- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- VBsemi(微碧半导体)
- JSMSEMI(杰盛微)
- SHIKUES(时科)
- Slkor(萨科微)
- UMW(友台半导体)
- HUASHUO(华朔)
- TECH PUBLIC(台舟)
- MSKSEMI(美森科)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- ElecSuper(静芯)
- onsemi(安森美)
多选 - 封装
- SOT-23(TO-236)
- 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 1.6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 155mΩ@2.5V
描述此 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 使用先进的低压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电池管理应用。
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- 对比
- ￥1.5063
- ￥1.1691
- ￥1.0246
- ￥0.8443
- ￥0.7641
- ￥0.7159
- 现货
- 2850
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交59单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 2.8A
- 导通电阻(RDS(on))
- 90mΩ@4.5V；110mΩ@2.5V
描述特性：采用先进的低压PowerTrench工艺。 针对电池电源管理应用进行了优化。 V(BR)DSS = 20V。 ID = -2.8A。 RDS(ON) < 112mΩ (VGS = -4.5V)。 RDS(ON) < 142mΩ (VGS = -2.5V)。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器
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- 对比
- ￥0.2028
- ￥0.1537
- ￥0.1264
- ￥0.1068
- ￥0.0926
- ￥0.0849
- 现货
- 20K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交39单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 1.6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 130mΩ@4.5V
描述这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
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- 对比
- ￥0.3331
- ￥0.2644
- ￥0.2301
- ￥0.1911
- ￥0.1705
- ￥0.1602
- 现货
- 10K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交43单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 1.6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 115mΩ@4.5V
描述场效应管
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- 对比
- ￥0.1759
- ￥0.1371
- ￥0.1155
- ￥0.1025
- ￥0.0913
- ￥0.0852
- 现货
- 1200
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交4单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 2A
- 导通电阻(RDS(on))
- 82mΩ@4.5V
描述P沟道，-20V，-2.3A，82mΩ@-4.5V,-2.0A；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
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- 对比
- ￥0.147
- ￥0.1119
- ￥0.0924
- 现货
- 2200
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 1.6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 210mΩ@2.5V
描述适用于各类小型电子设备，提供高效、稳定的开关与功率转换性能。
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- 对比
- ￥0.21472
- ￥0.16864
- ￥0.1456
- ￥0.12256
- ￥0.10872
- ￥0.10176
- 现货
- 2260
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 130mΩ@2.5V
描述FDN338P是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。FDN338P符合RoHS标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。
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- 对比
- ￥0.2939
- ￥0.2343
- ￥0.2045
- ￥0.1706
- ￥0.1527
- ￥0.1438
- 现货
- 2710
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交19单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 2A
- 导通电阻(RDS(on))
- 85mΩ@4.5V
描述P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
- 收藏
- 对比
- ￥0.25092
- ￥0.19692
- ￥0.16992
- ￥0.14967
- ￥0.13347
- ￥0.12537
- 现货
- 800
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 2.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 115mΩ@4.5V
描述该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于20V电压系统，提供2.3A电流处理能力。具备低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于电池保护、电源管理等场景，是电子设备高效能功率控制的理想选择。
- 收藏
- 对比
- ￥0.14224
- ￥0.11152
- ￥0.09448
- ￥0.08424
- ￥0.07544
- ￥0.07064
- 现货
- 140
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交3单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 3.5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 90mΩ@4.5V
描述台积电流片，长电科技封装；SOT23；P—Channel沟道,-20V；-3.5A；RDS(ON)=71mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=-0.7~-2V；是一款单路P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造。具有优异的性能参数，适用于多种电路应用例如移动设备模块、LED照明驱动模块、电源管理模块。
- 收藏
- 对比
- ￥0.4066
- ￥0.32452
- ￥0.28348
- ￥0.2527
- ￥0.228
- ￥0.215745
- 现货
- 20
3000个/圆盘
总额￥0
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 60mΩ@10V；80mΩ@2.5V；65mΩ@4.5V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于多种电源和功率控制应用，包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V；Vth=-0.5~-1.5V；
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- 对比
- ￥0.243
- ￥0.234
- ￥0.225
- ￥0.207
- ￥0.2016
- 库存
- 3000
- 增量
- 1
- 最小包装
- 1个
总额￥0
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.2A
- 导通电阻(RDS(on))
- 110mΩ@1.5V
描述适用于电池保护、负载开关及电源管理等领域。其优越的导通电阻和快速切换性能确保了在低压电路中的出色能效与稳定性。
- 收藏
- 对比
- ￥0.1888
- ￥0.184
- ￥0.1792
- 库存
- 300K
- 增量
- 1
- 最小包装
- 1个
总额￥0
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 150mΩ@2.5V
描述原厂变更型号，性能完全一致。对应老型号为：FDN338P
- 收藏
- 对比
- ￥0.280725
- ￥0.22192
- ￥0.192565
- ￥0.170525
- ￥0.152855
- ￥0.14402
- 现货
- 3010
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交3单
