BTB08_BTB08采购信息-立创电子元器件商城

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BTB08

品牌: DDF(鼎德丰)

封装: TO-263

类目: 晶闸管(可控硅)/模块

编号: C50229678

描述可控硅类型：双向可控硅。断态峰值电压（VDRM/VRRM)：800V 通态电流（IT(RMS)）：8A 浪涌电流（ITSM）： 80A 峰值通态压降（VTM): 1.55 门极触发电流（IGT3)：1-5mA 结温（TJ）：-40℃~+125℃

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BTB08-600BW

品牌: WEIDA(韦达)

封装: TO-252

类目: 晶闸管(可控硅)/模块

编号: C2901062

可控硅类型: 1个双向可控硅

断态峰值电压(Vdrm): 600V

通态电流(It): 8A

浪涌电流: 80A

描述具有承受大电流冲击负载的高能力，提供高dv/dt速率，对电磁干扰具有强抵抗力。具有高换向性能，三象限产品特别推荐用于感性负载。从所有三个端子到外部散热器，提供2500VRMS的额定绝缘电压，符合UL标准。

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BTB08-600B

品牌: minos(迈诺斯)

封装: TO-220

类目: 晶闸管(可控硅)/模块

编号: C22389986

可控硅类型: 1个双向可控硅

断态峰值电压(Vdrm): 600V

通态电流(It): 8A

浪涌电流: 88A@60Hz；80A@50Hz

描述通态有效值电流IT(RMS)：8A, 断态重复峰值电压VDRM/VRRM：600V, 峰值通态电压VTM：1.4V，门极触发电流Igt3：30mA

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BTB08-600BWRG

品牌: ST(意法半导体)

封装: TO-220AB

类目: 晶闸管(可控硅)/模块

编号: C262876

可控硅类型: 1个双向可控硅

断态峰值电压(Vdrm): 600V

通态电流(It): 8A

浪涌电流: 80A@50Hz

描述8A标准和Snubberless 三端双向可控硅

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BTB08-800CW

品牌: XCH(旭昌辉)

封装: TO-220B

类目: 晶闸管(可控硅)/模块

编号: C5124086

可控硅类型: 1个双向可控硅

断态峰值电压(Vdrm): 800V

通态电流(It): 8A

浪涌电流: 80A

描述BTA08/BTB08 系列三端双向可控硅具有高耐大电流冲击负载能力，能提供高 dv/dt 速率，且抗电磁干扰能力强。该系列产品换相性能良好，其 3 象限产品特别推荐用于感性负载。BTA08 从所有三个端子到外部散热器的额定绝缘电压为 2500 VRMS，符合 UL 标准

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BTB08-600SRG

品牌: ST(意法半导体)

封装: TO-220AB

类目: 晶闸管(可控硅)/模块

编号: C2970934

断态峰值电压(Vdrm): 600V

通态电流(It): 8A

浪涌电流: 80A@50Hz

门极平均耗散功率(PG(AV)): 1W

描述这些器件有通孔和表面贴装两种封装形式，适用于通用交流开关。它们可在静态继电器、加热调节、感应电动机启动电路等应用中用作开关功能，也可用于调光器和电机速度控制器等的相位控制操作。无缓冲器版本（BTA、BTB08_xxxxW 和 T8 系列）因其高换向性能，特别推荐用于感性负载

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BTB08-600CW

品牌: WEIDA(韦达)

封装: TO-252

类目: 晶闸管(可控硅)/模块

编号: C2901061

可控硅类型: 1个双向可控硅

断态峰值电压(Vdrm): 600V

通态电流(It): 8A

浪涌电流: 80A

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BTB08-800CW

品牌: WEIDA(韦达)

封装: TO-220

类目: 晶闸管(可控硅)/模块

编号: C2900905

可控硅类型: 1个双向可控硅

断态峰值电压(Vdrm): 800V

通态电流(It): 8A

浪涌电流: 80A

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BTB08-800TWRG

品牌: ST(意法半导体)

封装: TO-220AB

类目: 晶闸管(可控硅)/模块

编号: C2942988

断态峰值电压(Vdrm): 800V

通态电流(It): 8A

浪涌电流: 80A@50Hz

门极平均耗散功率(PG(AV)): 1W

描述8A标准和Snubberless 三端双向可控硅

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SMT补贴嘉立创库存9

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BTB08-600SWRG

品牌: ST(意法半导体)

