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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 12A；80A
- 导通电阻(RDS(on))
- 7.5mΩ@10V
描述N 沟道，PowerTrench MOSFET，100V，80A，9m?，这种最新的屏蔽门极 PowerTrench MOSFET 具有更小的 QSYNC，卓越的软反向恢复本征体二极管性能，开关速度快，可大幅提高同步整流的效率。
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- 对比
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- 现货
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个
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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 140A
- 导通电阻(RDS(on))
- 4mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单N型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种需要中等电压、大电流和低导通电阻的应用领域，为不同领域的模块提供了可靠的功率开关解决方案。TO263；N—Channel沟道,100V；140A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 140A
- 导通电阻(RDS(on))
- 4mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；TO263；N—Channel沟道；100V；140A；RDS(ON)=4(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3V；采用Trench技术；
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- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 80A
- 导通电阻(RDS(on))
- 7.5mΩ@10V
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