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- 类目
- 场效应管(MOSFET)
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自营结果数4
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 12A
- 导通电阻(RDS(on))
- 110mΩ@10V
描述此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 收藏
- 对比
- ￥4.15
- ￥3.33
- ￥2.93
- ￥2.52
- ￥2.14
现货最快4小时发货
- 现货
- 519
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交36单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 130mΩ@10V
描述DFN8(3X3)；N—Channel沟道,100V；4A；RDS(ON)=130mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~3V；
- 收藏
- 对比
8.5折
- ￥3.3065
- ￥2.6605
- ￥2.3375
- ￥2.0145
- ￥1.819
- ￥1.717
现货最快4小时发货
- 现货
- 15
5000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 12A
- 导通电阻(RDS(on))
- 110mΩ@10V
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥2.64936
订货69-71个工作日
- 库存
- 108K
- 增量
- 3000
- 最小包装
- 3000个
个
总额￥0
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 20A
- 导通电阻(RDS(on))
- 105mΩ@10V
描述HSBB0012是新一代MOSFET，具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于高效电源管理应用。HSBB0012符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力，并通过了全功能可靠性认证。
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- ￥1.095
- ￥0.8555
- ￥0.7529
- ￥0.6248
- ￥0.5403
- ￥0.506
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- 现货
- 17K+
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交35单
