BTA16-600BRG(UMW)

品牌

UMW(友台半导体)

封装

TO-220A

类目

晶闸管(可控硅)/模块

编号

C7471857

断态峰值电压(Vdrm)

600V

通态电流(It)

16A

浪涌电流

160A

门极平均耗散功率(PG(AV))

1W

描述特性：NPNPN五层结构的硅双向器件。 拥有独立知识产权的单面挖掘技术和表玻璃钝化工艺。 背面采用多层金属化电极。 具有高阻断电压和高温稳定性。应用：吸尘器、电动工具等电机调速器。 固态继电器

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BTA16-600BRG

品牌

JSMSEMI(杰盛微)

封装

TO-220AB

类目

晶闸管(可控硅)/模块

编号

C916781

可控硅类型

1个双向可控硅

断态峰值电压(Vdrm)

600V

通态电流(It)

16A

浪涌电流

160A

描述可控硅晶闸管大量应用家用电器，电源等领域

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BTA16-600BRG-MS

品牌

MSKSEMI(美森科)

封装

TO-220AB

类目

晶闸管(可控硅)/模块

编号

C50385336

可控硅类型

1个双向可控硅

断态峰值电压(Vdrm)

600V

通态电流(It)

16A

浪涌电流

140A

描述BTA16-600BRG-MS是一款双向可控硅，采用了更高质量的半导体材料，如单晶硅，以降低内部应力，提高器件的耐久性被广泛应用于：电动机控制、家用电器、灯光调节、电源开关

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BTA16-600BRG-HXY

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

TO-220A

类目

晶闸管(可控硅)/模块

编号

C52043419

可控硅类型

1个双向可控硅

通态电流(It)

16A

浪涌电流

168A；160A

门极平均耗散功率(PG(AV))

1W

描述该双向可控硅模块额定通态电流（It）为16A，断态峰值电压（Vdrm）达600V，内部集成单个双向可控硅芯片，适用于中等功率交流开关与调节电路。其门极触发电流（Igt）为50mA，具备稳定的触发特性，可在交流电源周期内实现精确导通控制。器件具有良好的电压阻断能力和热稳定性，常用于交流调压装置、电热负载控制、照明调节系统及各类无触点开关电路中，适合对控制精度和运行可靠性有要求的电子设备应用。

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BTA16-HXY

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

TO-220

类目

晶闸管(可控硅)/模块

编号

C7469136

断态峰值电压(Vdrm)

600V

通态电流(It)

16A

浪涌电流

160A

门极平均耗散功率(PG(AV))

1W

描述这款高品质TO-220封装双向可控硅，专为高耐压应用设计，拥有卓越的600V反向和正向重复峰值电压能力。器件具有低触发门极电流Igt仅为50mA，确保高效可靠触发，并在电源转换及电机调速等领域表现出色。它能承载大电流负载并保持稳定导通状态，适用于各种交流开关电路和功率调节解决方案。其坚固耐用的TO-220封装形式，既方便安装又利于散热，是构建高性能电力电子系统的理想选择。

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