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- 类目
- 场效应管(MOSFET)
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- VBsemi(微碧半导体)
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自营结果数6
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 150V
- 连续漏极电流(Id)
- 130A
- 导通电阻(RDS(on))
- 6.25mΩ@10V
描述此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 收藏
- 对比
- ￥19.38
- ￥16.7
- ￥15.02
- ￥12.07
- ￥11.3
- ￥10.96
现货最快4小时发货
- 现货
- 97
800个/圆盘
个
总额￥0
近期成交5单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 150V
- 连续漏极电流(Id)
- 128A
- 导通电阻(RDS(on))
- 8.4mΩ@7.5V
描述台积电流片，长电科技封装；TO263；N—Channel沟道；150V；140A；RDS(ON)=5.6(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3.5V；采用SGT技术；
- 收藏
- 对比
9.5折
- ￥11.438
- ￥9.7565
- ￥8.702
- ￥7.6285
- ￥7.1345
- ￥6.9255
现货最快4小时发货
- 现货
- 10
800个/圆盘
个
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 150V
- 连续漏极电流(Id)
- 110A
- 导通电阻(RDS(on))
- 5.5mΩ@10V
描述N 沟道 Power Trench MOSFET 150V，110A，5.5 mΩ，此款最新的屏蔽门极 PowerTrench MOSFET 具有更小的 QSYNC 和软反向恢复本征体二极管性能，开关速度快，可大幅提高同步整流的效率。
- 收藏
- 对比
描述台积电流片，长电科技封装；TO263；N—Channel沟道；150V；140A；RDS(ON)=5.6(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3.5V；采用SGT技术；
- 收藏
- 对比
- ￥7.644
- ￥7.056
- ￥6.9384
- ￥6.7032
- ￥6.5856
订货7-9个工作日
- 库存
- 1000
- 增量
- 1
- 最小包装
- 1个
个
总额￥0
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 150V
- 连续漏极电流(Id)
- 140A
- 导通电阻(RDS(on))
- 6.2mΩ@10V
描述大电流SGT MOSFET产品
- 收藏
- 对比
9.5折
- ￥5.9755
- ￥5.377
- ￥5.054
- ￥4.6835
- ￥4.408
- ￥4.332
现货最快4小时发货
- 现货
- 361
800个/圆盘
个
总额￥0
近期成交4单
替代参考
- 漏源电压(Vdss)
- 150V
- 连续漏极电流(Id)
- 160A
- 导通电阻(RDS(on))
- 7mΩ@10V
- 阈值电压(Vgs(th))
- 4V
描述073N15采用先进的SGT技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
RoHS
- 收藏
- 对比
9.5折
- ￥6.897
- ￥5.7
- ￥5.0445
- ￥4.3035
- ￥3.9805
- ￥3.8285
现货最快4小时发货
- 现货
- 77
800个/圆盘
个
总额￥0
近期成交2单
