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- 场效应管(MOSFET)
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BSS84LT1G

品牌: onsemi(安森美)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C82079

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 50V

连续漏极电流(Id): 130mA

导通电阻(RDS(on)): 10Ω@5V

描述P 沟道功率 MOSFET，逻辑电平，-50V，-130mA，10Ω，SOT-23 逻辑电平

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10+￥0.3185
100+￥0.2504
300+￥0.2163
3000+￥0.1907
6000+￥0.1703
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BSS84K

品牌: R+O(宏嘉诚)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C54795811

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 170mA

导通电阻(RDS(on)): 3.6Ω@10V

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20+￥0.1442
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BSS84

品牌: R+O(宏嘉诚)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7420340

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 170mA

导通电阻(RDS(on)): 3.3Ω@10V；3.5Ω@4.5V

描述特性：VDSS = -60V。 I0 = -0.17A。 RDS(on)@VGS = -10V < 8Ω。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 10Ω。沟槽功率低压MOSFET技术。低RDS(ON)。应用：视频监视器。负载开关

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20+￥0.1358
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BSS84

品牌: CJ(江苏长电/长晶)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C114481

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 50V

连续漏极电流(Id): 130mA

导通电阻(RDS(on)): 4.5Ω@10V

描述P沟道，-50V，-0.13A，10Ω@-5V

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50+￥0.1233
500+￥0.0979
3000+￥0.0815
6000+￥0.073
24000+￥0.0657
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BSS84AK,215

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C127273

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 50V

连续漏极电流(Id): 180mA

导通电阻(RDS(on)): 13.5Ω@10V

描述P沟道，50V，180mA

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9.9折

10+￥0.3077
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300+￥0.2121
3000+￥0.186318
6000+￥0.16731
9000+￥0.157905

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BSS84-7-F

品牌: DIODES(美台)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C85202

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 50V

连续漏极电流(Id): 130mA

导通电阻(RDS(on)): 3.2Ω@5V

描述这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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10+￥0.2594
100+￥0.2077
300+￥0.1818
3000+￥0.1624
6000+￥0.1469
9000+￥0.1391

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BSS84PH6327

品牌: Infineon(英飞凌)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C152212

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 170mA

导通电阻(RDS(on)): 12Ω@4.5V

描述P沟道,60V,170mA,8Ω@10V

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10+￥0.3852
100+￥0.3123
300+￥0.2759
3000+￥0.2013
6000+￥0.1795
9000+￥0.1685

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LBSS84LT1G

品牌: LRC(乐山无线电)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C8492

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 50V

连续漏极电流(Id): 130mA

导通电阻(RDS(on)): 10Ω@5V

描述P沟道,-50V,-0.13A,10Ω@-5V

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50+￥0.136
500+￥0.1062
3000+￥0.0817
6000+￥0.0718
24000+￥0.0632
51000+￥0.0586

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BSS8402DW-7-F

品牌: DIODES(美台)

封装: SOT-363

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C156386

数量: 1个N沟道+1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 130mA

导通电阻(RDS(on)): 13.5Ω@10V

描述该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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5+￥0.6711
50+￥0.548
150+￥0.4864
500+￥0.4403
3000+￥0.4033
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近期成交62单

BSS84

品牌: TECH PUBLIC(台舟)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5380669

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 50V

连续漏极电流(Id): 130mA

导通电阻(RDS(on)): 4.5Ω@10V

描述应用：电池保护。负载开关。电源管理

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20+￥0.1336
200+￥0.1149
600+￥0.1045
3000+￥0.0983
9000+￥0.0929
21000+￥0.09

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BSS84W-7-F

品牌: DIODES(美台)

封装: SOT-323

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C110490

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 50V

连续漏极电流(Id): 130mA

导通电阻(RDS(on)): 10Ω@5V

描述该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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5+￥0.5035
50+￥0.4025
150+￥0.352
500+￥0.3141
3000+￥0.2838
6000+￥0.2687

