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耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间:15ns
ES1D-E3/61T
品牌
VISHAY(威世)
封装
SMA(DO-214AC)
类目
快恢复/高效率二极管
编号
C82648
正向压降(Vf)
920mV@1A
直流反向耐压(Vr)
200V
整流电流
1A
反向电流(Ir)
5uA

描述200V,1A,VF=0.92V@1A

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1800/圆盘

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近期成交100单+

耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间:35ns
ES1D
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SMA(DO-214AC)
类目
快恢复/高效率二极管
编号
C18199158
二极管配置
独立式
正向压降(Vf)
1V@1A
直流反向耐压(Vr)
200V
整流电流
1A

描述特性:低外形封装。 适合自动贴片。 玻璃钝化台面芯片结。 超快反向恢复时间。 低开关损耗,高效率。 高正向浪涌能力。应用:用于消费、计算机、汽车和电信领域的开关模式转换器和逆变器中的高频整流和续流应用

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60K+

5000/圆盘

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近期成交100单+

耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间:35ns
ES1DW
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SOD-123FL
类目
快恢复/高效率二极管
编号
C18199155
二极管配置
独立式
正向压降(Vf)
1V@1A
直流反向耐压(Vr)
200V
整流电流
1A

描述特性:低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化托盘芯片结。 超快反向恢复时间。 低开关损耗,高效率。 高正向浪涌能力。应用:用于消费、计算机、汽车和电信领域的开关模式转换器和逆变器中的高频整流和续流应用

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111K+

3000/圆盘

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近期成交100单+

ES1DB
ES1DB
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SMB
类目
快恢复/高效率二极管
编号
C52754286
二极管配置
1个独立式
正向压降(Vf)
1V@1A
直流反向耐压(Vr)
200V
整流电流
1A

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SMT补贴嘉立创库存28K+
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28K+

3000/圆盘

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近期成交6单

耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间:35ns
ES1D
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SMA(DO-214AC)
类目
快恢复/高效率二极管
编号
C445494
二极管配置
独立式
正向压降(Vf)
1V@1A
直流反向耐压(Vr)
200V
整流电流
1A

描述特性:塑料封装符合UL 94V-0阻燃等级。 适用于表面贴装应用。 低反向泄漏。 内置应力消除,适合自动化贴装。 高正向浪涌电流能力。 保证高温焊接:端子在250℃下可承受10秒。 玻璃钝化芯片结

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207K+

5000/圆盘

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近期成交100单+

耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间:35ns
ES1D
品牌
GOODWORK(固得沃克)
封装
SMA(DO-214AC)
类目
快恢复/高效率二极管
编号
C908653
二极管配置
独立式
正向压降(Vf)
950mV@1A
直流反向耐压(Vr)
200V
整流电流
1A

描述电压:200V 电流:1A适用于开关电源及高速整流与低损耗场合。

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SMT补贴嘉立创库存57K+
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57K+

2000/圆盘

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近期成交80单

耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间:35ns
ES1D
品牌
Slkor(萨科微)
封装
SMA(DO-214AC)
类目
快恢复/高效率二极管
编号
C513779
正向压降(Vf)
950mV@1A
直流反向耐压(Vr)
200V
整流电流
1A
反向电流(Ir)
5uA@200V

描述特性:低轮廓表面贴装封装。 玻璃钝化结。 超快速恢复时间,实现高效率。 塑料封装具有UL 94V-0阻燃等级。 高温焊接:引脚250℃/10秒。 符合RoHS标准

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SMT补贴嘉立创库存36K+
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36K+

2000/圆盘

总额0

近期成交69单

耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间:35ns
ES1D
品牌
晶导微电子
封装
SMA
类目
快恢复/高效率二极管
编号
C116492
二极管配置
独立式
正向压降(Vf)
1V@1A
直流反向耐压(Vr)
200V
整流电流
1A

描述特性:适用于表面贴装应用。 低外形封装。 玻璃钝化芯片结。 超快反向恢复时间。 符合EURoHS 2011/65/EU指令的无铅产品

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SMT补贴嘉立创库存88K+
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5000/圆盘

总额0

近期成交100单+

耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间:35ns
ES1DL
品牌
CJ(江苏长电/长晶)
封装
SOD-123FL
类目
快恢复/高效率二极管
编号
C2923901
二极管配置
独立式
正向压降(Vf)
950mV@1A
直流反向耐压(Vr)
200V
整流电流
1A

描述特性:正向平均电流(IF(AV)):1A。 重复峰值反向电压(VRRM):50V-600V。 高浪涌电流能力。 极性:色带表示阴极。应用:整流器

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SMT补贴嘉立创库存34K+
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34K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间:35ns
二极管配置
独立式
正向压降(Vf)
950mV@1A
直流反向耐压(Vr)
200V
整流电流
1A

