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  • 库存交期

  • 操作

接口类型
SPI
晶振
外置
闹钟输出
静态电流(Iq)
1nA

描述涓流充电计时芯片包含实时时钟/日历和31字节的静态RAM。它通过简单的串行接口与微处理器通信。实时时钟/日历提供秒、分、时、日、日期、月和年信息。月末日期会自动调整少于31天的月份,包括闰年校正

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14K+

2500/圆盘

总额0

近期成交100单+

涓流充电计时芯片
DS1302ZN
品牌
HGSEMI(华冠)
封装
DIP-8
类目
实时时钟(RTC)
编号
C910858
接口类型
三线接口
晶振
外置
静态电流(Iq)
100nA
耗散功率(Pd)
0.001mW

描述工业级 具有涓细电流充电能力的低功耗实时时钟芯片

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SMT补贴嘉立创库存145
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130

50/

总额0

近期成交58单

带涓流充电的时钟芯片
DS1302ZN+
品牌
ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)
封装
SO-8
类目
实时时钟(RTC)
编号
C1520462
接口类型
三线串行接口
晶振
外置
闹钟输出
静态电流(Iq)
1nA

描述包含实时时钟/日历和31字节的静态RAM。它通过简单的串行接口与微处理器通信。实时时钟/日历提供秒、分钟、小时、星期、日期、月份和年份信息。月末日期会自动调整少于31天的月份,包括闰年校正

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SMT补贴嘉立创库存254
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  • 6.23
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185

100/

总额0

近期成交54单

工作电压: 2V~5.5V 工作温度: 0℃~+70℃
DS1302ZN-HXY
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
SOP-8
类目
实时时钟(RTC)
编号
C20616350
接口类型
三线接口
晶振
外置
静态电流(Iq)
100nA
功能特性
备份电源管理与电池充电;片内SRAM/NVRAM

描述这款实时时钟元器件,工作电压范围为2V至5.5V,适应各种环境。其工作温度从0℃至+70℃,确保稳定运行。高精度时钟功能,为您的设备提供精确的时间管理,适用于多种应用场景,确保时间同步,提升系统可靠性。

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SMT补贴嘉立创库存2342
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  • 2.322
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2337

2500/圆盘

总额0

近期成交89单

涓流充电计时电路
DS1302ZN-TD
品牌
TDSEMIC(拓电半导体)
封装
SOP-8
类目
实时时钟(RTC)
编号
C42421868
接口类型
SPI
晶振
外置
闹钟输出
静态电流(Iq)
100nA

描述消流充电计时电路包含一个实时时钟/日历和31字节的静态RAM,通过简单的串行接口与微处理器通讯。这个实时时钟/日历提供年月日、时分秒信息,对于少于31天的月份月末会自动调整,还有闰年校正。由于有一个AM/PM指示器,时钟可以工作在12小时制或者24小时制。除计时功能外,还有如下特点:双管脚主电源和备用电源,可编程消流充电器VCC1,还有31字节的暂存器。广泛应用于电话、传真、便携式仪器及电池供电的仪器仪表等产品领域。

RoHS

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  • 1.3093
  • 1.029
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2500

2500/圆盘

总额0

近期成交14单

涓流充电时钟芯片
DS1302ZN(LX)
品牌
LX(灵星芯微)
封装
SOP-8
类目
实时时钟(RTC)
编号
C41361213
晶振
外置
静态电流(Iq)
0.2uA
功能特性
备份电源管理与电池充电;片内SRAM/NVRAM
工作电压
2V~5.5V

描述DS1302是一款具有涓细电流充电能力的低功耗工业级实时时钟芯片

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  • 1.1264
  • 0.8845
  • 0.7808
  • 0.6514
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1635

4000/圆盘

总额0

近期成交14单

hFE:200-350,丝印:2T1 PNP 电流:500mA 电压:25V
S9012
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C20069129
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
500mA
集射极击穿电压(Vceo)
25V
耗散功率(Pd)
300mW

描述hFE:200-350,丝印:2T1

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SMT补贴嘉立创库存130K+
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128K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

LTV-357T-C
品牌
LITEON(光宝)
封装
SOP-4-2.54mm
类目
晶体管输出光耦
编号
C119091
输入类型
DC
输出类型
光电三极管
正向压降(Vf)
1.2V
输出电流
50mA

描述LTV357C 贴片光耦 SOP-4

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SMT补贴嘉立创库存91K+
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83K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

丝印:H4T 单向ESD 4.5V截止 峰值浪涌电流:185A@8/20us
H4V5H16U
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
DFN1610-2L
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C22395517
极性
单向
反向截止电压(Vrwm)
4.5V
钳位电压
15V
峰值脉冲电流(Ipp)
185A@8/20us

