ESD9B3.3ST5G-N

品牌

BORN(伯恩半导体)

封装

DFN1006-2

类目

静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号

C316039

极性

双向

反向截止电压(Vrwm)

3.3V

钳位电压

8V

峰值脉冲电流(Ipp)

10A@8/20us

描述静电TVS

RoHSSMT扩展库

TPESD9B3.3ST5G

品牌

TECH PUBLIC(台舟)

封装

SOD-923(0402)

类目

静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号

C2682285

反向截止电压(Vrwm)

3.3V

钳位电压

10V

峰值脉冲电流(Ipp)

8A@8/20us

峰值脉冲功率(Ppp)

80W@8/20us

描述特性：80W 峰值脉冲功率 (8/20 µs)。 保护一条数据或电源线。 工作电压：±3.3V。 超低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2 (ESD) 抗扰度测试。 -空气放电：±30kV。应用：手机及配件。 电池保护

SMT扩展库

ESD9B3.3ST5G

品牌

DOWO(东沃)

封装

SOD-923

类目

静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号

C29779758

极性

双向

反向截止电压(Vrwm)

3.3V

钳位电压

10V

峰值脉冲电流(Ipp)

11.2A@8/20us

描述3.3V 双向 IPP:11.2A

RoHSSMT扩展库

ESD9B3.3ST5G

品牌

GOODWORK(固得沃克)

封装

SOD-923

类目

静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号

C41364470

反向截止电压(Vrwm)

3.3V

钳位电压

12.5V

峰值脉冲电流(Ipp)

8A

峰值脉冲功率(Ppp)

100W

描述ESD静电防护在高速数据传输接口上提供卓越的静电防护性能，是高集成度电子设备的理想ESD防护组件。

RoHSSMT扩展库

ESD9B3.3ST5G-N-ES

品牌

ElecSuper(静芯)

封装

DFN1006-2L

类目

静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号

C41409268

极性

双向

反向截止电压(Vrwm)

3.3V

钳位电压

8V

峰值脉冲电流(Ipp)

10A

描述ESD9B3.3ST5G - N - ES 旨在保护电压敏感元件，使其免受因静电放电（ESD）造成的损坏或闭锁影响。出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间，为易受 ESD 影响的板级设计提供了同类最佳的保护。

RoHS

ESD9B3.3ST5G

品牌

TECH PUBLIC(台舟)

封装

SOD-923(0402)

类目

静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号

C3040608

反向截止电压(Vrwm)

3.3V

钳位电压

12V

峰值脉冲电流(Ipp)

7A@8/20us

峰值脉冲功率(Ppp)

80W@8/20us

描述特性：超低电容：典型值14pF。 超低泄漏：nA级别。 低工作电压：±3.3V。 低钳位电压。 2引脚无铅封装。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试 空气放电：±30kV 接触放电：±30kV。应用：智能手机和平板电脑。 电视和机顶盒

SMT扩展库

MSESD9B3.3ST5G

品牌

MSKSEMI(美森科)

封装

SOD-923

类目

静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号

C2982173

极性

双向

反向截止电压(Vrwm)

3.3V

钳位电压

19V

峰值脉冲电流(Ipp)

2.3A

描述峰值脉冲功率（tp=8/20s）(PPP):44W 最大反向峰值脉冲电流(IPP):2.3A 钳位电压（VC): 19V 工作电压（VRWM）:3.3V 击穿电压VR）:5V 结电容（CJ）:12PF-18PF

SMT扩展库

HESD9B3.3ST5G

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

DFN1006-2L

类目

静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号

C42416226

极性

双向

反向截止电压(Vrwm)

3.3V

钳位电压

12V

峰值脉冲功率(Ppp)

84W@8/20us

描述此款静电和浪涌保护器件（TVS/ESD）具备7A的峰值脉冲电流IPP承载能力，能够在瞬态电压出现时迅速响应并保护电路。其工作电压VRWM为3.3V，适用于低电压应用环境中的过压保护需求。该元件拥有10pF的极小电容CJ，确保对信号的影响降到最低，非常适合用于高速数据传输线路的保护。采用单通道LINE设计，结合Bi双向TYPE特性，它可以在两个方向上提供一致的保护效能，有效箝位瞬态过电压，保障连接设备的安全与稳定运行。此元件结构紧凑，易于集成到各类电子装置中，为敏感电路提供可靠防护。

SMT扩展库

HSZESD9B3.3ST5G

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

SOD-923

类目

静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号

C22439891

极性

双向

反向截止电压(Vrwm)

3.3V

钳位电压

7V

峰值脉冲电流(Ipp)

11A@8/20us

描述这款双向ESD保护二极管专为单路信号线定制，工作电压VRWM为3.3V，适配低电压应用环境。凭借11A的峰值电流处理能力 IPP，能有效抑制双向静电放电，保护电路元件安全。小巧的15pF电容值CJ设计，减少对高频信号的干扰，确保数据传输快速准确，是现代高性能电子设备中抗静电干扰的理想选择。

SMT扩展库

SZESD9B3.3ST5G

品牌

onsemi(安森美)

封装

SOD-923

类目

静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号

C604775

反向截止电压(Vrwm)

3.3V

钳位电压

11.5V

击穿电压(VBR)

5V

反向电流(Ir)

100nA

描述ESD9B系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，为易受ESD影响的设计提供了同类最佳的保护。由于其尺寸小巧，适用于手机、MP3播放器、数码相机和许多其他对电路板空间要求苛刻的便携式应用。

RoHSSMT扩展库

RLSD92A031C

品牌

RUILON(瑞隆源)

封装

SOD-923

类目

静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号

C20730

极性

双向

反向截止电压(Vrwm)

3.3V

钳位电压

8.4V

峰值脉冲电流(Ipp)

11.2A@8/20us

描述8KV接触, 15KV空隙放电

RoHS