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操作
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 40A
- 导通电阻(RDS(on))
- 6.3mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 3W
描述此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，因为具有极低的结到环境热阻，同时可保持卓越的开关性能。
RoHS
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个
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