- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- ElecSuper(静芯)
- VBsemi(微碧半导体)
- SHIKUES(时科)
- Slkor(萨科微)
- UMW(友台半导体)
- HUASHUO(华朔)
- TECH PUBLIC(台舟)
- JSMSEMI(杰盛微)
- TWGMC(迪嘉)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- Siliup(矽普)
- onsemi(安森美)
多选 - 封装
- SOT-23(TO-236)
- 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 1.7A
- 导通电阻(RDS(on))
- 70mΩ@4.5V
描述此 N 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。
- 收藏
- 对比
- ￥1.083
- ￥0.8459
- ￥0.7442
- ￥0.6174
- ￥0.561
- ￥0.5271
- 现货
- 3800
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交89单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 1.7A
- 导通电阻(RDS(on))
- 55mΩ@4.5V
描述这款额定电压为 2.5V 的 N 沟道 MOSFET 采用先进的 PowerTrench 工艺生产，该工艺经过特别定制，可最大程度降低导通电阻，同时保持较低的栅极电荷，从而实现卓越的开关性能。
- 收藏
- 对比
- ￥0.1741
- ￥0.1336
- ￥0.1111
- ￥0.0904
- ￥0.0787
- ￥0.0724
- 现货
- 12K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交42单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 5.5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 25mΩ@4.5V
描述应用：便携式设备的应用负载开关。 DC/DC转换器
- 收藏
- 对比
- ￥0.294
- ￥0.2567
- ￥0.238
- ￥0.2128
- ￥0.2016
- ￥0.196
- 现货
- 8610
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交15单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 2.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 60mΩ@4.5V
描述此款消费级N沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，额定电压为20V，可承载高达2.3A的连续电流。专为充电器、电源管理及各类高效电子设备设计，具备出色的低导通电阻和快速开关性能，是实现精准功率控制的理想之选。
- 收藏
- 对比
- ￥0.16875
- ￥0.13515
- ￥0.116475
- ￥0.08865
- ￥0.0789
- ￥0.07365
- 现货
- 2600
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交4单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 60mΩ@4.5V
描述FDN335N是高单元密度沟槽式N沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。FDN335N符合RoHS标准和绿色产品要求，且经过全面功能可靠性认证。
- 收藏
- 对比
- ￥0.2407
- ￥0.1927
- ￥0.1687
- ￥0.135
- ￥0.1206
- ￥0.1134
- 现货
- 1360
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交19单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 1.7A
- 导通电阻(RDS(on))
- 100mΩ@2.5V
描述特性：高密度单元设计，实现极低的导通电阻RDS(on)。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。 该器件无铅且无卤素。应用：DC-DC转换器。 负载开关
- 收藏
- 对比
- ￥0.2454
- ￥0.1955
- ￥0.1705
- ￥0.139
- ￥0.124
- ￥0.1165
- 现货
- 2960
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 导通电阻(RDS(on))
- 45mΩ@4.5V
- 耗散功率(Pd)
- 0.9mW
描述N沟道,20V,3.3A,45mΩ@4.5V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.2128
- ￥0.1669
- ￥0.1414
- ￥0.1261
- 现货
- 3000
3000个/圆盘
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 22mΩ@4.5V
描述台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；
- 收藏
- 对比
- ￥0.243
- ￥0.234
- ￥0.225
- ￥0.207
- ￥0.2016
- 库存
- 3000
- 增量
- 1
- 最小包装
- 1个
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 2A
- 导通电阻(RDS(on))
- 75mΩ@2.5V
描述原厂变更型号，性能完全一致。对应老型号为：FDN335N
- 收藏
- 对比
- ￥0.2909
- ￥0.2315
- ￥0.2017
- ￥0.1718
- ￥0.1539
- ￥0.145
- 现货
- 32K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 3.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 45mΩ@4.5V
描述N沟道,20V,3.5A,45mΩ@4.5V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.0897
- ￥0.0746
- ￥0.061
- ￥0.056
- ￥0.0516
- ￥0.0493
- 现货
- 51K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交79单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 3.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 45mΩ@4.5V；62mΩ@2.5V
描述N沟道,20V,3.5A,45mΩ@4.8V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.1093
- ￥0.0869
- ￥0.0745
- ￥0.067
- ￥0.0606
- ￥0.0571
- 现货
- 51K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交31单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 3.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 45mΩ@4.5V；62mΩ@2.5V
描述N沟道,20V,3.5A,45mΩ@4.14V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.1207
- ￥0.0909
- ￥0.0743
- ￥0.0644
- ￥0.0557
- ￥0.0511
- 现货
- 16K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交41单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 3.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 45mΩ@4.5V；62mΩ@2.5V
描述N沟道,20V,3.3A,45mΩ@4.5V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.1754
- ￥0.1376
- ￥0.1166
- ￥0.0997
- ￥0.0887
- ￥0.0829
- 现货
- 5720
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交13单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 导通电阻(RDS(on))
- 45mΩ@4.5V
- 耗散功率(Pd)
- 400mW
描述数量1个N沟道 漏源电压(Vdss)20V 连续漏极电流(Id)2.3A 导通电阻(RDS(on))55mΩ@4.5V
- 收藏
- 对比
- ￥0.0681
- ￥0.0535
- ￥0.0454
- ￥0.0406
- 现货
- 7350
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交17单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 1.5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 55mΩ@4.5V
描述中低压MOSFET产品，N沟道，耐压：20V，电流：1.5A, Rdson：55mR
- 收藏
- 对比
- ￥0.0638
- ￥0.0498
- ￥0.0427
- 现货
- 3350
