D44H11_D44H11采购信息-立创电子元器件商城-第2页

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- 三极管(BJT)
- 数字晶体管
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- onsemi(安森美)
- Nexperia(安世)
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D44H11

品牌: ST(意法半导体)

封装: TO-220

类目: 三极管(BJT)

编号: C10617

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 10A

集射极击穿电压(Vceo): 80V

耗散功率(Pd): 50W

描述互补功率晶体管

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1+￥2.88
10+￥2.25
30+￥1.98
100+￥1.64
500+￥1.49
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现货: 11K+

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近期成交53单

爆款

MJD44H11T4G

品牌: onsemi(安森美)

封装: TO-252(DPAK)

类目: 三极管(BJT)

编号: C38780

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 8A

集射极击穿电压(Vceo): 80V

耗散功率(Pd): 20W

描述该双极功率晶体管适用于通用电源和切换输出，或开关稳压器、转换器和功率放大器应用中的驱动器级。

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1+￥2.33
10+￥1.81
30+￥1.56
100+￥1.33
500+￥1.27
1000+￥1.23

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现货: 31K+

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近期成交100单+

MJD44H11J

品牌: Nexperia(安世)

封装: DPAK

类目: 三极管(BJT)

编号: C551528

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 8A

集射极击穿电压(Vceo): 80V

耗散功率(Pd): 20W

描述PNP高功率双极晶体管，采用功率DPAK、TO-252（SOT428C）表面贴装器件（SMD）塑料封装。PNP互补型号：MJD45H11

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5+￥2.1855
50+￥1.6963
150+￥1.4867
500+￥1.2251
2500+￥1.1086
5000+￥1.0387

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现货: 94K+

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近期成交38单

MJD44H11T4

品牌: ST(意法半导体)

封装: DPAK

类目: 三极管(BJT)

编号: C138779

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 8A

集射极击穿电压(Vceo): 80V

耗散功率(Pd): 20W

描述低压NPN功率晶体管

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1+￥2.55
10+￥2.04
30+￥1.81
100+￥1.54
500+￥1.41
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现货: 15K+

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近期成交49单

MJD44H11G

品牌: onsemi(安森美)

封装: TO-252(DPAK)

类目: 三极管(BJT)

编号: C36608

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 8A

集射极击穿电压(Vceo): 80V

耗散功率(Pd): 20W

描述该双极功率晶体管适用于通用电源和切换输出，或开关稳压器、转换器和功率放大器应用中的驱动器级。

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SMT补贴嘉立创库存2852

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1+￥5.77
10+￥4.67
30+￥4.12
100+￥3.24
500+￥2.92
1000+￥2.75

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现货: 2430

75个/管

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近期成交92单

MJD44H11T4G

品牌: JSMSEMI(杰盛微)

封装: TO-252

类目: 三极管(BJT)

编号: C41421810

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 8A

集射极击穿电压(Vceo): 80V

耗散功率(Pd): 50W

描述适用于大功率开关电路与中等放大需求，是工业控制、电源转换等领域不可或缺的半导体元件。

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SMT补贴嘉立创库存5134

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5+￥1.5677
50+￥1.2152
150+￥1.0641
500+￥0.8757
2500+￥0.8687

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现货: 3575

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近期成交58单

MJD44H11

品牌: CJ(江苏长电/长晶)

封装: TO-252-2L

类目: 三极管(BJT)

编号: C51886699

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 8A

集射极击穿电压(Vceo): 60V

耗散功率(Pd): 1.8W

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SMT补贴嘉立创库存4853

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1+￥2.53
10+￥2
30+￥1.78
100+￥1.5
500+￥1.37
1000+￥1.3

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现货: 4748

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近期成交15单

MJD44H11

品牌: GOODWORK(固得沃克)

封装: TO-252

类目: 三极管(BJT)

编号: C48580718

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 8A

集射极击穿电压(Vceo): 80V

耗散功率(Pd): 1.75W

描述NPN (hFE):60

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5+￥1.576
50+￥1.2484
150+￥1.108
500+￥0.9328
2500+￥0.8548
5000+￥0.808

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现货: 1905

2500个/圆盘

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近期成交43单

MJD44H11AJ

品牌: Nexperia(安世)

封装: DPAK

类目: 三极管(BJT)

编号: C3198528

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 8A

集射极击穿电压(Vceo): 80V

耗散功率(Pd): 1.75W

描述采用功率DPAK、TO - 252（SOT428C）表面贴装器件（SMD）塑料封装的NPN型高功率双极晶体管。PNP互补型号：MJD45H11A

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SMT补贴嘉立创库存2596

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对比

1+￥4.15
10+￥3.13
30+￥2.69
100+￥2.15
500+￥1.91
1000+￥1.76

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现货: 2573

2500个/圆盘

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近期成交11单

互补功率晶体管，适用于通用功率和开关应用，具有低集电极发射极饱和电压、快速开关速度等特点

MJD44H11RLG

品牌: onsemi(安森美)

封装: TO-252-2(DPAK)

类目: 三极管(BJT)

