收起筛选
- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- VBsemi(微碧半导体)
- onsemi(安森美)
- Cmos(广东场效应半导体)
- Siliup(矽普)
多选 - 封装
- TO-263
- 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数6
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 150V
- 连续漏极电流(Id)
- 130A
- 导通电阻(RDS(on))
- 6.25mΩ@10V
描述此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 收藏
- 对比
- ￥18.06
- ￥15.56
- ￥14
- ￥11.25
- ￥10.52
- ￥10.21
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 130
800个/圆盘
个
总额￥0
近期成交4单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 150V
- 连续漏极电流(Id)
- 128A
- 导通电阻(RDS(on))
- 8.4mΩ@7.5V
描述台积电流片，长电科技封装；TO263；N—Channel沟道；150V；140A；RDS(ON)=5.6(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3.5V；采用SGT技术；
- 收藏
- 对比
- ￥7.69
- ￥7.52
- ￥7.4
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 10
800个/圆盘
个
总额￥0
描述台积电流片，长电科技封装；TO263；N—Channel沟道；150V；140A；RDS(ON)=5.6(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3.5V；采用SGT技术；
- 收藏
- 对比
- ￥7.644
- ￥7.056
- ￥6.762
- ￥6.5856
- ￥6.468
订货7-9个工作日
- 库存
- 1000
- 增量
- 1
- 最小包装
- 1个
个
总额￥0
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 150V
- 连续漏极电流(Id)
- 140A
- 导通电阻(RDS(on))
- 6.2mΩ@10V
描述大电流SGT MOSFET产品
- 收藏
- 对比
- ￥4.54
- ￥4.09
- ￥3.84
- ￥3.56
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 429
800个/圆盘
个
总额￥0
近期成交3单
替代参考
- 漏源电压(Vdss)
- 150V
- 连续漏极电流(Id)
- 160A
- 导通电阻(RDS(on))
- 7mΩ@10V
- 阈值电压(Vgs(th))
- 4V
描述073N15采用先进的SGT技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥4.06
- ￥3.97
- ￥3.9
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 77
800个/圆盘
个
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 150V
- 连续漏极电流(Id)
- 110A
- 导通电阻(RDS(on))
- 5.5mΩ@10V
描述N 沟道 Power Trench MOSFET 150V，110A，5.5 mΩ，此款最新的屏蔽门极 PowerTrench MOSFET 具有更小的 QSYNC 和软反向恢复本征体二极管性能，开关速度快，可大幅提高同步整流的效率。
- 收藏
- 对比
免费备货
快速找料
给个料号 即用即提
- *型号
热门找料