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操作
- 数量
- 1个NPN-预偏置
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述此系列数字晶体管用于替代一个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。
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- ￥0.3088
- ￥0.2584
- ￥0.2332
- ￥0.2043
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个
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- 数量
- 1个NPN-预偏置
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述特性：简化电路设计。 减少电路板空间和元件数量。 产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
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- 对比
- ￥0.1536
- ￥0.1221
- ￥0.1046
- ￥0.0911
- ￥0.082
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- 现货
- 36K+
3000个/圆盘
个
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近期成交41单
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
- 直流电流增益(hFE)
- 35
RoHS
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订货209-211个工作日
- 库存
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- 1
- 最小包装
- 3000个
个
总额￥0
替代参考
- 数量
- 1个NPN-预偏置
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：150mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：30@5mA,5V DTC114EE-F2-0000HF
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9.5折
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3000个/圆盘
个
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近期成交100单+
替代参考
- 数量
- 1个NPN-预偏置
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 耗散功率(Pd)
- 150mW
- 晶体管类型
- NPN
描述这款数字晶体管属于NPN型，具有稳定的电气性能，适用于多种电路设计。能够在中低压环境下提供可靠的开关作用或信号放大功能。适合驱动小型负载或者作为信号级放大元件，在音频处理、通信设备以及消费电子产品的小信号控制中有着广泛的应用。
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- 现货
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近期成交50单
替代参考
- 数量
- 1个NPN-预偏置
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 耗散功率(Pd)
- 150mW
描述数字晶体管的快速开关能力使其能够处理高速信号，同时其低功耗特性有助于延长电子设备的电池寿命。
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3000个/圆盘
个
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