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NPN 电流:10A 电压:80V
D44H11
品牌
ST(意法半导体)
封装
TO-220
类目
三极管(BJT)
编号
C10617
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
10A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
50W

描述互补功率晶体管

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近期成交52单

MJD44H11T4G
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-252(DPAK)
类目
三极管(BJT)
编号
C38780
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
8A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
20W

描述该双极功率晶体管适用于通用电源和切换输出,或开关稳压器、转换器和功率放大器应用中的驱动器级。

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近期成交100单+

NPN 电流:8A 电压:80V
MJD44H11T4
品牌
ST(意法半导体)
封装
DPAK
类目
三极管(BJT)
编号
C138779
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
8A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
20W

描述低压NPN功率晶体管

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近期成交46单

NPN 电流:8A 电压:80V
MJD44H11T4G
品牌
JSMSEMI(杰盛微)
封装
TO-252
类目
三极管(BJT)
编号
C41421810
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
8A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
50W

描述适用于大功率开关电路与中等放大需求,是工业控制、电源转换等领域不可或缺的半导体元件。

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  • 1.5677
  • 1.2152
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2500/圆盘

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近期成交28单

NPN 电流:8A 电压:80V
MJD44H11G
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-252(DPAK)
类目
三极管(BJT)
编号
C36608
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
8A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
20W

描述该双极功率晶体管适用于通用电源和切换输出,或开关稳压器、转换器和功率放大器应用中的驱动器级。

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  • 2.87
  • 2.7
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75/

总额0

近期成交68单

NPN 电流:8A 电压:80V
MJD44H11
品牌
GOODWORK(固得沃克)
封装
TO-252
类目
三极管(BJT)
编号
C48580718
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
8A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
1.75W

描述NPN (hFE):60

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1850

2500/圆盘

总额0

近期成交41单

NPN 电流:10A 电压:80V
D44H11G
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-220
类目
三极管(BJT)
编号
C88479
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
10A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
70W

描述这些塑料 NPN 和 PNP 功率晶体管系列可在开关稳压器、转换器和功率放大器等应用中用作通用功率放大和开关,如输出和驱动器级。

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近期成交32单

MJD44H11RLG
MJD44H11RLG
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-252-2(DPAK)
类目
三极管(BJT)
编号
C233694
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
8A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
1.75W

描述该双极功率晶体管适用于通用电源和切换输出,或开关稳压器、转换器和功率放大器应用中的驱动器级。

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  • 3.91
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  • 2.23
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1800/圆盘

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近期成交13单

NPN 电流:8A 电压:80V
MJD44H11J
品牌
Nexperia(安世)
封装
DPAK
类目
三极管(BJT)
编号
C551528
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
8A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
20W

描述PNP高功率双极晶体管,采用功率DPAK、TO-252(SOT428C)表面贴装器件(SMD)塑料封装。PNP互补型号:MJD45H11

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  • 1.5
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2500/圆盘

总额0

近期成交26单

NPN 电流:8A 电压:80V
MJD44H11T4G-DW
品牌
DOWO(东沃)
封装
TO-252
类目
三极管(BJT)
编号
C49195056
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
8A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
20W

描述特性:低集电极-发射极饱和电压。 快速开关速度。 互补型号为MJD44H11。 标记:MJD44H11。应用:功率放大器。 开关电路

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1805

2500/圆盘

总额0

近期成交5单

8A 80V
MJD44H11T4G-CN
品牌
ChipNobo(无边界)
封装
TO-252
类目
三极管(BJT)
编号
C49006717
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
8A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
20W

描述封装: TO-252-2(DPAK) 晶体管类型: NPN 集电极电流(Ic):1000mA 集射极击穿电压(Vceo):80V 功率: 20W

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  • 1.1978
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1995

2500/圆盘

总额0

近期成交2单

MJD44H11
MJD44H11
品牌
CJ(江苏长电/长晶)
封装
TO-252-2L
类目
三极管(BJT)
编号
C51886699
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
8A
集射极击穿电压(Vceo)
60V
耗散功率(Pd)
1.8W

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  • 2
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450

2500/圆盘

总额0

近期成交2单

NPN 电流:8A 电压:80V
MJD44H11AJ
品牌
Nexperia(安世)
封装
DPAK
类目
三极管(BJT)
编号
C3198528
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
8A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
1.75W

描述采用功率DPAK、TO - 252(SOT428C)表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN型高功率双极晶体管。PNP互补型号:MJD45H11A

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SMT补贴嘉立创库存96
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  • 1.48
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10

2500/圆盘

总额0

近期成交1单

NPN 电流:8A 电压:80V
MJD44H11
品牌
SPTECH(深圳质超)
封装
TO-252(DPAK)
类目
三极管(BJT)
编号
C18547824
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
8A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
20W

描述NPN 20W 耐压:80V 电流:8A 设计用于通用功率放大和开关,如输出或驱动级,如开关调节器、转换器和功率放大器

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SMT补贴嘉立创库存71
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  • 4.83
  • 3.97
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  • 2.44
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现货
69

80/

总额0

近期成交5单

NPN 电流:10A 电压:80V
D44H11
品牌
SPTECH(深圳质超)
封装
TO-220C
类目
三极管(BJT)
编号
C480203
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
10A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
50W

描述设计用于通用功率放大和开关,如输出或驱动级,如开关调节器、转换器和功率放大器

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SMT补贴嘉立创库存36
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36

50/

总额0

近期成交2单

NPN 电流:8A 电压:80V
MJD44H11A
品牌
Nexperia(安世)
封装
DPAK
类目
三极管(BJT)
编号
C551529
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
8A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
20W

