- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- Siliup(矽普)
- onsemi(安森美)
- VBsemi(微碧半导体)
- TECH PUBLIC(台舟)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
多选 - 封装
- TO-252-4L
- TO-252-4
多选 - 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道+1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 40V
- 连续漏极电流(Id)
- 50A
- 导通电阻(RDS(on))
- 14mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款共源极N沟道和P沟道MOSFET，采用Trench技术，具有高性能和可靠性。该产品适用于各种电源和功率控制应用。TO252-4；N+P—Channel沟道,±40V；±50A；RDS(ON)=14mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~3V；
- 收藏
- 对比
- ￥3.667
- ￥2.9355
- ￥2.5745
- ￥2.2135
- ￥2.071
- ￥1.957
- 现货
- 7
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交5单
- 数量
- 1个N沟道+1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 40V
- 连续漏极电流(Id)
- 20A
- 导通电阻(RDS(on))
- 18mΩ@10V
描述型号FDD8424H 的N+P沟道MOS管采用经典封装TO-252-4L，为各类电子设备提供稳固的功率解决方案。器件具备40V的额定电压VDSS和20A的大电流承载能力，确保在高压大电流应用中的稳定表现。尤其值得注意的是，其导通电阻RD(on)仅为18mΩ，有效提升了能源利用效率，减少损耗。这款MOS管广泛应用于电源管理、电机驱动、功率转换等领域，是构建高效节能系统的关键组件。
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- 对比
- ￥3.36
- ￥2.7
- ￥2.37
- ￥2.05
- ￥1.85
- ￥1.75
- 现货
- 0
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交11单
- 数量
- 1个N沟道+1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 40V
- 阈值电压(Vgs(th))
- 3V
- 工作温度
- -55℃~+150℃
描述此类双 N 和 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道+1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 40V
- 连续漏极电流(Id)
- 26A
- 导通电阻(RDS(on))
- 70mΩ@4.5V
SMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥3.22
- ￥1.25
- ￥1.21
- ￥1.19
- 现货
- 0
50个/管
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道+1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 40V
- 连续漏极电流(Id)
- 18.6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 75mΩ@4.5V
描述这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 收藏
- 对比
- ￥1.530545
- ￥1.195385
- ￥1.051745
- ￥0.872575
- ￥0.792775
- ￥0.7448
- 现货
- 410
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 漏源电压(Vdss)
- 40V；40V
- 连续漏极电流(Id)
- 23A；14A
- 导通电阻(RDS(on))
- 18mΩ@10V；29mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 35W
描述N+P MOSFET产品，耐压：40V，电流：N 17A/P -14A, Rdson：N 18mR/P 29mR
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- 对比
- ￥0.755725
- ￥0.659965
- ￥0.618925
- ￥0.56772
- ￥0.54492
- ￥0.53124
- 现货
- 2245
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个N沟道+1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 40V
- 连续漏极电流(Id)
- 25A；20A
- 导通电阻(RDS(on))
- 13mΩ@10V；22mΩ@10V
描述N+P MOSFET产品，耐压：40V，电流：N 23A/P -20A, Rdson：N 13mR/P 22mR
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- 对比
- ￥1.1666
- ￥0.9177
- ￥0.81092
- ￥0.677825
- ￥0.603725
- ￥0.5681
- 现货
- 80
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交5单
- 漏源电压(Vdss)
- 40V；40V
- 连续漏极电流(Id)
- 50A；24A
- 导通电阻(RDS(on))
- 8mΩ@10V；11mΩ@4.5V；14mΩ@10V；18mΩ@4.5V
- 耗散功率(Pd)
- 48W
描述N+P MOSFET产品，耐压：40V,电流：N 50A/P -24A,Rdson:N 8mR/P 14mR
- 收藏
- 对比
- ￥1.550495
- ￥1.215335
- ￥1.071695
- ￥0.892525
- ￥0.812725
- ￥0.76475
- 现货
- 100
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
