- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- MSKSEMI(美森科)
- ElecSuper(静芯)
- VBsemi(微碧半导体)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- LRC(乐山无线电)
- onsemi(安森美)
- TECH PUBLIC(台舟)
- TWGMC(迪嘉)
- FUXINSEMI(富芯森美)
- FOSAN(富捷/富信)
- ChipNobo(无边界)
多选 - 封装
- SOT-23(TO-236)
- 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 130mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 10Ω@5V
描述P 沟道功率 MOSFET，逻辑电平，-50V，-130mA，10Ω，SOT-23 逻辑电平
- 收藏
- 对比
- ￥0.3119
- ￥0.2467
- ￥0.2141
- ￥0.1896
- ￥0.1701
- ￥0.1603
- 现货
- 18K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 130mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 10Ω@5V
描述P沟道,-50V,-0.13A,10Ω@-5V
- 收藏
- 对比
- ￥0.1592
- ￥0.1243
- ￥0.0957
- ￥0.0841
- ￥0.074
- ￥0.0686
- 现货
- 81K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 130mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 6Ω@10V
描述这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 收藏
- 对比
- ￥0.165965
- ￥0.129295
- ￥0.108965
- ￥0.09671
- ￥0.08607
- ￥0.08037
- 现货
- 2540
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交24单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 55V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 4Ω@10V
描述MOS管 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.5Ω@10V,300mA
- 收藏
- 对比
- ￥0.1466
- ￥0.1142
- ￥0.0962
- ￥0.0854
- ￥0.0761
- ￥0.071
- 现货
- 660
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交5单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 200mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 6.3Ω@4.5V
描述带ESD防护 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-60V 连续漏极电流(Id)：-150mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4Ω@-10V,-150mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-1.6V@-250uA
- 收藏
- 对比
- ￥0.1173
- ￥0.0914
- ￥0.077
- ￥0.0684
- ￥0.0609
- ￥0.0568
- 现货
- 1450
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交3单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 130mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 10Ω@5V
描述品牌: ChipNobo(无边界) 封装: SOT-23 描述: P沟道,-50V,-0.13A,8Ω@-10V 类型: 1个P沟道 漏源电压(Vdss): -50V 连续漏极电流(Id):-130mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 8Ω@-10V,-100mA
- 收藏
- 对比
- ￥0.0929
- ￥0.0724
- ￥0.061
- 现货
- 1650
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 100mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 2Ω@10V
描述该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压50V，适用于低电流应用场合，提供0.1A电流处理能力。具备低导通电阻和快速开关特性，尤其适合电池保护、智能设备中的精细功率控制需求。
- 收藏
- 对比
- ￥0.11322
- ￥0.08892
- ￥0.07218
- ￥0.06408
- ￥0.05706
- ￥0.05328
- 现货
- 50
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 55V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 4.5Ω@10V
描述MOS管 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.5Ω@10V,300mA
- 收藏
- 对比
- ￥0.2199
- ￥0.1713
- ￥0.1443
- ￥0.1281
- ￥0.1141
- ￥0.1065
- 现货
- 2840
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交7单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 500mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 3Ω@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于低功率开关电源、电源管理IC、便携式电子设备中的电池管理模块、传感器节点、医疗器械以及便携式医疗设备等领域SOT23；P—Channel沟道,-60V；-0.5A；RDS(ON)=3000mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 收藏
- 对比
- ￥0.243
- ￥0.234
- ￥0.225
- ￥0.207
- ￥0.2016
- 库存
- 3000
- 增量
- 1
- 最小包装
- 1个
总额￥0
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 100mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 2Ω@10V
描述这款P沟道场效应管（MOSFET）具有精细的电流处理能力，其最大导通电流ID为0.1A，适用于微小电流的应用场景；漏源电压VDSS为50V，适合在低压系统中使用；导通状态下的漏源电阻RDSON为2000毫欧，能够在低功率要求的情况下提供稳定的性能。此MOSFET支持最大栅源电压VGS为20V，适用于设计需要精确电流控制的电子玩具、家用电器控制电路以及个人电子产品中的负载开关等场合。
- 收藏
- 对比
- ￥0.407264
- ￥0.321992
- ￥0.279312
- ￥0.24728
- ￥0.221672
- ￥0.208912
- 现货
- 5
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 130mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 2Ω@5V
描述特性：产品材料符合RoHS要求且无卤。S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力。节能
- 收藏
- 对比
- ￥0.2009
- ￥0.1586
- ￥0.135
- 现货
- 20
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交18单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 130mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 10Ω@5V
描述P沟道，50V,130mA
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 130mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 10Ω@5V
描述特性：先进的沟槽工艺技术。 用于超低导通电阻的高密度单元设计。应用：便携式设备负载开关。 DC/DC转换器
- 收藏
- 对比
- ￥0.12411
- ￥0.09882
- ￥0.08478
- ￥0.06822
- ￥0.06093
- ￥0.05697
- 现货
