- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- JSMSEMI(杰盛微)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- onsemi(安森美)
- VBsemi(微碧半导体)
- HUASHUO(华朔)
- TECH PUBLIC(台舟)
- Siliup(矽普)
多选 - 封装
- TO-252
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- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 40V
- 连续漏极电流(Id)
- 57A
- 导通电阻(RDS(on))
- 8.5mΩ@10V
描述此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 专属技术生产的,可提供低 rDS(on) 和优化的 BVDSS 能力,为应用带来卓越性能优势。
- 收藏
- 对比
- ¥4.54
- ¥3.72
- ¥3.31
- ¥2.9
- ¥2.47
- 现货
- 780
2500个/圆盘
总额¥0
近期成交15单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 40V
- 连续漏极电流(Id)
- 60A
- 导通电阻(RDS(on))
- 7.7mΩ@10V
描述FDD8447L 是一款高性能N沟道MOS管,封装采用散热良好的TO-252-2L形式,特别适应于大电流应用场景。该器件拥有出色的耐压特性,VDSS高达40V,能安全处理高达60A的连续漏极电流,以满足高强度电力传输需求。关键优势在于其行业领先的导通电阻RD(on),仅仅7mR,极大程度地减少了功率损耗,提升了整体系统效率。
- 收藏
- 对比
- ¥1.362225
- ¥1.06965
- ¥0.94425
- ¥0.7878
- ¥0.718125
- ¥0.67635
- 现货
- 2445
2500个/圆盘
总额¥0
近期成交3单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 40V
- 连续漏极电流(Id)
- 53A
- 导通电阻(RDS(on))
- 17mΩ@4.5V
描述特性:Vds = 60V, ID = 53A。 Rds(ON) 12mΩ Vgs = 10V。 Rds(ON) 17mΩ Vgs = 4.5V。应用:负载开关。 PWM应用
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- 对比
- ¥2.62
- ¥2.03
- ¥1.79
- ¥1.47
- ¥1.34
- ¥1.25
- 现货
- 621
2500个/圆盘
总额¥0
近期成交19单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 40V
- 连续漏极电流(Id)
- 50A
- 导通电阻(RDS(on))
- 11mΩ@10V
描述FDD8447L-F085 N沟道MOS管,采用TO-252-2L封装形式,确保高效散热与广泛应用兼容性。器件提供40V的工作电压VDSS,能承载高达50A的连续漏极电流ID,专为处理高强度电力任务而设计。其独特优势在于11mΩ的超低导通电阻RD(on),有效降低功耗,提高系统能效。
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- 对比
- ¥2.368
- ¥1.864
- ¥1.648
- ¥1.376
- ¥1.248
- ¥1.176
- 现货
- 19
2500个/圆盘
总额¥0
近期成交1单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 40V
- 连续漏极电流(Id)
- 85A
- 导通电阻(RDS(on))
- 5mΩ@10V;6.5mΩ@4.5V
描述台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应晶体管,采用Trench技术,设计用于中等功率控制和驱动应用。适用于中等功率控制和驱动应用,包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。TO252;N—Channel沟道,40V;85A;RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=25V;Vth=1.2~2.5V;
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- 对比
- ¥3.621
- ¥2.9665
- ¥2.6435
- ¥2.3205
- ¥1.938
- ¥1.836
- 现货
- 60
2500个/圆盘
总额¥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 40V
- 连续漏极电流(Id)
- 50A
- 耗散功率(Pd)
- 65W
RoHSSMT扩展库
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- 对比
- ¥3.92
- ¥3.19
- ¥2.83
- ¥2.47
- ¥2.25
- ¥2.14
- 现货
- 0
2500个/圆盘
总额¥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 40V
- 连续漏极电流(Id)
- 70A
- 导通电阻(RDS(on))
- 6.2mΩ@10V
描述电池管理系统、电源开关及高效能电子设备设计,具有卓越的低导通电阻和快速开关性能,确保在各种应用场合下实现稳定高效的功率转换与控制。
SMT扩展库
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- 对比
- ¥3.74
- ¥1.5
- ¥1.45
- ¥1.42
- 现货
- 0
2500个/圆盘
总额¥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 40V
- 连续漏极电流(Id)
- 55A
- 导通电阻(RDS(on))
- 8mΩ@10V;11mΩ@4.5V
描述中低压MOSFET产品,N沟道,耐压:40V,电流:55A,RDSON:8mR
- 收藏
- 对比
- ¥0.4965
- ¥0.3899
- ¥0.3366
- ¥0.2967
- 现货
- 660
2500个/圆盘
总额¥0
近期成交8单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 40V
- 连续漏极电流(Id)
- 60A
- 导通电阻(RDS(on))
- 7.5mΩ@10V
描述HSU4006是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。HSU4006符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过雪崩能量耐量(EAS)测试,具备全面的功能可靠性认证。
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- 对比
- ¥1.3793
- ¥1.1018
- ¥0.9829
- ¥0.8345
- ¥0.681
- ¥0.6414
- 现货
- 130
2500个/圆盘
总额¥0
近期成交3单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 40V
- 连续漏极电流(Id)
- 60A
- 导通电阻(RDS(on))
- 7mΩ@10V
描述适用于电池保护、负载开关等应用,拥有低导通电阻和快速切换特性,为电子设备提供可靠高效的功率管理解决方案。
- 收藏
- 对比
- ¥2.01495
- ¥1.57662
- ¥1.38871
- ¥1.154345
- ¥1.076065
- ¥1.013365
- 现货
- 175
2500个/圆盘
总额¥0
近期成交1单