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近期成交99单

BSS84AKM,315

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-883

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C549761

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 50V

连续漏极电流(Id): 230mA

导通电阻(RDS(on)): 7.5Ω@10V

描述采用沟槽式MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚超小型SOT883（SC - 101）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

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SMT补贴嘉立创库存8082

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对比

9.9折

5+￥1.6076
50+￥1.2674
150+￥1.1216
500+￥0.930303
2500+￥0.850113
5000+￥0.8019

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现货: 8075

10000个/圆盘

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近期成交26单

BSS84

品牌: onsemi(安森美)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C266796

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 50V

连续漏极电流(Id): 130mA

导通电阻(RDS(on)): 10Ω@5V

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SMT补贴嘉立创库存8772

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对比

10+￥0.5382
100+￥0.4422
300+￥0.3942
3000+￥0.3332
6000+￥0.3044
9000+￥0.29

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现货: 8530

3000个/圆盘

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近期成交77单

BSS84

品牌: FUXINSEMI(富芯森美)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C3018484

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 50V

连续漏极电流(Id): 130mA

导通电阻(RDS(on)): 10Ω@5V

描述特性：先进的沟槽工艺技术。用于超低导通电阻的高密度单元设计。应用：便携式设备负载开关。 DC/DC转换器

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SMT补贴嘉立创库存18K+

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对比

9折

20+￥0.12411
200+￥0.09882
600+￥0.08478
3000+￥0.06822
9000+￥0.06093
21000+￥0.05697

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现货: 18K+

3000个/圆盘

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近期成交44单

BSS84,215

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C493579

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 50V

连续漏极电流(Id): 130mA

导通电阻(RDS(on)): 10Ω@10V

描述P- 通道增强模式垂直扩散金属氧化物半导体（DMOS）晶体管，采用小型表面贴装器件（SMD）塑料封装。

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SMT补贴嘉立创库存1295

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对比

5+￥1.4353
50+￥1.114
150+￥0.9763
500+￥0.8045
3000+￥0.728
6000+￥0.6821

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现货: 1255

3000个/圆盘

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总额￥0

近期成交78单

BSS84

品牌: baocheng(宝乘)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C51898310

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 130mA

导通电阻(RDS(on)): 2Ω@10V；2.4Ω@5V

描述漏源电压:60V 连续漏极电流:0.13A 导通电阻:10Ω@5V 耗散功率:225W 阀值电压：2.5V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

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SMT补贴嘉立创库存24K+

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9.5折

50+￥0.109915
500+￥0.08474
3000+￥0.070775
6000+￥0.062415
24000+￥0.055195
51000+￥0.051205

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现货: 24K+

3000个/圆盘

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近期成交21单

BSS84AKVL

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C549760

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 50V

连续漏极电流(Id): 180mA

导通电阻(RDS(on)): 4.5Ω@10V

描述P- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用小型 SOT23 (TO- 236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7419

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对比

9.9折

10+￥0.307
100+￥0.2434
300+￥0.2116
1000+￥0.185823
5000+￥0.166914
10000+￥0.157509

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现货: 7410

10000个/圆盘

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近期成交5单

BSS84AKW,115

品牌: Nexperia(安世)

封装: SC-70

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C179347

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 50V

连续漏极电流(Id): 150mA

导通电阻(RDS(on)): 7.5Ω@10V

描述采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用小型SOT323（SC - 70）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1642

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对比

5+￥0.725
50+￥0.5779
150+￥0.5044
500+￥0.4492
3000+￥0.4051
6000+￥0.383

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现货: 1540

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交52单

LBSS8402DW1T1G

品牌: LRC(乐山无线电)

封装: SC-88

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C383206

数量: 1个N沟道+1个P沟道

漏源电压(Vdss): 50V

连续漏极电流(Id): 130mA

导通电阻(RDS(on)): 10Ω@2.75V

描述特性：产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；通过AEC-Q101认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存17K+

