- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- VBsemi(微碧半导体)
- SHIKUES(时科)
- Slkor(萨科微)
- UMW(友台半导体)
- TECH PUBLIC(台舟)
- GOODWORK(固得沃克)
- JSMSEMI(杰盛微)
- YTL(亚特联)
- FUXINSEMI(富芯森美)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- ElecSuper(静芯)
- onsemi(安森美)
多选 - 封装
- SOT-23(TO-236)
- SOT-23
多选 - 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 2.2A
- 导通电阻(RDS(on))
- 54mΩ@4.5V；70mΩ@2.5V
描述SuperSOT-3 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机、PCMCIA 卡和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要在非常小形的表面贴装封装中实现快速开关和线路内低功率损耗。
- 收藏
- 对比
- ￥0.8423
- ￥0.6565
- ￥0.5636
- ￥0.494
- ￥0.4382
- ￥0.4104
- 广东仓
- 25K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 2.2A
- 导通电阻(RDS(on))
- 65mΩ@4.5V
- 收藏
- 对比
- ￥0.4065
- ￥0.3154
- ￥0.2699
- ￥0.2258
- ￥0.1985
- ￥0.1848
- 广东仓
- 18K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交32单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 2.2A
- 导通电阻(RDS(on))
- 65mΩ@4.5V
描述特性：先进的沟槽工艺技术。 用于超低导通电阻的高密度单元设计。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器
- 收藏
- 对比
- ￥0.31014
- ￥0.25398
- ￥0.2259
- ￥0.17145
- ￥0.15462
- ￥0.14625
- 广东仓
- 8380
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交64单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 5.8A
- 导通电阻(RDS(on))
- 23mΩ@10V
描述1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A适用于电源开关和信号控制
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- 对比
- ￥0.166535
- ￥0.130625
- ￥0.110675
- ￥0.098705
- ￥0.088255
- ￥0.082745
- 广东仓
- 2980
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交3单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 2.2A
- 导通电阻(RDS(on))
- 54mΩ@4.5V
描述特性：适用于笔记本电脑、便携式电话、PCMCIA 卡和其他电池供电电路中的低电压应用。 低导通电阻：RDS(ON) < 65mΩ（VGS = 4.5V）；RDS(ON) < 82mΩ（VGS = 2.5V）。 漏源电压：VDS(V) = 30V。 漏极电流：ID = 2.2A（VGS = 4.5V）。应用：笔记本电脑。 便携式电话
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- 对比
- ￥0.1994
- ￥0.1547
- ￥0.1299
- ￥0.115
- ￥0.1021
- ￥0.0952
- 广东仓
- 6000
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 40mΩ@10V
描述该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23小型封装，额定电压30V，最大连续电流5A。具备低导通电阻和高速开关性能，广泛应用于充电设备、电源转换器及各类高效率电子系统中，提供稳定可靠的功率管理解决方案。
- 收藏
- 对比
- ￥0.16731
- ￥0.131508
- ￥0.111618
- ￥0.09438
- ￥0.084006
- ￥0.078468
- 广东仓
- 200
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 2.2A
- 导通电阻(RDS(on))
- 82mΩ@2.5V
描述场效应管
- 收藏
- 对比
- ￥0.2406
- ￥0.1902
- ￥0.165
- ￥0.1461
- ￥0.131
- ￥0.1234
- 广东仓
- 3000
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交3单
描述N沟道，30V，5.8A，21mΩ@10V,5.8A，1.0V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 收藏
- 对比
- ￥0.2595
- ￥0.2067
- ￥0.1803
- ￥0.1605
- 广东仓
- 3000
3000个/圆盘
总额￥0
- 收藏
- 对比
- ￥0.1753
- ￥0.1375
- ￥0.1165
- ￥0.1039
- 广东仓
- 3000
3000个/圆盘
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 6.5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 30mΩ@10V；33mΩ@4.5V
描述台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；
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- 对比
- ￥0.35775
- ￥0.3445
- ￥0.33125
- ￥0.30475
- ￥0.2968
- 库存
- 3000
- 增量
- 1
- 最小包装
- 1个
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 30mΩ@10V
描述适用于DC-DC转换、低电压电源开关及负载控制应用，提供低导通电阻和出色的性能表现，是现代电子设备的理想功率管理组件。
- 收藏
- 对比
- ￥0.236
- ￥0.23
- ￥0.224
- 库存
- 300K
- 增量
- 1
- 最小包装
- 1个
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 90mΩ@2.5V
描述原厂变更型号，性能完全一致。对应老型号为：FDN337N
- 收藏
- 对比
- ￥0.326515
- ￥0.258115
- ￥0.223915
- ￥0.198265
- ￥0.177745
- ￥0.167485
- 广东仓
- 1900
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交4单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 47mΩ@10V；62mΩ@4.5V
描述台积电流片，长电科技封装；这是一款单路N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率功率控制和开关应用。SOT-23；N—Channel沟道,30V；5A；RDS(ON)=47mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；
- 收藏
- 对比
- ￥0.409955
- ￥0.400945
- ￥0.39491
- ￥0.388875
- 广东仓
- 20
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
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