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参数/描述
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价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个NPN-预偏置
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络：一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中，因此不再需要这些单独组件。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省板空间。
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- 对比
- ￥0.242
- ￥0.1887
- ￥0.162
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- 现货
- 1490
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交15单
- 数量
- 1个NPN-预偏置
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述这款全新系列的数字晶体管旨在替代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管，这两个电阻分别是基极串联电阻和基极 - 发射极电阻。BRT 通过将这些分立元件集成到单个器件中，从而省去了这些元件
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- 对比
- ￥0.1449
- ￥0.1129
- ￥0.0951
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- 现货
- 2800
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个NPN-预偏置
- 集电极电流(Ic)
- 30mA
- 耗散功率(Pd)
- 150mW
- 晶体管类型
- NPN
描述这款数字晶体管为NPN型，具备稳定的电气性能，其设计集射极击穿电压（Vceo）最高可达50V，适用于多种电子控制场景。该晶体管能够承载的最大集电极电流（Ic）为30mA，适合用于信号放大及开关电路中，能够有效确保信号传输的准确性和电路工作的可靠性。在消费电子产品及日常电子设备的设计与制造中，此款晶体管是实现高效能电路功能的理想选择。
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- ￥0.1548
- ￥0.1206
- ￥0.10161
- ￥0.09018
- ￥0.08028
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- 现货
- 20
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交4单
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
- 直流电流增益(hFE)
- 80
RoHS
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- 对比
- ￥0.14664
订货65-67个工作日
- 库存
- 1KK
- 增量
- 3000
- 最小包装
- 3000个
个
总额￥0
替代参考
- 数量
- 1个NPN-预偏置
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 耗散功率(Pd)
- 150mW
描述晶体管类型: NPN 集射极击穿电压(Vceo): 50V 集电极电流(Ic): 30mA
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- ￥0.1119
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- ￥0.0741
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- 现货
- 5650
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交23单
替代参考
- 数量
- 1个NPN-预偏置
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 耗散功率(Pd)
- 150mW
描述这款数字晶体管属于NPN型，具有稳定的电气性能，适用于多种电路设计。能够在中低压环境下提供可靠的开关作用或信号放大功能。适合驱动小型负载或者作为信号级放大元件，在音频处理、通信设备以及消费电子产品的小信号控制中有着广泛的应用。
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8.6折
- ￥0.117476
- ￥0.091934
- ￥0.077744
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- 现货
- 1940
3000个/圆盘
个
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近期成交2单