- 16K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交50单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 55V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 4.5Ω@10V
描述MOS管 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.5Ω@10V,300mA
- 收藏
- 对比
- ￥0.22249
- ￥0.17689
- ￥0.15409
- ￥0.13224
- ￥0.11856
- ￥0.111625
- 现货
- 5920
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交10单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 200mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 6.3Ω@4.5V
描述带ESD防护 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-60V 连续漏极电流(Id)：-150mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4Ω@-10V,-150mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-1.6V@-250uA
- 收藏
- 对比
- ￥0.0575
- ￥0.0561
- ￥0.0552
- ￥0.0542
- 现货
- 750
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交22单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 200mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 6.3Ω@4.5V
描述带ESD防护 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-60V 连续漏极电流(Id)：-150mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4Ω@-10V,-150mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-1.6V@-250uA
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥0.1169
- ￥0.091
- ￥0.0766
- ￥0.068
- ￥0.0605
- ￥0.0564
- 现货
- 550
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 55V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 4Ω@10V
描述MOS管 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.5Ω@10V,300mA
- 收藏
- 对比
- ￥0.13158
- ￥0.10242
- ￥0.08622
- ￥0.0765
- ￥0.06804
- ￥0.06345
- 现货
- 1880
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交5单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 55V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 4Ω@10V
描述MOS管 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.5Ω@10V,300mA
- 收藏
- 对比
- ￥0.21753
- ￥0.17433
- ￥0.15273
- ￥0.13653
- ￥0.12357
- ￥0.117
- 现货
- 1080
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交5单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 200mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 6.3Ω@4.5V
描述带ESD防护 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-60V 连续漏极电流(Id)：-150mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4Ω@-10V,-150mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-1.6V@-250uA
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥0.1221
- ￥0.0951
- ￥0.0801
- 现货
- 300
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 130mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 4.5Ω@10V
描述这些微型表面贴装MOSFET可降低功率损耗，节约能源，非常适合用于小型电源管理电路。
- 收藏
- 对比
- ￥0.10899
- ￥0.08712
- ￥0.06363
- ￥0.05634
- ￥0.05004
- ￥0.04662
- 现货
- 1350
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交6单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 200mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 5.2Ω@10V
描述带ESD防护 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-60V 连续漏极电流(Id)：-150mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4Ω@-10V,-150mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-1.6V@-250uA
- 收藏
- 对比
- ￥0.1131
- ￥0.0871
- ￥0.0727
- ￥0.0641
- ￥0.0566
- ￥0.0526
- 现货
- 800
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 200mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 5.2Ω@10V
描述带ESD防护 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-60V 连续漏极电流(Id)：-150mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4Ω@-10V,-150mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-1.6V@-250uA
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥0.1173
- ￥0.0914
- ￥0.077
- ￥0.0684
- ￥0.0609
- ￥0.0568
- 现货
- 1950
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交9单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 55V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 4Ω@10V
描述MOS管 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.5Ω@10V,300mA
- 收藏
- 对比
- ￥0.13194
- ￥0.10278
- ￥0.08658
- ￥0.07686
- ￥0.06849
- ￥0.0639
- 现货
- 140
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 500mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 3Ω@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于低功率开关电源、电源管理IC、便携式电子设备中的电池管理模块、传感器节点、医疗器械以及便携式医疗设备等领域SOT23；P—Channel沟道,-60V；-0.5A；RDS(ON)=3000mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 收藏
- 对比
- ￥0.243
- ￥0.234
- ￥0.225
- ￥0.207
- ￥0.2016
- 库存
- 3000
- 增量
- 1
- 最小包装
- 1个
总额￥0
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 170mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 3.3Ω@10V
- 收藏
- 对比
近期成交41单
