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描述基于0.18-μm、6层金属闪存工艺,密度从240到2,210个逻辑单元(LE)(128到2,210个等效宏单元),具有8 Kbits非易失性存储。提供高I/O数量、快速性能,与其他CPLD架构相比适配性可靠。具有MultiVolt内核、用户闪存(UFM)块和增强的在系统可编程性(ISP),旨在降低成本和功耗,同时为总线桥接、I/O扩展、上电复位(POR)和顺序控制以及设备配置控制等应用提供可编程解决方案。
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