描述特性:塑料封装符合UL 94V-0阻燃等级。 适用于表面贴装应用。 低反向泄漏电流。 内置应力消除,适合自动化贴装。 高正向浪涌电流能力。 保证高温焊接:在引脚处260℃/10秒

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SMT补贴嘉立创库存22K+
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22K+

3000/圆盘

总额0

近期成交54单

耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间:35ns
ES1D
品牌
TWGMC(迪嘉)
封装
SMA(DO-214AC)
类目
快恢复/高效率二极管
编号
C727088
二极管配置
独立式
正向压降(Vf)
1V@2A
直流反向耐压(Vr)
200V
整流电流
1A

描述特性:塑料封装符合UL 94V-0阻燃等级。适用于表面贴装应用。低反向泄漏电流。内置应变消除功能,适合自动化操作。高正向浪涌电流能力。保证高温焊接:端子在250℃下可承受10秒

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SMT补贴嘉立创库存21K+
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21K+

2000/圆盘

总额0

近期成交63单

耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间:15ns
ES1D
品牌
onsemi(安森美)
封装
SMA(DO-214AC)
类目
快恢复/高效率二极管
编号
C84602
二极管配置
独立式
正向压降(Vf)
920mV@1A
直流反向耐压(Vr)
200V
整流电流
1A

描述特性:适用于表面贴装应用。 玻璃钝化结。 低外形封装。 易于拾取和放置。 内置应力消除。 超快恢复时间,效率高

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SMT补贴嘉立创库存22K+
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22K+

7500/圆盘

总额0

近期成交100单+

耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间:35ns
二极管配置
独立式
正向压降(Vf)
950mV@1A
直流反向耐压(Vr)
200V
整流电流
1A

描述电压:200V 电流:1A适用于开关电源及高速整流与低损耗场合。

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SMT补贴嘉立创库存19K+
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19K+

3000/圆盘

总额0

近期成交26单

耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间:25ns
ES1D-13-F
品牌
DIODES(美台)
封装
SMA
类目
快恢复/高效率二极管
编号
C110541
正向压降(Vf)
920mV@1A
直流反向耐压(Vr)
200V
整流电流
1A
反向电流(Ir)
5uA@200V

描述特性:玻璃钝化芯片结构。 超快恢复时间,实现高效率。 浪涌过载额定值达30A峰值。 非常适合自动装配。 无铅涂层,符合RoHS标准。 无卤素和锑的“绿色”器件

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11K+

5000/圆盘

总额0

近期成交88单

耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间:35ns
ES1D
品牌
JUXING(钜兴)
封装
DO-214AC(SMA)
类目
快恢复/高效率二极管
编号
C5365372
二极管配置
独立式
正向压降(Vf)
1V@1A
直流反向耐压(Vr)
200V
整流电流
1A

描述广泛应用于逆变器、开关电源、照明驱动、消费电子

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5000/圆盘

总额0

近期成交100单+

耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间:25ns
ES1DHE3_A/I
品牌
VISHAY(威世)
封装
SMA(DO-214AC)
类目
快恢复/高效率二极管
编号
C241886
正向压降(Vf)
920mV@1A
直流反向耐压(Vr)
200V
整流电流
1A
反向电流(Ir)
5uA@200V

描述特性:低外形封装,适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 超快恢复时间,高效率。 低正向电压,低功率损耗。 高正向浪涌能力。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值260℃。应用:用于消费、计算机、汽车和电信领域的开关模式转换器和逆变器中的高频整流和续流应用

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SMT补贴嘉立创库存15K+
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15K+

7500/圆盘

总额0

近期成交25单

耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间:15ns
ES1DHE3_A/H
品牌
VISHAY(威世)
封装
SMA(DO-214AC)
类目
快恢复/高效率二极管
编号
C2940059
二极管配置
1个独立式
正向压降(Vf)
920mV@1A
直流反向耐压(Vr)
200V
整流电流
1A

描述特性:低外形封装,适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 超快恢复时间,高效能。 低正向电压,低功耗。 高正向浪涌能力。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最高峰值260℃。应用:用于消费、计算机、汽车和电信领域的开关模式转换器和逆变器中的高频整流和续流应用

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存19K+
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19K+

1800/圆盘

总额0

近期成交25单

ES1D
ES1D
品牌
High Diode(海德)
封装
SMAG
类目
快恢复/高效率二极管
编号
C53058600

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存14K+
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14K+

5000/圆盘

总额0

近期成交2单

耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间:35ns
ES1D
品牌
BORN(伯恩半导体)
封装
SMA(DO-214AC)
类目
快恢复/高效率二极管
编号
C266560
正向压降(Vf)
950mV@1A
直流反向耐压(Vr)
200V
整流电流
1A
反向电流(Ir)
5uA@200V

描述ultra fast rectifiter,1A 200V,Trr<35ns

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5689
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5400