描述采用功率DPAK、TO - 252(SOT428C)表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN型高功率双极晶体管。PNP互补型号:MJD45H11A

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SMT补贴嘉立创库存479
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  • 2.1625
  • 1.6988
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  • 1.1418
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2500/圆盘

总额0

近期成交10单

NPN 电流:8A 电压:80V
MJD44H11
品牌
Nexperia(安世)
封装
TO-252
类目
三极管(BJT)
编号
C5311576
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
8A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
20W

描述采用功率 DPAK、TO - 252(SOT428C)表面贴装器件(SMD)塑料封装的 NPN 高功率双极晶体管。PNP 互补型号:MJD45H11A。

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SMT补贴嘉立创库存129
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  • 3.36
  • 2.73
  • 2.46
  • 2.12
  • 1.97
  • 1.88
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2500/圆盘

总额0

近期成交7单

NPN 电流:8A 电压:80V
MJD44H11-1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-251(IPAK)
类目
三极管(BJT)
编号
C5439
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
8A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
20W

描述设计用于通用电源和开关,如开关稳压器、转换器和功率放大器等应用中的输出或驱动级。

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SMT补贴嘉立创库存14
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  • 3.68
  • 2.95
  • 2.58
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  • 1.99
  • 1.88
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现货
5

75/

总额0

近期成交5单

NPN 电流:8A 电压:80V
NJVMJD44H11T4G
品牌
onsemi(安森美)
封装
DPAK
类目
三极管(BJT)
编号
C604165
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
8A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
20W

描述该双极功率晶体管适用于通用电源和切换输出,或开关稳压器、转换器和功率放大器应用中的驱动器级。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存40
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  • 对比
  • 3.55
  • 3.49
  • 3.45
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2500/圆盘

总额0

近期成交8单

NJVMJD44H11RLG
NJVMJD44H11RLG
品牌
onsemi(安森美)
封装
DPAK-3
类目
三极管(BJT)
编号
C231276
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
8A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
20W

描述该双极功率晶体管适用于通用电源和切换输出,或开关稳压器、转换器和功率放大器应用中的驱动器级。

RoHS

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  • 2.1186
订货65-67个工作日
库存
97K+
增量
1800
最小包装
1800个

总额0

电流:8A 电压:80V
MJD44H11T4-A
品牌
ST(意法半导体)
封装
DPAK
类目
三极管(BJT)
编号
C2971148
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
8A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
20W

描述互补功率晶体管

RoHS

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  • 1.8468
  • 1.8144
  • 1.782
订货7-9个工作日
库存
15K
增量
2500
最小包装
2500个

总额0

NPN 电流:8A 电压:80V
NJVMJD44H11T4G-VF01
品牌
onsemi(安森美)
封装
DPAK
类目
三极管(BJT)
编号
C154569
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
8A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
20W

描述设计用于通用功率和开关,如开关稳压器、转换器和功率放大器中的输出或驱动级。

RoHSSMT扩展库

私有库下单最高享92折
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  • 6.23
  • 5.08
  • 4.5
  • 3.93
  • 3.59
  • 3.41
需订货
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2500/圆盘

总额0

近期成交1单

NJVMJD44H11T4
品牌
onsemi(安森美)
封装
DPAK
类目
三极管(BJT)
编号
C3198526
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
8A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
1.75W

SMT扩展库

私有库下单最高享92折
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  • 17.13
  • 6.63
  • 6.4
  • 6.28
需订货
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2500/圆盘

总额0

MJD44H11TF
品牌
onsemi(安森美)
封装
DPAK
类目
三极管(BJT)
编号
C3198552
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
8A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
1.75W

SMT扩展库

私有库下单最高享92折
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  • 对比
  • 17.13
  • 6.63
  • 6.4
  • 6.28
需订货
现货
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2500/圆盘

总额0

MJD44H11TM
MJD44H11TM
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-252-3(DPAK)
类目
三极管(BJT)
编号
C3201090
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
8A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
1.75W

RoHS

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  • 对比
  • 4.288537
  • 3.812033
  • 3.113161
  • 2.668424
订货1-3个工作日
库存
1169
增量
1
最小包装
2500个

总额0

NJVMJD44H11G
NJVMJD44H11G
品牌
onsemi(安森美)
封装
DPAK
类目
三极管(BJT)
编号
C897511
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
8A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
1.75W

描述该双极功率晶体管适用于通用电源和切换输出,或开关稳压器、转换器和功率放大器应用中的驱动器级。

RoHS

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  • 对比
  • 2.65128
订货65-67个工作日
库存
64K+
增量
75
最小包装
75个

总额0

MJD44H11T5G
品牌
onsemi(安森美)
封装
DPAK
类目
三极管(BJT)
编号
C904238
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
8A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
20W

描述该双极功率晶体管适用于通用电源和切换输出,或开关稳压器、转换器和功率放大器应用中的驱动器级。

SMT扩展库

私有库下单最高享92折
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  • 3.77
  • 1.46
  • 1.41
  • 1.39
需订货
现货
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2500/圆盘

总额0

MJD44H11
品牌
onsemi(安森美)
封装
DPAK
类目
三极管(BJT)
编号
C3198522
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
8A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
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NJVMJD44H11RLG-VF01
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品牌
onsemi(安森美)
封装
DPAK
类目
三极管(BJT)
编号
C900625

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NJVMJD44H11D3T4G
品牌
onsemi(安森美)
封装
DPAK
类目
三极管(BJT)
编号
C904732
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
8A
集射极击穿电压(Vceo)
80V
耗散功率(Pd)
20W

描述该双极功率晶体管适用于通用电源和切换输出,或开关稳压器、转换器和功率放大器应用中的驱动器级。

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