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128 kb I2C CMOS串行EEPROM
CAT24C128WI-GT3
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-8
类目
EEPROM
编号
C81195
接口类型
I2C
存储容量
128Kbit
时钟频率(fc)
1MHz
写周期时间(Tw)
5ms

描述CAT24C128是一款128 kb的串行CMOS EEPROM,内部组织为16,384个8位字。它具有64字节的页写缓冲区,支持标准(100 kHz)、快速(400 kHz)和快速增强(1 MHz)I²C协议。

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SMT补贴嘉立创库存7439
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现货
6965

3000/圆盘

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近期成交98单

128Kbit I2C兼容串行EEPROM
CAT24C128WI-GT3-TUDI
品牌
TD(钍地半导体)
封装
SOP-8
类目
EEPROM
编号
C36533637
接口类型
I2C
存储容量
128Kbit
时钟频率(fc)
100kHz~1MHz
写周期时间(Tw)
3ms

描述AT24C128/CAT24C128提供131,072位的串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM),内部组织为16,384个8位字。设备支持1.7V到5.5V的工作电压,具有硬件数据保护功能,支持64字节页写模式,写周期寿命为1,000,000次,数据保留时间为40年。

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2500/圆盘

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CAT24C128WIGT3JN
CAT24C128WIGT3JN
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOIC-8
类目
EEPROM
编号
C890352
接口类型
I2C
存储容量
128Kbit
功能特性
内置上电复位(POR);硬件写保护功能;噪声抑制功能;内置错误纠正码(ECC)功能
工作电压
1.8V~5.5V

RoHS

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替代参考
128Kbit 串行EEPROM
AT24C128-HXY
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
SOP-8
类目
EEPROM
编号
C18198381
接口类型
I2C
存储容量
128Kbit
时钟频率(fc)
1MHz
写周期时间(Tw)
5ms

描述AT24C128是一款128K位的2线串行读/写非易失性存储器,适用于低功耗和低电压应用。支持最多8个设备连接到同一2线总线上。

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SMT补贴嘉立创库存2469
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替代参考
两线串行EEPROM,128K(8bit 宽)
24C128BN(XBLW)
品牌
XBLW(芯伯乐)
封装
SOP-8
类目
EEPROM
编号
C19708136
接口类型
I2C
存储容量
128Kbit
时钟频率(fc)
1MHz
写周期时间(Tw)
5ms

描述24C128系列是131,072位串行电可擦可编程只读存储器(EEPROM),组织为16,384个8位字。这些设备采用先进的CMOS工艺制造,适用于低功耗和低电压应用。提供标准8引脚DIP、8引脚SOP、8引脚MSOP、8引脚TSSOP和8引脚DFN封装。标准2线双向串行接口用于所有读写功能。扩展的VCC范围(1.8V至5.5V)使应用范围广泛。

RoHSSMT扩展库

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替代参考
EEPROM
AT24C128CDR140
品牌
GMIC(绿微)
封装
SOP-8
类目
EEPROM
编号
C51026304
接口类型
I2C
存储容量
128Kbit
时钟频率(fc)
1MHz
写周期时间(Tw)
5ms

描述24C128是一款提供128K比特位串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM),存储器的结构为16384x8比特,内部分为256页,每页64字节。IC接口,应用于低功耗、低电压等系统。主要特点包括写保护引脚提供硬件数据保护,宽工作电压范围1.8V~5.5V,两线串行接口,400kHz(1.8V~2.5V)和1MHz(2.5V~5.5V)时钟范围,64-byte页写,自定时写周期(最大5ms),高可靠性:擦写次数100万次,数据保存100年。

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