封装: TO-220AB

类目: 晶闸管(可控硅)/模块

编号: C172712

断态峰值电压(Vdrm): 600V

通态电流(It): 8A

浪涌电流: 80A@50Hz

门极平均耗散功率(PG(AV)): 1W

描述8A标准和Snubberless 三端双向可控硅

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SMT补贴嘉立创库存208

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1+￥4.03
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现货: 208

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BTB08-600CWRG

品牌: ST(意法半导体)

封装: TO-220AB

类目: 晶闸管(可控硅)/模块

编号: C5224565

可控硅类型: 1个双向可控硅

断态峰值电压(Vdrm): 600V

通态电流(It): 8A

浪涌电流: 80A@50Hz

描述8A标准和Snubberless 三端双向可控硅

RoHS

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1+￥6.48
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50+￥4.55

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50个/管

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近期成交1单

BTB08-600BRG

品牌: ST(意法半导体)

封装: TO-220AB

类目: 晶闸管(可控硅)/模块

编号: C5269148

断态峰值电压(Vdrm): 600V

通态电流(It): 8A

浪涌电流: 80A@50Hz

门极平均耗散功率(PG(AV)): 1W

描述8A标准和Snubberless 三端双向可控硅

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SMT补贴嘉立创库存15

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BTB08E-800BW

品牌: KTP(科泰普)

封装: TO-263

类目: 晶闸管(可控硅)/模块

编号: C41415687

可控硅类型: 1个双向可控硅

断态峰值电压(Vdrm): 800V

通态电流(It): 8A

浪涌电流: 80A@50Hz

描述BTB08E-800BW 双向可控硅具有很强的抗大电流冲击负载能力，可提供高 dv/dt 速率，具有很强的抗电磁干扰能力。三象限产品具有高换向性能，推荐用于感性负载。

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SMT补贴嘉立创库存635

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5+￥1.2202
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现货: 635

1000个/圆盘

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BTB08-600TWRG

品牌: ST(意法半导体)

封装: TO-220AB

类目: 晶闸管(可控硅)/模块

编号: C2926452

断态峰值电压(Vdrm): 600V

通态电流(It): 8A

浪涌电流: 80A@50Hz

门极平均耗散功率(PG(AV)): 1W

描述8A标准和Snubberless 三端双向可控硅

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5+￥3.289
1000+￥2.7048

订货3-5个工作日

库存: 1932

增量: 1

最小包装: 1000个

个

总额￥0

BTB08-600CRG

品牌: ST(意法半导体)

封装: TO-220

类目: 晶闸管(可控硅)/模块

编号: C2942352

描述8A标准和Snubberless 三端双向可控硅

RoHS

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600+￥3.898344
1200+￥3.829952
1800+￥3.76156

订货15-17个工作日

库存: 3700

增量: 50

最小包装: 50个

个

总额￥0

预售商品

BTB08-600BW

品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装: TO-252-2L

类目: 晶闸管(可控硅)/模块

编号: C50275347

描述该双向可控硅模块的通态电流（It）为8A，断态峰值电压（Vdrm）为600V，内部集成一个双向可控硅芯片，适用于中等功率交流控制电路。器件可在600V高电压环境下可靠工作，持续通态电流达8A，具备良好的电压阻断能力和热稳定性。由于其双向导通特性，能够实现对交流负载全周期的精确控制，典型应用包括家用电器中的电热控制、照明调光、电机调速以及电源管理电路，适用于需要高效开关和功率调节的交流电力控制系统。

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1+￥1.2852
200+￥0.5129
500+￥0.4957
1000+￥0.4872

需订货

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预售商品

BTB08-800

品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装: TO-252-2L

类目: 晶闸管(可控硅)/模块

编号: C50275363

描述该双向可控硅模块具有8A的通态平均电流（It）和800V的断态重复峰值电压（Vdrm），采用单向隔离结构设计，适用于中等功率交流控制应用。器件内部集成一个双向可控硅，支持双向导通，可实现对交流电路的精确相位控制。常用于交流调光、电热控制、小型电机调速及电源开关电路中，适用于对空间和散热有要求的设备。其高耐压能力与稳定通流特性，确保在频繁开关和负载波动下可靠工作。

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