描述VC:15V@185A,CJ_Max:650pF,丝印:H4T

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SMT补贴嘉立创库存68K+
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  • 0.2003
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68K+

3000/圆盘

总额0

近期成交21单

丝印:H12T 单向ESD 12V截止 峰值浪涌电流:100A@8/20us
H12VH16U
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
DFN1610-2L
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C20615798
极性
单向
反向截止电压(Vrwm)
12V
钳位电压
25V
峰值脉冲电流(Ipp)
100A@8/20us

描述VC:25V@100A,CJ_Max:280pF,丝印:H12T

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SMT补贴嘉立创库存19K+
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19K+

3000/圆盘

总额0

近期成交30单

DC输入 隔离电压(rms):3750V
LTV-357T-B
品牌
LITEON(光宝)
封装
SOP-4-2.54mm
类目
晶体管输出光耦
编号
C33068
输入类型
DC
输出类型
光电三极管
正向压降(Vf)
1.2V
输出电流
50mA

描述LTV 357T B 贴片光耦 SOP-4

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SMT补贴嘉立创库存171K+
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170K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

电压:200V 电流:10A
MBRD10200T
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
TO-252
类目
肖特基二极管
编号
C3013396
二极管配置
1对共阴极
正向压降(Vf)
920mV@5A
直流反向耐压(Vr)
200V
整流电流
10A

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SMT补贴嘉立创库存2315
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2310

2500/圆盘

总额0

近期成交35单

5050幻彩透明 铜支架
GL5050RGB01H-T
品牌
Guiguang light(桂光光电)
封装
SMD5050-4P
类目
RGB LED(内置IC)
编号
C51933367
波长
G:515nm~530nm;R:610nm~630nm;B:460nm~475nm
发光强度
B:200mcd~300mcd;G:700mcd~1500mcd;R:300mcd~500mcd
PWM频率
4.5kHz
数据速率
800Kbit/s

描述5050幻彩透明 铜支架

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SMT补贴嘉立创库存100K+
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  • 0.1516
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广东仓
100K+

1000/圆盘

总额0

近期成交100单+

0603WAF1002T5E
品牌
UNI-ROYAL(厚声)
封装
0603
类目
贴片电阻
编号
C25804
电阻类型
厚膜电阻
阻值
10kΩ
精度
±1%
功率
100mW

描述小尺寸、重量轻。降低组装成本,与贴片机匹配。适用于波峰焊和回流焊

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SMT补贴嘉立创库存56KK+
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广东仓
39KK+

5000/圆盘

总额0

近期成交100单+

SOT-523塑料封装晶体管 PNP 电流:0.2A 电压:40V
MMBT3906T
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-523
类目
三极管(BJT)
编号
C45406499
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
150mW

描述SOT-523塑料封装晶体管

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3447
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9.6
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3350

3000/圆盘

总额0

近期成交53单

MMBT3904T
MMBT3904T
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SOT-523
类目
三极管(BJT)
编号
C52204676
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
150mW

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1522
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广东仓
1520

3000/圆盘

总额0

近期成交30单

MMBT3906T
MMBT3906T
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SOT-523
类目
三极管(BJT)
编号
C52204678
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
150mW

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2837
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广东仓
2820

3000/圆盘

总额0

近期成交10单

MMBT5551T
MMBT5551T
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SOT-523
类目
三极管(BJT)
编号
C52204677
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
600mA
集射极击穿电压(Vceo)
160V
耗散功率(Pd)
200mW

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2630
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  • 0.1375
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2620

3000/圆盘

总额0

近期成交9单

丝印:H10T 单向ESD 10V截止 峰值浪涌电流:72A@8/20us
H10VH16U
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
DFN1610-2L
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C20615797
极性
单向
反向截止电压(Vrwm)
10V
钳位电压
22V
峰值脉冲电流(Ipp)
72A@8/20us

描述VC:22V@72A,Cj_Typ:550pF,丝印:H10T

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3075
私有库下单最高享92折
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  • 0.1544
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广东仓
3070

3000/圆盘

总额0

近期成交14单

0603WAF1001T5E
品牌
UNI-ROYAL(厚声)
封装
0603
类目
贴片电阻
编号
C21190
电阻类型
厚膜电阻
阻值
1kΩ
精度
±1%
功率
100mW

描述小尺寸、重量轻。降低组装成本,与贴片机匹配。适用于波峰焊和回流焊

RoHSSMT基础库

SMT补贴嘉立创库存17KK+
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  • 对比
  • 0.0072
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  • 0.0041
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广东仓
8KK

