- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- ElecSuper(静芯)
- VBsemi(微碧半导体)
- HUASHUO(华朔)
- GOODWORK(固得沃克)
- FUXINSEMI(富芯森美)
- KUU
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- Siliup(矽普)
- DIODES(美台)
多选 - 封装
- SOT-523(SC-75)
- 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 630mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 300mΩ@4.5V；400mΩ@2.5V；500mΩ@1.8V
描述N沟道,20V,0.63A,0.4Ω@4.5V
- 收藏
- 对比
- ￥0.3885
- ￥0.3135
- ￥0.276
- ￥0.2479
- ￥0.2254
- ￥0.2141
- 现货
- 119K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 500mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 700mΩ@4.5V
描述栅极电荷：25nS@10V
- 收藏
- 对比
- ￥0.1681
- ￥0.1303
- ￥0.1093
- ￥0.0967
- ￥0.0857
- ￥0.0798
- 现货
- 6220
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交35单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 1.2A
- 导通电阻(RDS(on))
- 150mΩ@4.5V；200mΩ@2.5V
描述DMG1012T - 7(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路
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- 对比
- ￥0.1588
- ￥0.1237
- ￥0.1042
- ￥0.0925
- ￥0.0824
- ￥0.0769
- 现货
- 860
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交13单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 800mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 180mΩ@4.5V
描述这款消费级N沟道MOSFET采用超小型SOT-523封装，具备20V工作电压和0.8A电流承载能力，专为低功耗、高集成度的电子设备设计，实现高效电源管理与精确开关控制。
- 收藏
- 对比
- ￥0.136344
- ￥0.106002
- ￥0.089154
- ￥0.073164
- ￥0.064428
- ￥0.05967
- 现货
- 0
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交3单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 800mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 200mΩ@4.5V
描述1个N沟道 耐压:20V 电流:800mA
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- 对比
- ￥0.1189
- ￥0.093
- ￥0.0786
- ￥0.07
- ￥0.0625
- ￥0.0585
- 现货
- 4400
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交5单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 750mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 250mΩ@4.5V；350mΩ@2.5V
描述小电流MOSFET产品，N沟道，ESD防护，耐压：20V，电流：0.75A, Rdson：250mR
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- 对比
- ￥0.0851
- ￥0.0657
- ￥0.0578
- 现货
- 5700
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交3单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 1.2A
- 导通电阻(RDS(on))
- 150mΩ@4.5V；200mΩ@2.5V
描述带ESD防护，N沟道，20V，0.9A，125mΩ@4.5V；应用领域：开关电路，继电器，驱动器，高速信号线驱动，低边开关等。
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- 对比
- ￥0.1377
- ￥0.108
- ￥0.0915
- ￥0.0783
- ￥0.0697
- ￥0.0651
- 现货
- 940
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交11单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 700mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 270mΩ@4.5V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单N结构设计，采用Trench技术，适用于低功率、高效能和高可靠性要求的电路和模块。SC75-3；N—Channel沟道,20V；0.85A；RDS(ON)=270mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.5~1V；
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- 对比
- ￥0.46702
- ￥0.456855
- ￥0.45011
- ￥0.443365
- 现货
- 10
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交5单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 900mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 280mΩ@4.5V
描述HSST3134是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。HSST3134符合RoHS标准和绿色产品要求，且已通过全功能可靠性认证。
- 收藏
- 对比
- ￥0.2878
- ￥0.23
- ￥0.201
- ￥0.1611
- ￥0.1437
- ￥0.1351
- 现货
- 0
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 1.2A
- 导通电阻(RDS(on))
- 150mΩ@4.5V；200mΩ@2.5V
描述带ESD防护，N沟道，20V，0.9A，125mΩ@4.5V；应用领域：开关电路，继电器，驱动器，高速信号线驱动，低边开关等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.1433
- ￥0.1123
- ￥0.095
- ￥0.0819
- ￥0.0729
- ￥0.0681
- 现货
- 1060
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交13单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 1.2A
- 导通电阻(RDS(on))
- 150mΩ@4.5V
描述带ESD防护，N沟道，20V，0.9A，150mΩ@4.5V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.1344
- ￥0.1047
- ￥0.0882
- ￥0.0783
- ￥0.0697
- ￥0.0651
- 现货
- 0
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交6单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 700mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 620mΩ@2.5V
描述特性：高密度单元设计，实现超低导通电阻。高端开关。坚固可靠。ESD保护。应用：电池供电系统。电源转换电路
- 收藏
- 对比
- ￥0.07431
- ￥0.05919
- ￥0.05163
- ￥0.04596
- ￥0.04143
- ￥0.03918
- 现货
- 1220
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 880mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 220mΩ@4.5V
描述N/P极性：N @@漏源电压(V):20 @@漏源电流(A):0.88 @@阈值电压(V):0.75 @@导通电阻RDS(ON)@VGS 4.5V Type(mΩ):220 @@封装:SOT-523
- 收藏
- 对比
- ￥0.1344
- ￥0.1047
- ￥0.0882
- 现货
- 1720
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交2单
