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- 反向截止电压(Vrwm)
- 3.3V
- 钳位电压
- 7.8V
- 击穿电压(VBR)
- 4.8V
- 反向电流(Ir)
- 1nA
描述ESD9R旨在为用于超低电流应用（如人体传感器）的专用标准产品（ASSP）和专用集成电路（ASIC）提供静电放电（ESD）保护。这些器件在关闭状态下，从0℃到50℃的泄漏电流低于1 nA。在ESD事件期间，这些器件会开启，将ESD钳位到集成电路（IC）的安全电压水平。这些器件还具有高速数据线低电容和小封装尺寸的优势，适用于空间受限的设计。
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- 反向截止电压(Vrwm)
- 3.3V
- 钳位电压
- 8V；14V
- 峰值脉冲电流(Ipp)
- 4A@8/20us
- 峰值脉冲功率(Ppp)
- 60W@8/20us
描述特性：超低电容：典型值0.5pF。 超低泄漏：纳安级别。 低工作电压：3.3V。 低钳位电压。 2引脚无铅封装。 符合以下标准: IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试 空气放电：±30kV 接触放电：±30kV。应用：智能手机和平板电脑。 电视和机顶盒
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- 反向截止电压(Vrwm)
- 3.3V
- 钳位电压
- 7.8V
- 峰值脉冲电流(Ipp)
- 1A@8/20us
- 击穿电压(VBR)
- 4.8V
描述ESD9R旨在为用于超低电流应用（如人体传感器）的专用标准产品（ASSP）和专用集成电路（ASIC）提供静电放电（ESD）保护。这些器件在关闭状态下，从0℃到50℃的泄漏电流设计为低于1 nA。在ESD事件期间，这些器件会开启，将ESD钳位到对集成电路（IC）安全的电压水平。这些器件还具有高速数据线所需的低电容特性，以及适用于空间受限设计的小封装尺寸优势。
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