5000/圆盘

总额0

近期成交100单+

SOT-523封装PNP晶体管
MMBT5401T
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-523
类目
三极管(BJT)
编号
C49383132
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
600mA
集射极击穿电压(Vceo)
150V
耗散功率(Pd)
150mW

描述SOT-523塑料封装晶体管

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2559
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  • 0.05328
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广东仓
2550

3000/圆盘

总额0

近期成交16单

0805W8F1002T5E
品牌
UNI-ROYAL(厚声)
封装
0805
类目
贴片电阻
编号
C17414
电阻类型
厚膜电阻
阻值
10kΩ
精度
±1%
功率
125mW

描述小尺寸、重量轻。降低组装成本,与贴片机匹配。适用于波峰焊和回流焊

RoHSSMT基础库

SMT补贴嘉立创库存16KK+
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  • 0.0136
  • 0.0111
  • 0.0086
  • 0.0079
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广东仓
9KK+

5000/圆盘

总额0

近期成交100单+

0603WAF1003T5E
品牌
UNI-ROYAL(厚声)
封装
0603
类目
贴片电阻
编号
C25803
电阻类型
厚膜电阻
阻值
100kΩ
精度
±1%
功率
100mW

描述小尺寸、重量轻。降低组装成本,与贴片机匹配。适用于波峰焊和回流焊

SMT基础库

SMT补贴嘉立创库存10KK+
私有库下单最高享92折
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  • 0.0069
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  • 0.0037
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广东仓
7KK+

5000/圆盘

总额0

近期成交100单+

0603WAF4701T5E
品牌
UNI-ROYAL(厚声)
封装
0603
类目
贴片电阻
编号
C23162
电阻类型
厚膜电阻
阻值
4.7kΩ
精度
±1%
功率
100mW

描述小尺寸、重量轻。降低组装成本,与贴片机匹配。适用于波峰焊和回流焊

SMT基础库

SMT补贴嘉立创库存13KK+
私有库下单最高享92折
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  • 0.0077
  • 0.0061
  • 0.0054
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  • 0.0041
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广东仓
9KK+

5000/圆盘

总额0

近期成交100单+

0805W8F1001T5E
品牌
UNI-ROYAL(厚声)
封装
0805
类目
贴片电阻
编号
C17513
电阻类型
厚膜电阻
阻值
1kΩ
精度
±1%
功率
125mW

描述小尺寸、重量轻。降低组装成本,与贴片机匹配。适用于波峰焊和回流焊

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0603WAF1000T5E
品牌
UNI-ROYAL(厚声)
封装
0603
类目
贴片电阻
编号
C22775
电阻类型
厚膜电阻
阻值
100Ω
精度
±1%
功率
100mW

描述小尺寸、重量轻。降低组装成本,与贴片机匹配。适用于波峰焊和回流焊

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0603WAF0000T5E
品牌
UNI-ROYAL(厚声)
封装
0603
类目
贴片电阻
编号
C21189
电阻类型
厚膜电阻
阻值
精度
±1%
功率
100mW

描述特性:小尺寸、轻重量。降低组装成本,适配贴片机。适用于波峰焊和回流焊。符合RoHS指令。无卤要求。应用:导航仪(GPS)。手机

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1N4148WS
品牌
CJ(江苏长电/长晶)
封装
SOD-323
类目
开关二极管
编号
C2128
二极管配置
独立式
正向压降(Vf)
1.25V@150mA
直流反向耐压(Vr)
100V
整流电流
150mA

描述丝印T4

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MCP6001T-I/OT
品牌
MICROCHIP(美国微芯)
封装
SOT-23-5
类目
运算放大器
编号
C116490
放大器数
1
最大电源宽度(Vdd-Vss)
6V
轨到轨
轨到轨输入,轨到轨输出
增益带宽积(GBP)
1MHz

描述MCP6001/2/4 系列运算放大器专门为通用应用而设计。该系列的增益带宽积(GBWP)为 1 MHz,相位裕度典型值为 90°。在连接 500 pF 容性负载时,其相位裕度典型值仍能保持在 45°

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MCP6002T-I/SN
品牌
MICROCHIP(美国微芯)
封装
SOIC-8
类目
运算放大器
编号
C7377
放大器数
2
最大电源宽度(Vdd-Vss)
7V
轨到轨
轨到轨输入,轨到轨输出
增益带宽积(GBP)
1MHz

描述双低功耗轨对轨运算放大器

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MCP6002T-I/SN
品牌
MICROCHIP(美国微芯)
封装
SOIC-8
批次
25+
立推售价
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库存
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