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交5单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 80mΩ@1.8V
描述适用于电池保护、负载开关及电源管理等领域。其优越的导通电阻和快速切换性能确保了在低压电路中的出色能效与稳定性。
- 收藏
- 对比
- ￥0.192185
- ￥0.14839
- ￥0.12407
- ￥0.10944
- ￥0.096805
- ￥0.089965
- 现货
- 1400
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交9单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 3.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 45mΩ@4.5V
描述N沟道,20V,3.5A,45mΩ@4.10V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.1124
- ￥0.0876
- ￥0.0738
- ￥0.0655
- ￥0.0583
- ￥0.0545
- 现货
- 3460
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交14单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 3.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 45mΩ@4.5V
描述IRLML2402TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路
- 收藏
- 对比
- ￥0.0813
- ￥0.0794
- ￥0.0782
- ￥0.0769
- 现货
- 2320
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交7单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 3.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 45mΩ@4.5V
描述N沟道,20V,3.5A,45mΩ@4.6V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.0639
- ￥0.0522
- ￥0.0457
- ￥0.0418
- ￥0.0384
- ￥0.0366
- 现货
- 3215
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交11单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 22mΩ@4.5V
描述台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；
- 收藏
- 对比
- ￥0.22724
- ￥0.2223
- ￥0.21907
- ￥0.215745
- 现货
- 80
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交5单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 3.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 45mΩ@4.5V；62mΩ@2.5V
描述ES2302 S2是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于直流-直流转换、电源开关和充电电路
- 收藏
- 对比
- ￥0.1588
- ￥0.1237
- ￥0.1042
- 现货
- 2980
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 3.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 45mΩ@4.5V；62mΩ@2.5V
描述ES2302S 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥0.1588
- ￥0.1237
- ￥0.1042
- ￥0.0925
- ￥0.0824
- ￥0.0769
- 现货
- 2960
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 3.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 45mΩ@4.5V
描述类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3.5A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：36.0mΩ@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.0V@250uA N沟道,20V,3.5A,36.0mΩ@10V
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥0.1124
- ￥0.0876
- ￥0.0738
- ￥0.0655
- ￥0.0583
- ￥0.0545
- 现货
- 1550
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交9单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 3.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 45mΩ@4.5V
描述类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3.5A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：36.0mΩ@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.0V@250uA N沟道,20V,3.5A,36.0mΩ@10V
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥0.1124
- ￥0.0876
- ￥0.0738
- ￥0.0655
- ￥0.0583
- ￥0.0545
- 现货
- 2200
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交17单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 3.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 45mΩ@4.5V
描述类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3.3A 功率(Pd)：0.9W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：45mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.7V@250uA N沟道,20V,3.3A,45mΩ@10V
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥0.1711
- ￥0.1333
- ￥0.1123
- 现货
- 2680
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交2单
描述N沟道,20V,3.3A,45mΩ@4.5V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.4011
- ￥0.3195
- ￥0.2787
- 现货
- 2960
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
描述N沟道,20V,3.3A,45mΩ@4.5V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.4247
- ￥0.3383
- ￥0.2951
- ￥0.2627
- 现货
- 3000
3000个/圆盘
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 3.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 45mΩ@4.5V；62mΩ@2.5V
描述N沟道,20V,3.5A,45mΩ@4.7V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
- 收藏
- 对比
近期成交1单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 3.5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 36mΩ@4.5V
描述N沟道,20V,3.5A,45mΩ@4.9V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
SMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥0.1176
- ￥0.0895
- ￥0.0739
- ￥0.0645
- ￥0.0564
- ￥0.052
- 现货
- 0
3000个/圆盘
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 3.5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 36mΩ@4.5V
描述N沟道,20V,3.5A,45mΩ@4.12V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
SMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥0.1132
- ￥0.0884
- ￥0.0746
- ￥0.0663
- ￥0.0591
- ￥0.0552
- 现货
- 0
3000个/圆盘
总额￥0
