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价格梯度(含税)
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操作
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 140mΩ@2.5V
描述应用：电池保护。负载开关。电源管理
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- ￥0.4583
- ￥0.3623
- ￥0.3143
- ￥0.2783
- ￥0.2495
- ￥0.235
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- 现货
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3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交8单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 2A
- 导通电阻(RDS(on))
- 130mΩ@2.5V
描述此 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对较宽门极驱动电压额定值 (2.5V – 12V) 的电源管理应用进行了优化。
RoHS
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个
总额￥0
