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4.5MHz,BiMOS运算放大器
CA3140EZ
品牌
RENESAS(瑞萨)/IDT
封装
DIP-8
类目
运算放大器
编号
C122729
放大器数
1
最大电源宽度(Vdd-Vss)
36V
增益带宽积(GBW)
4.5MHz
输入失调电压(Vos)
5mV

描述4.5MHz, BiMOS Operational Amplifier with MOSFET Input/Bipolar Output

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近期成交30单

BiMOS型高输入阻抗运算放大器
CA3140EZ-MS
品牌
MSKSEMI(美森科)
封装
DIP-8
类目
运算放大器
编号
C22462552
放大器数
1
最大电源宽度(Vdd-Vss)
36V
增益带宽积(GBW)
3.5MHz
输入失调电压(Vos)
5mV

描述采用先进的BiMOS工艺,输入阻抗(ZIN):典型值为 1.5TΩ,极低的失调电流(IIO):10pA@±15V,共模输入电压范围(VICR):-15V~12V,输出摆幅(VOPP):-14V~12V,采用SOP8贴片封装,因其卓越的性能,CA3140EZ-MS常用于精密测量仪器、医疗设备、数据采集系统、音频处理和工业控制等对精度有严苛要求的场合。

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近期成交16单

高输入阻抗运算放大器
CA3140EZ-HXY
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
DIP-8
类目
运算放大器
编号
C48677903
增益带宽积(GBW)
3.5MHz
输入失调电压(Vos)
5mV
输入失调电压温漂(Vos TC)
24uV/℃
压摆率(SR)
6V/us

描述此款单路运算放大器具备3.5MHz的增益带宽积(GBP),能够支持广泛的信号放大需求。其极低的输入偏置电流仅为20pA,使得它在处理微弱信号时表现出色,特别适合高阻抗信号源的应用。输入失调电压为5mV,确保了信号放大的精准度和稳定性。该运放的设计适用于需要精细信号调理的场合,如音频设备、传感器接口电路以及精确测量仪器等,提供可靠的性能表现与较高的应用灵活性。

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替代参考
高输入阻抗运算放大器
GT3140AN
品牌
XBLW(芯伯乐)
封装
DIP-8
类目
运算放大器
编号
C19267461
放大器数
1
增益带宽积(GBW)
3.5MHz
输入失调电压(Vos)
5mV
输入失调电压温漂(Vos TC)
24uV/℃

描述很宽的共模输入电压范围(VICR):-15V~12V,较大的输出摆幅(VOPP):-14V~12V,极低的失调电流(IIO):10pA@±15V,采用先进的BiMOS工艺技术,采用MOSFET输入,具有极高的输入阻抗(ZIN):典型值为1.5TΩ

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替代参考
4.5MHz,采用MOSFET输入/双极输出的BiMOS运算放大器
HT3140ANZ
品牌
HTCSEMI(海天芯)
封装
PDIP-8
类目
运算放大器
编号
C2874958
放大器数
1
最大电源宽度(Vdd-Vss)
36V
增益带宽积(GBW)
4.5MHz
输入失调电压(Vos)
5mV

描述4.5MHz ,采用BiMOS与MOSFET的输入运算放大器/双极性输出

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近期成交2单

替代参考
4.5MHz,采用MOSFET输入/双极输出的BiMOS运算放大器
XD3140
品牌
XINLUDA(信路达)
封装
DIP-8
类目
运算放大器
编号
C556272
放大器数
1
最大电源宽度(Vdd-Vss)
36V
增益带宽积(GBW)
4.5MHz
输入失调电压(Vos)
5mV

描述高速宽带运放 放大器组数:1 增益带宽积(GBP):4.5MHz 压摆率(SR):9 V/us 电源电压:4V ~ 36V 各通道供电电流:4mA 4.5MHz, BiMOS Operational Amplifier with MOSFET Input/Bipolar Output

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