5000/圆盘

总额0

近期成交33单

耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间:35ns
ES1DW
品牌
GOODWORK(固得沃克)
封装
SOD-123FL
类目
快恢复/高效率二极管
编号
C47089145
二极管配置
1个独立式
正向压降(Vf)
1V@1A
直流反向耐压(Vr)
200V
整流电流
1A

描述适用于开关电源及高速整流与低损耗场合。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3065
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3000

3000/圆盘

总额0

近期成交58单

耐压:200V 反向恢复时间:35ns
ES1D(SOD-123FL)
品牌
DOWO(东沃)
封装
SOD-123FL
类目
快恢复/高效率二极管
编号
C22374920
二极管配置
1个独立式
正向压降(Vf)
1.3V@1A
直流反向耐压(Vr)
200V
整流电流
1A

描述1A 200V

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存11K+
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11K

3000/圆盘

总额0

近期成交32单

耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间:35ns
二极管配置
独立式
正向压降(Vf)
950mV@1A
直流反向耐压(Vr)
200V
整流电流
1A

描述特性:正向平均电流(IF(AV)):1A。重复峰值反向电压(VRRM):50V-600V。高浪涌电流能力。极性:色带表示阴极。应用:整流器

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4575
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4460

5000/圆盘

总额0

近期成交70单

耐压:200V 电流:1A
二极管配置
1个独立式
正向压降(Vf)
1.25V@1A
直流反向耐压(Vr)
200V
整流电流
1A

描述外壳:模塑塑料。极性:色带表示阴极。封装:SOD-123FL塑料封装

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5344
私有库下单最高享92折
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5300

3000/圆盘

总额0

近期成交1单

耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间:35ns
ES1DQ
品牌
YANGJIE(扬杰)
封装
SMA(DO-214AC)
类目
快恢复/高效率二极管
编号
C5861874
二极管配置
1个独立式
正向压降(Vf)
1.3V@1A
直流反向耐压(Vr)
200V
整流电流
1A

描述特性:低外形封装。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 高正向浪涌能力。 超快反向恢复时间。 符合J-STD-020的MSL 1级,无铅最高峰值260℃。应用:电源、逆变器、转换器的高频整流。 消费、汽车和电信领域的续流二极管

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近期成交8单

耐压:200V 反向恢复时间:35ns
ES1D(SMA)
品牌
DOWO(东沃)
封装
SMA
类目
快恢复/高效率二极管
编号
C22374919
二极管配置
1个独立式
正向压降(Vf)
1.3V@1A
直流反向耐压(Vr)
200V
整流电流
1A

描述1A 200V

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近期成交8单

耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间:35ns
ES1DG
品牌
SHIKUES(时科)
封装
SMA
类目
快恢复/高效率二极管
编号
C433998
二极管配置
独立式
正向压降(Vf)
1V@1A
直流反向耐压(Vr)
200V
整流电流
1A

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近期成交4单

耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间:35ns
ES1D
品牌
XCH(旭昌辉)
封装
SMA
类目
快恢复/高效率二极管
编号
C5455823
二极管配置
1个独立式
正向压降(Vf)
1V@1A
直流反向耐压(Vr)
200V
整流电流
1A

描述芯片采用台面结构,具有较好的开关特性,适用于各类续流和升压电路。

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近期成交7单

耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间:35ns
ES1DW
品牌
FUXINSEMI(富芯森美)
封装
SOD-123FL
类目
快恢复/高效率二极管
编号
C20420252
二极管配置
1个独立式
正向压降(Vf)
1.25V@1A
直流反向耐压(Vr)
200V
整流电流
1A

描述特性:塑料封装符合UL 94V-0阻燃等级。 适用于表面贴装应用。 低反向泄漏。 内置应力消除,便于自动贴装。 高正向浪涌电流能力。 保证高温焊接:端子260℃/10秒。 玻璃钝化芯片结

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近期成交9单

耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间:35ns
ES1D
品牌
ChipNobo(无边界)
封装
SMA
类目
快恢复/高效率二极管
编号
C42459013
正向压降(Vf)
1V@1A
直流反向耐压(Vr)
200V
整流电流
1A
反向电流(Ir)
5uA

描述特性:塑料封装符合UL 94V-0阻燃等级。 适用于印刷电路板。 玻璃钝化结芯片。 低反向泄漏。 高正向浪涌电流能力。 保证260℃/10秒高温焊接

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近期成交4单

耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间:35ns
ES1D
品牌
FUXINSEMI(富芯森美)
封装
DO-214AC(SMA)
类目
快恢复/高效率二极管
编号
C4355048
二极管配置
独立式
正向压降(Vf)
950mV@1A
直流反向耐压(Vr)
200V
整流电流
1A

描述特性:塑料封装符合UL 94V-0阻燃等级。 适用于表面贴装应用。 超快速开关,效率高。 低反向泄漏。 内置应力消除,适合自动贴装。 高正向浪涌电流能力。 保证高温焊接:端子在260℃下可承受10秒。 玻璃钝化芯片结。 符合RoHS指令2011/65/EU

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