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    • HXY MOSFET(华轩阳电子)
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1个N沟道 耐压:40V 电流:57A
FDD8447L
品牌
onsemi(安森美)
封装
DPAK(TO-252)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C247783
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
57A
导通电阻(RDS(on))
8.5mΩ@10V

描述此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 专属技术生产的,可提供低 rDS(on) 和优化的 BVDSS 能力,为应用带来卓越性能优势。

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近期成交15单

1个N沟道 耐压:40V 电流:60A
FDD8447L-HXY
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-252-2L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22367193
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
60A
导通电阻(RDS(on))
7.7mΩ@10V

描述FDD8447L 是一款高性能N沟道MOS管,封装采用散热良好的TO-252-2L形式,特别适应于大电流应用场景。该器件拥有出色的耐压特性,VDSS高达40V,能安全处理高达60A的连续漏极电流,以满足高强度电力传输需求。关键优势在于其行业领先的导通电阻RD(on),仅仅7mR,极大程度地减少了功率损耗,提升了整体系统效率。

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近期成交3单

耐压:40V 电流:53A
FDD8447L
品牌
TECH PUBLIC(台舟)
封装
TO-252-3L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5370958
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
53A
导通电阻(RDS(on))
17mΩ@4.5V

描述特性:Vds = 60V, ID = 53A。 Rds(ON) 12mΩ Vgs = 10V。 Rds(ON) 17mΩ Vgs = 4.5V。应用:负载开关。 PWM应用

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近期成交19单

1个N沟道 耐压:40V 电流:50A
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
50A
导通电阻(RDS(on))
11mΩ@10V

描述FDD8447L-F085 N沟道MOS管,采用TO-252-2L封装形式,确保高效散热与广泛应用兼容性。器件提供40V的工作电压VDSS,能承载高达50A的连续漏极电流ID,专为处理高强度电力任务而设计。其独特优势在于11mΩ的超低导通电阻RD(on),有效降低功耗,提高系统能效。

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近期成交1单

1个N沟道 耐压:40V 电流:85A
FDD8447L-VB
品牌
VBsemi(微碧半导体)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7428958
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
85A
导通电阻(RDS(on))
5mΩ@10V;6.5mΩ@4.5V

描述台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应晶体管,采用Trench技术,设计用于中等功率控制和驱动应用。适用于中等功率控制和驱动应用,包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。TO252;N—Channel沟道,40V;85A;RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=25V;Vth=1.2~2.5V;

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1个N沟道 耐压:40V 电流:50A
FDD8447L-F085
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-252(DPAK)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C99591
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
50A
耗散功率(Pd)
65W

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FDD8447L-JSM
品牌
JSMSEMI(杰盛微)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C18192565
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
70A
导通电阻(RDS(on))
6.2mΩ@10V

描述电池管理系统、电源开关及高效能电子设备设计,具有卓越的低导通电阻和快速开关性能,确保在各种应用场合下实现稳定高效的功率转换与控制。

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替代参考
中低压N型MOSFET N沟道 耐压:40V 电流:55A
SP40N08TH
品牌
Siliup(矽普)
封装
TO-252-2L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C41355049
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
55A
导通电阻(RDS(on))
8mΩ@10V;11mΩ@4.5V

描述中低压MOSFET产品,N沟道,耐压:40V,电流:55A,RDSON:8mR

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近期成交8单

替代参考
1个N沟道 耐压:40V 电流:60A
HSU4006
品牌
HUASHUO(华朔)
封装
TO-252-2
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C701003
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
60A
导通电阻(RDS(on))
7.5mΩ@10V

描述HSU4006是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。HSU4006符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过雪崩能量耐量(EAS)测试,具备全面的功能可靠性认证。

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近期成交3单

替代参考
1个N沟道 耐压:40V 电流:60A
KMB035N40DB
品牌
JSMSEMI(杰盛微)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7435522
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
60A
导通电阻(RDS(on))
7mΩ@10V

描述适用于电池保护、负载开关等应用,拥有低导通电阻和快速切换特性,为电子设备提供可靠高效的功率管理解决方案。

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