编号: C233694

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 8A

集射极击穿电压(Vceo): 80V

耗散功率(Pd): 1.75W

描述该双极功率晶体管适用于通用电源和切换输出，或开关稳压器、转换器和功率放大器应用中的驱动器级。

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SMT补贴嘉立创库存1035

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1+￥4.54
10+￥3.81
30+￥3.45
100+￥3.08
500+￥2.87
1000+￥2.76

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现货: 1031

1800个/圆盘

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近期成交13单

D44H11G

品牌: onsemi(安森美)

封装: TO-220

类目: 三极管(BJT)

编号: C88479

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 10A

集射极击穿电压(Vceo): 80V

耗散功率(Pd): 70W

描述这些塑料 NPN 和 PNP 功率晶体管系列可在开关稳压器、转换器和功率放大器等应用中用作通用功率放大和开关，如输出和驱动器级。

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SMT补贴嘉立创库存836

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1+￥4.41
10+￥3.71
50+￥2.42
100+￥2.07
500+￥1.86
1000+￥1.75

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现货: 836

50个/管

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近期成交37单

MJD44H11-1G

品牌: onsemi(安森美)

封装: TO-251(IPAK)

类目: 三极管(BJT)

编号: C5439

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 8A

集射极击穿电压(Vceo): 80V

耗散功率(Pd): 20W

描述设计用于通用电源和开关，如开关稳压器、转换器和功率放大器等应用中的输出或驱动级。

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SMT补贴嘉立创库存392

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对比

1+￥3.62
10+￥2.89
30+￥2.52
75+￥2.15
525+￥1.93
975+￥1.82

现货最快4小时发货

现货: 358

75个/管

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近期成交21单

MJD44H11T4G-DW

品牌: DOWO(东沃)

封装: TO-252

类目: 三极管(BJT)

编号: C49195056

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 8A

集射极击穿电压(Vceo): 80V

耗散功率(Pd): 20W

描述特性：低集电极-发射极饱和电压。快速开关速度。互补型号为MJD44H11。标记：MJD44H11。应用：功率放大器。开关电路

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1610

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对比

5+￥1.3085
50+￥1.0365
150+￥0.9199
500+￥0.7745

现货最快4小时发货

现货: 1610

2500个/圆盘

个

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近期成交9单

MJD44H11A

品牌: Nexperia(安世)

封装: DPAK

类目: 三极管(BJT)

编号: C551529

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 8A

集射极击穿电压(Vceo): 80V

耗散功率(Pd): 20W

描述采用功率DPAK、TO - 252（SOT428C）表面贴装器件（SMD）塑料封装的NPN型高功率双极晶体管。PNP互补型号：MJD45H11A

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SMT补贴嘉立创库存209

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对比

5+￥2.196
50+￥1.7323
150+￥1.5336
500+￥1.2857
2500+￥1.1753
5000+￥1.109

现货最快4小时发货

现货: 125

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交7单

MJD44H11T4G-CN

品牌: ChipNobo(无边界)

封装: TO-252

类目: 三极管(BJT)

编号: C49006717

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 8A

集射极击穿电压(Vceo): 80V

耗散功率(Pd): 20W

描述封装: TO-252-2(DPAK) 晶体管类型: NPN 集电极电流(Ic):1000mA 集射极击穿电压(Vceo):80V 功率: 20W

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1935

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对比

7折

5+￥1.06092
50+￥0.83846
150+￥0.74319
500+￥0.62426
2500+￥0.57127
5000+￥0.53949

现货最快4小时发货

现货: 1935

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交2单

NJVMJD44H11T4G

品牌: onsemi(安森美)

封装: DPAK

类目: 三极管(BJT)

编号: C604165

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 8A

集射极击穿电压(Vceo): 80V

耗散功率(Pd): 20W

描述该双极功率晶体管适用于通用电源和切换输出，或开关稳压器、转换器和功率放大器应用中的驱动器级。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存66

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对比

1+￥6.28
10+￥5.07
30+￥4.46

现货最快4小时发货

现货: 1

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交13单

D44H11

品牌: SPTECH(深圳质超)

封装: TO-220C

类目: 三极管(BJT)

编号: C480203

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 10A

集射极击穿电压(Vceo): 80V

耗散功率(Pd): 50W

描述设计用于通用功率放大和开关，如输出或驱动级，如开关调节器、转换器和功率放大器

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存36

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对比

9.5折

1+￥3.2395
10+￥2.5745
50+￥2.166
100+￥1.805
500+￥1.653
1000+￥1.558

现货最快4小时发货

现货: 36

50个/管

个

总额￥0

近期成交2单

MJD44H11

品牌: SPTECH(深圳质超)

封装: TO-252(DPAK)

类目: 三极管(BJT)

编号: C18547824

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 8A

集射极击穿电压(Vceo): 80V

耗散功率(Pd): 20W

描述NPN 20W 耐压:80V 电流:8A 设计用于通用功率放大和开关，如输出或驱动级，如开关调节器、转换器和功率放大器

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存71

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对比

9.5折

1+￥4.5885
10+￥3.7715
30+￥3.363
80+￥2.5555
480+￥2.318
800+￥2.1945

现货最快4小时发货

现货: 70

80个/管

个

总额￥0

近期成交2单

MJD44H11

品牌: Nexperia(安世)

