￥0.207
- ￥0.182
- ￥0.1521
- ￥0.1449
- ￥0.1401
- 现货
- 341K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 200mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 3.5Ω@5V
描述N沟道,50V,0.2A,3.5Ω@5V
- 收藏
- 对比
- ￥0.1328
- ￥0.1027
- ￥0.0826
- ￥0.0726
- ￥0.0639
- ￥0.0592
- 现货
- 112K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 360mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 4.5Ω@2.5V
描述场效应管(MOSFET)
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- 对比
- ￥0.1347
- ￥0.1077
- ￥0.0831
- ￥0.0741
- ￥0.0663
- ￥0.062
- 现货
- 12K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 400mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.5Ω@10V
描述带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.0682
- ￥0.0552
- ￥0.048
- ￥0.0437
- ￥0.04
- ￥0.0379
- 现货
- 12K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交24单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 55V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.2Ω@10V
描述MOS管 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：0.3A 功率(Pd)：0.35W 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.8V-1.6V@250uA
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- 对比
- ￥0.1526
- ￥0.1202
- ￥0.1022
- ￥0.0854
- ￥0.0761
- ￥0.071
- 现货
- 1980
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交9单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 55V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.2Ω@10V
描述特性：55V，0.3A，RDS(ON) = 1.2Ω@VGS = 10V。 改进的dv/dt能力。 快速开关。 提供绿色环保器件。 内置G-S ESD保护二极管。 ESD防护能力高达2KV。应用：电机驱动。 电动工具
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- 对比
- ￥0.170255
- ￥0.133535
- ￥0.113135
- ￥0.100895
- ￥0.09027
- ￥0.084575
- 现货
- 120
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交3单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 250mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.8Ω@10V
描述台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
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- ￥0.19133
- ￥0.187245
- ￥0.18449
- ￥0.181735
- 现货
- 500
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 220mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 3.5Ω@10V
描述品牌: ChipNobo(无边界) 封装: SOT-23 描述: N沟道,50V,0.22A,3.5Ω@10V 类型: 1个N沟道 漏源电压(Vdss): 50V 连续漏极电流(Id): 220mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 3.5Ω@10V,220mA
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- 对比
- ￥0.092815
- ￥0.072295
- ￥0.060895
- ￥0.05415
- ￥0.048165
- ￥0.04503
- 现货
- 1200
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交7单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 250mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.8Ω@10V
描述台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
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- 对比
- ￥0.340765
- ￥0.272365
- ￥0.238165
- ￥0.198265
- ￥0.177745
- ￥0.167485
- 现货
- 110
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交9单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 220mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.1Ω@10V
描述该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23小型封装，专为50V电压系统设计，额定电流0.2A。具有低导通电阻和快速开关性能，尤其适用于电池保护、信号切换等低功耗应用，提供精准高效的功率控制解决方案。
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- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 400mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.5Ω@10V
描述带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
- 收藏
- 对比
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 220mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 3Ω@4.5V
- 耗散功率(Pd)
- 350mW
描述这款N沟道场效应晶体管（MOSFET）具有0.2A的连续漏极电流能力，支持最高50V的漏源电压。其导通电阻为1100mΩ，适合低功率应用。栅源电压范围达到20V，确保了与多种控制电路的良好兼容性。适用于小型电子设备、便携式装置以及需要精确控制的小信号处理场景中，是追求稳定性和可靠性的理想选择。
SMT扩展库
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- 对比
- ￥0.1889
- ￥0.0754
- ￥0.0729
- ￥0.0716
- 现货
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3000个/圆盘
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 220mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 6Ω@4.5V
描述适用于各类小型电子设备，提供高效、稳定的开关与功率转换性能。
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- 对比
- ￥0.06256
- ￥0.0492
- ￥0.03848
- ￥0.03408
- ￥0.03016
- ￥0.02808
- 现货
- 83K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交78单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 400mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.5Ω@10V
描述带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.0584
- ￥0.0484
- ￥0.0428
- ￥0.0413
- ￥0.0384
- ￥0.0368
- 现货
- 25K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交83单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 400mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.5Ω@10V
描述带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.0648
- ￥0.0548
- ￥0.0492
- ￥0.0404
- ￥0.0375
- ￥0.0359
- 现货
- 22K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交94单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 400mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.5Ω@10V
描述带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.0695
- ￥0.0565
- ￥0.0493
- ￥0.045
- ￥0.0413
- ￥0.0392
- 现货
- 35K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交39单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 400mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.5Ω@10V
描述带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.0723
- ￥0.0593
- ￥0.0521
- ￥0.0474
- ￥0.0437
- ￥0.0416
- 现货
- 15K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交34单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 400mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.5Ω@10V
描述带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.0761
- ￥0.0588
- ￥0.0492
- ￥0.0434
- ￥0.0384
- ￥0.0357
- 现货
- 3000
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交10单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 220mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 3.5Ω@10V
描述类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：340mA 功率(Pd)：360mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,300mA
- 收藏
- 对比
- ￥0.111815
- ￥0.087685
- ￥0.07163
- ￥0.063555
- ￥0.05662
- ￥0.052915
- 现货
- 5900
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交5单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 340mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.1Ω@10V
- 收藏
- 对比
- ￥0.0837
- ￥0.0665
- ￥0.0544
- ￥0.0487
- ￥0.0437
- ￥0.041
- 现货
- 2450
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交11单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 220mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 6Ω@4.5V
描述特性：高密度单元设计，实现极低的RDS(on)。 坚固可靠。应用：直接逻辑电平接口：TTL/CMOS。 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器、晶体管等
- 收藏
- 对比
- ￥0.1012
- ￥0.0796
- ￥0.0676
- ￥0.057
- ￥0.0507
- ￥0.0474
- 现货
- 520
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交23单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 400mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.5Ω@10V
描述带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.0782
- ￥0.0609
- ￥0.0513
- ￥0.0456
- ￥0.0406
- ￥0.0379
- 现货
- 3740
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交6单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 400mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.5Ω@10V
描述带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.0963
- ￥0.0721
- ￥0.0586
- ￥0.0506
- ￥0.0436
- ￥0.0398
- 现货
- 30
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交9单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 400mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.5Ω@10V
描述带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.0782
- ￥0.0609
- ￥0.0513
- ￥0.0456
- ￥0.0406
- ￥0.0379
- 现货
- 1450
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交11单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 220mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.1Ω@10V
描述该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于50V电压系统，额定电流为0.2A。具有出色的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于电池保护、信号切换等低功率场景，提供高效且精准的功率控制解决方案。
- 收藏
- 对比
- ￥0.093955
- ￥0.076
- ￥0.066025
- ￥0.060705
- ￥0.05548
- ￥0.052725
- 现货
- 4740
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交4单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 400mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.5Ω@10V
描述带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.0782
- ￥0.0609
- ￥0.0513
- ￥0.0456
- ￥0.0406
- ￥0.0379
- 现货
- 1450
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 400mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.5Ω@10V
描述带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.0747
- ￥0.0574
- ￥0.0478
- ￥0.042
- ￥0.037
- ￥0.0343
- 现货
- 20
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 250mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.8Ω@10V
描述台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
- 收藏
- 对比
- ￥0.2025
- ￥0.195
- ￥0.1875
- ￥0.1725
- ￥0.168
- 库存
- 3000
- 增量
- 1
- 最小包装
- 1个
总额￥0
