- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- TECH PUBLIC(台舟)
- ElecSuper(静芯)
- VBsemi(微碧半导体)
- MSKSEMI(美森科)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
多选 - 封装
- SOT-23(TO-236)
- SOT-323(SC-70)
多选 - 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 170mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 12Ω@4.5V
描述P沟道,60V,170mA,8Ω@10V
- 收藏
- 对比
- ￥0.3852
- ￥0.3123
- ￥0.2759
- ￥0.2013
- ￥0.1795
- ￥0.1685
- 现货
- 49K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 导通电阻(RDS(on))
- 6Ω@5V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
- 收藏
- 对比
- ￥0.141816
- ￥0.1102
- ￥0.092644
- ￥0.082156
- ￥0.073036
- ￥0.068096
- 现货
- 5860
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交4单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 180mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 6.3Ω@4.5V
描述带ESD防护 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-60V 连续漏极电流(Id)：-150mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4Ω@-10V,-150mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-1.6V@-250uA
- 收藏
- 对比
- ￥0.1662
- ￥0.1295
- ￥0.1091
- 现货
- 420
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交16单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 55V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 4Ω@10V
描述MOS管 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.5Ω@10V,300mA
- 收藏
- 对比
- ￥0.21753
- ￥0.17433
- ￥0.15273
- ￥0.13653
- ￥0.12357
- ￥0.117
- 现货
- 1300
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交4单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 200mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 6.3Ω@4.5V
描述带ESD防护 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-60V 连续漏极电流(Id)：-150mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4Ω@-10V,-150mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：-1.6V@-250uA
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥0.1173
- ￥0.0914
- ￥0.077
- ￥0.0684
- ￥0.0609
- ￥0.0568
- 现货
- 800
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 130mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 5Ω@10V
描述该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于50V电压系统，额定电流为0.1A。具有低导通电阻和快速开关性能，特别适合于电池保护、信号切换等低功耗应用场景，实现精准可靠的功率控制功能。
- 收藏
- 对比
- ￥0.11732
- ￥0.09233
- ￥0.07847
- ￥0.0658
- ￥0.05859
- ￥0.05467
- 现货
- 1000
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交4单
- 收藏
- 对比
- ￥2.793323
- ￥2.482954
- ￥2.027745
- ￥1.738068
- 库存
- 10K+
- 增量
- 1
- 最小包装
- 10000个
总额￥0
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 500mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 3Ω@10V
描述台积电流片，长电科技封装；SOT23-3；P—Channel沟道；-60V；-0.5A；RDS(ON)=3000(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-1.7V；采用Trench技术；
- 收藏
- 对比
- ￥0.243
- ￥0.234
- ￥0.225
- ￥0.207
- ￥0.2016
- 库存
- 3000
- 增量
- 1
- 最小包装
- 1个
总额￥0
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 150mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 8Ω@10V
描述P沟道,-60V,-0.15A,8Ω@-10V
- 收藏
- 对比
近期成交1单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 150mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 8Ω@10V
描述特性：P沟道增强模式。 雪崩额定。 逻辑电平。 d/v/dt额定。 无铅镀铅，符合RoHS标准。 符合AEC Q101标准。 符合IEC61249-2-21标准的无卤产品
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥0.31993
- ￥0.243432
- 库存
- 4648
- 增量
- 1
- 最小包装
- 3000个
总额￥0
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 1.6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 200mΩ@10V
描述特性：VDS =-60V, ID =-1.6A。 RDS(ON) < 200mΩ @VGS =-10V。 RDS(ON) < 240mΩ @VGS =-4.5V。应用：Load/Power Switching。 Interfacing Switching
- 收藏
- 对比
- ￥0.4618
- ￥0.4112
- ￥0.3859
- ￥0.3669
- ￥0.3365
- ￥0.3289
- 现货
- 8065
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交29单