封装: TO-252

类目: 三极管(BJT)

编号: C5311576

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 8A

集射极击穿电压(Vceo): 80V

耗散功率(Pd): 20W

描述采用功率 DPAK、TO - 252（SOT428C）表面贴装器件（SMD）塑料封装的 NPN 高功率双极晶体管。PNP 互补型号：MJD45H11A。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存89

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对比

1+￥3.36
10+￥2.73
30+￥2.46
100+￥2.12
500+￥1.97
1000+￥1.88

需订货

现货: 0

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交6单

NJVMJD44H11RLG

品牌: onsemi(安森美)

封装: DPAK-3

类目: 三极管(BJT)

编号: C231276

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 8A

集射极击穿电压(Vceo): 80V

耗散功率(Pd): 20W

描述该双极功率晶体管适用于通用电源和切换输出，或开关稳压器、转换器和功率放大器应用中的驱动器级。

RoHS

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对比

1800+￥2.728127

订货10-14个工作日

库存: 1800

增量: 1800

最小包装: 1800个

个

总额￥0

MJD44H11T4-A

品牌: ST(意法半导体)

封装: DPAK

类目: 三极管(BJT)

编号: C2971148

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 8A

集射极击穿电压(Vceo): 80V

耗散功率(Pd): 20W

描述互补功率晶体管

RoHS

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对比

2500+￥2.311618

订货10-14个工作日

库存: 815K

增量: 2500

最小包装: 2500个

个

总额￥0

NJVMJD44H11T4G-VF01

品牌: onsemi(安森美)

封装: DPAK

类目: 三极管(BJT)

编号: C154569

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 8A

集射极击穿电压(Vceo): 80V

耗散功率(Pd): 20W

描述设计用于通用功率和开关，如开关稳压器、转换器和功率放大器中的输出或驱动级。

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对比

预售商品

NJVMJD44H11T4

品牌: onsemi(安森美)

封装: DPAK

类目: 三极管(BJT)

编号: C3198526

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 8A

集射极击穿电压(Vceo): 80V

耗散功率(Pd): 1.75W

SMT扩展库

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对比

1+￥17.13
200+￥6.63
500+￥6.4
1000+￥6.28

需订货

现货: 0

2500个/圆盘

个

总额￥0

预售商品

MJD44H11TF

品牌: onsemi(安森美)

封装: DPAK

类目: 三极管(BJT)

编号: C3198552

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 8A

集射极击穿电压(Vceo): 80V

耗散功率(Pd): 1.75W

SMT扩展库

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对比

1+￥17.13
200+￥6.63
500+￥6.4
1000+￥6.28

需订货

现货: 0

2500个/圆盘

个

总额￥0

预售商品

MJD44H11TM

品牌: onsemi(安森美)

封装: TO-252-3(DPAK)

类目: 三极管(BJT)

编号: C3201090

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 8A

集射极击穿电压(Vceo): 80V

耗散功率(Pd): 1.75W

RoHSSMT扩展库

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对比

1+￥7.01
200+￥2.72
500+￥2.62
1000+￥2.57

需订货

现货: 0

2500个/圆盘

个

总额￥0

预售商品

NJVMJD44H11G

品牌: onsemi(安森美)

封装: DPAK

类目: 三极管(BJT)

编号: C897511

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 8A

集射极击穿电压(Vceo): 80V

耗散功率(Pd): 1.75W

描述该双极功率晶体管适用于通用电源和切换输出，或开关稳压器、转换器和功率放大器应用中的驱动器级。

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对比

1+￥4.28
200+￥1.66
500+￥1.6
1000+￥1.57

需订货

现货: 0

75个/管

个

总额￥0

预售商品

MJD44H11T5G

品牌: onsemi(安森美)

封装: DPAK

类目: 三极管(BJT)

编号: C904238

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 8A

集射极击穿电压(Vceo): 80V

耗散功率(Pd): 20W

描述该双极功率晶体管适用于通用电源和切换输出，或开关稳压器、转换器和功率放大器应用中的驱动器级。

SMT扩展库

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对比

1+￥3.77
200+￥1.46
500+￥1.41
1000+￥1.39

需订货

现货: 0

2500个/圆盘

个

总额￥0

MJD44H11

品牌: onsemi(安森美)

封装: DPAK

类目: 三极管(BJT)

编号: C3198522

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 8A

集射极击穿电压(Vceo): 80V

耗散功率(Pd): 20W

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对比

NJVMJD44H11RLG-VF01

品牌: onsemi(安森美)

封装: DPAK

类目: 三极管(BJT)

编号: C900625

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对比

NJVMJD44H11D3T4G

品牌: onsemi(安森美)

封装: DPAK

类目: 三极管(BJT)

编号: C904732

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 8A

集射极击穿电压(Vceo): 80V

耗散功率(Pd): 20W

描述该双极功率晶体管适用于通用电源和切换输出，或开关稳压器、转换器和功率放大器应用中的驱动器级。

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对比

型号/品牌/封装/类目

参数/描述

优惠券/标签

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