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- 场效应管(MOSFET)
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价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 60A
- 导通电阻(RDS(on))
- 3.8mΩ@10V
描述CSD17581Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、4.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 收藏
- 对比
- ￥4.79
- ￥4.08
- ￥3.57
- ￥3.16
- ￥3.03
现货最快4小时发货
- 现货
- 500
250个/圆盘
个
总额￥0
近期成交36单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 101A
- 导通电阻(RDS(on))
- 4.7mΩ@4.5V
描述CSD17581Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、4.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 收藏
- 对比
- ￥5.27
- ￥4.3
- ￥3.81
- ￥3.32
现货最快4小时发货
- 现货
- 238
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交23单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 60A
- 导通电阻(RDS(on))
- 5mΩ@2.5V
描述台积电流片，长电科技封装；DFN8(3X3)；N—Channel沟道,30V；60A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V；Vth=0.5~1.5V；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。
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个
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