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- 类目
- 场效应管(MOSFET)
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型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 150V
- 连续漏极电流(Id)
- 18A
- 导通电阻(RDS(on))
- 61mΩ@10V
描述此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 收藏
- 对比
- ￥6.21
- ￥5.09
- ￥4.48
- ￥3.79
现货最快4小时发货
- 现货
- 182
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交10单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 150V
- 连续漏极电流(Id)
- 25.4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 74mΩ@10V；77mΩ@8V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺。适用于低功耗电子设备、电源管理模块、工业控制设备等领域。TO252；N—Channel沟道,150V；25.4A；RDS(ON)=74mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~3V；
- 收藏
- 对比
8.5折
- ￥4.165
- ￥3.4085
- ￥3.026
- ￥2.652
- ￥2.2525
- ￥2.142
现货最快4小时发货
- 现货
- 166
2500个/圆盘
个
总额￥0
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 150V
- 连续漏极电流(Id)
- 23A
- 导通电阻(RDS(on))
- 47mΩ@10V
描述HSU20N15A是高性能沟槽式N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSU20N15A符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩耐量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。
- 收藏
- 对比
- ￥2.14
- ￥1.87
- ￥1.75
- ￥1.61
- ￥1.4
- ￥1.36
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- 现货
- 1790
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交5单
替代参考
- 漏源电压(Vdss)
- 150V
- 连续漏极电流(Id)
- 20A
- 导通电阻(RDS(on))
- 60mΩ
- 耗散功率(Pd)
- 60W
描述MOS，TO-252，N场，耐压：150V，电流：20A，10V内阻：0.06Ω，功率：60W,CissTyp：440PF
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- 对比
9.5折
- ￥1.448845
- ￥1.1476
- ￥1.01859
- ￥0.857565
- ￥0.78584
- ￥0.742805
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- 现货
- 135
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交3单
