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操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 500V
- 连续漏极电流(Id)
- 48A
- 导通电阻(RDS(on))
- 105mΩ@10V
描述N沟道,500V,48A,105mΩ@10V
RoHSSMT扩展库
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- 对比
- ￥46.45
- ￥40.08
- ￥35.32
- ￥32.06
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- 现货
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个
总额￥0
- 漏源电压(Vdss)
- 600V
- 连续漏极电流(Id)
- 47A
- 导通电阻(RDS(on))
- 60mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 415W
描述TO3P；N—Channel沟道,600V；47A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
SMT扩展库
私有库下单最高享92折
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- 对比
- ￥25.8
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- ￥24.37
需订货
- 现货
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30个/管
个
总额￥0
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 500V
- 连续漏极电流(Id)
- 50A
- 导通电阻(RDS(on))
- 105mΩ@10V
描述CMH50N50采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。这些器件可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
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