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对比

20+￥0.2413
200+￥0.1879
600+￥0.1582
3000+￥0.1404
9000+￥0.125

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现货: 15K+

3000个/圆盘

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总额￥0

近期成交57单

LBSS84ELT1G

品牌: LRC(乐山无线电)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C417310

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 130mA

导通电阻(RDS(on)): 6Ω@5V

描述P沟道

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存16K+

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对比

20+￥0.1554
200+￥0.12
600+￥0.1003
3000+￥0.0853
9000+￥0.075

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现货: 16K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交30单

BSS84AKW

品牌: TECH PUBLIC(台舟)

封装: SOT-323

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C52145974

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 50V

连续漏极电流(Id): 130mA

导通电阻(RDS(on)): 6Ω@5V

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存8998

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对比

7.6折

20+￥0.146528
200+￥0.114912
600+￥0.097356
3000+￥0.086792
9000+￥0.077672
21000+￥0.072808

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现货: 8940

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交21单

BSS84

品牌: Siliup(矽普)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41354933

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 130mA

导通电阻(RDS(on)): 4.2Ω@10V；4.5Ω@4.5V

描述小电流MOSFET产品，P沟道，耐压：-60V，电流：-0.13A, Rdson：4200mR

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存9876

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对比

50+￥0.0891
500+￥0.0699
3000+￥0.0603
6000+￥0.0539

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现货: 9300

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交37单

BSS84DW-7-F

品牌: DIODES(美台)

封装: SOT-363

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C161617

数量: 2个P沟道

漏源电压(Vdss): 50V

连续漏极电流(Id): 130mA

导通电阻(RDS(on)): 10Ω@5V

描述该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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SMT补贴嘉立创库存511

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对比

10+￥0.3165
100+￥0.2509
300+￥0.218

现货最快4小时发货

现货: 480

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交32单

BSS84AKS,115

品牌: Nexperia(安世)

封装: TSSOP-6(SOT-363)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C179346

数量: 2个P沟道

漏源电压(Vdss): 50V

连续漏极电流(Id): 160mA

导通电阻(RDS(on)): 7.5Ω@10V

描述采用沟槽MOSFET技术的双P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用超小型SOT363（SC - 88）封装。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1184

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对比

5+￥0.8787
50+￥0.6903
150+￥0.5961
500+￥0.5254
3000+￥0.4689
6000+￥0.4406

现货最快4小时发货

现货: 1180

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交20单

BSS84AKM-TP

品牌: TECH PUBLIC(台舟)

封装: DFN1006-3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42394022

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 500mA

导通电阻(RDS(on)): 2.4Ω@10V

描述这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

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P沟道增强型MOSFET，采用Trench Power LVMOSFET技术，低导通电阻、低栅极电荷、ESD保护

BSS84K

品牌: MDD(辰达半导体)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C53463905

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 200mA

导通电阻(RDS(on)): 3.7Ω@10V

描述小电流MOSFET产品，P沟道，ESD防护，耐压：-60V，电流：-0.2A, Rdson：3700mR

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BSS84LT1G

品牌: TECH PUBLIC(台舟)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C28646323

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 50V

连续漏极电流(Id): 130mA

导通电阻(RDS(on)): 6Ω@10V

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BSS84

品牌: FOSAN(富捷/富信)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2926187

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 170mA

导通电阻(RDS(on)): 3.3Ω@10V

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BSS84PW(TP)

品牌: TECH PUBLIC(台舟)

封装: SOT-323

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C53340809

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 50V

连续漏极电流(Id): 130mA

导通电阻(RDS(on)): 6Ω@5V

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BSS84AK-MS

品牌: MSKSEMI(美森科)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7379993

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 55V

连续漏极电流(Id): 300mA

导通电阻(RDS(on)): 4.5Ω@10V

描述MOS管类型：P沟道漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.5Ω@10V,300mA

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