- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- VBsemi(微碧半导体)
- XBLW(芯伯乐)
- SHIKUES(时科)
- UMW(友台半导体)
- TECH PUBLIC(台舟)
- GOODWORK(固得沃克)
- JSMSEMI(杰盛微)
- FUXINSEMI(富芯森美)
- KUU
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- onsemi(安森美)
多选 - 封装
- SOT-23(TO-236)
- 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 2A
- 导通电阻(RDS(on))
- 125mΩ@4.5V
描述此 P 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。
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- 对比
- ￥1.102
- ￥0.8763
- ￥0.7796
- ￥0.659
- ￥0.5113
- ￥0.479
- 现货
- 90
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交80单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 2A
- 导通电阻(RDS(on))
- 60mΩ@4.5V
描述应用：Load/Power Switching。Interfacing Switching。Logic Level Shift
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- ￥0.4724
- ￥0.3764
- ￥0.3284
- ￥0.2804
- ￥0.2516
- ￥0.2371
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- 32K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交49单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 2A
- 导通电阻(RDS(on))
- 63mΩ@10V
描述特性：适用于需要低在线功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。 VDS(VI) = 30V。 ID =-2A（VGS =-10V）。 RDS(ON) < 80mΩ（VGS =-10V）。 RDS(ON) < 125mΩ（VGS =-4.5V）。 行业标准SOT-23封装的高功率版本。 采用高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)。 低栅极电荷（典型值6.2nC），更高的功率处理能力
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- ￥0.3073
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- 6120
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交8单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.1A
- 导通电阻(RDS(on))
- 56mΩ@10V
描述FDN360P MOS管是一款采用经典SOT-23封装的高质量P沟道半导体元件，工作电压VDSS高达30V，确保在多种电源管理场景下稳定运行。器件提供4.1A的强大电流承载能力，且拥有48mR的低导通电阻，有效提升系统能效并降低功耗。适用于电池保护、电源开关控制及中等电流负载驱动等应用领域，是电路设计者实现高效可靠控制的理想之选。
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- ￥0.3902
- ￥0.3076
- ￥0.2663
- ￥0.2354
- ￥0.2106
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- 现货
- 2900
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 2A
- 导通电阻(RDS(on))
- 95mΩ@4.5V
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- ￥0.3347
- ￥0.2675
- ￥0.2339
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- 现货
- 2480
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交3单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 5.4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 46mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；
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- ￥0.653
- ￥0.5258
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- ￥0.3277
- 现货
- 1035
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 5.6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 54mΩ@4.5V
描述台积电流片，长电科技封装；SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制
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- ￥0.5028
- ￥0.4392
- 现货
- 10
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.1A
- 导通电阻(RDS(on))
- 48mΩ@10V
描述适用于电源开关和信号控制
SMT扩展库
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- ￥0.4284
- ￥0.171
- ￥0.1653
- ￥0.1624
- 现货
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3000个/圆盘
总额￥0
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 52mΩ@10V
描述便携式设备，使用高电池密度，先进的沟槽技术，适合于低压应用以及低在线功率损耗
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- ￥0.2714
- ￥0.2645
- ￥0.2576
- 库存
- 300K
- 增量
- 1
- 最小包装
- 1个
总额￥0
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 3.2A
- 导通电阻(RDS(on))
- 120mΩ@2.5V
描述原厂变更型号，性能完全一致。对应老型号为：FDN360P
RoHSSMT扩展库
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- 对比
- ￥0.3517
- ￥0.278
- ￥0.2412
- ￥0.2136
- ￥0.1915
- ￥0.1804
- 现货
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3000个/圆盘
总额￥0
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.1A
- 导通电阻(RDS(on))
- 55mΩ@10V
描述类型: P沟道 漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 4.2A
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- 对比
- ￥0.21774
- ￥0.17214
- ￥0.14934
- ￥0.13224
- ￥0.11856
- ￥0.111625
- 现货
- 780
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交7单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.2A
- 导通电阻(RDS(on))
- 130mΩ@2.5V
描述类型: P沟道 漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 4.2A
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- ￥0.2005
- ￥0.1546
- ￥0.1291
- ￥0.1138
- ￥0.1006
- ￥0.0934
- 现货
- 560
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交13单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.2A
- 导通电阻(RDS(on))
- 100mΩ@2.5V
描述类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：0.35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：68mΩ@10V,4.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：30V@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：8800pF@15V 工作温度：-55~+150℃@(Tj)
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- ￥0.18991
- ￥0.15127
- ￥0.13195
- ￥0.11746
- ￥0.10591
- ￥0.1001
- 现货
- 160
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
