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价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 500V
- 连续漏极电流(Id)
- 18A
- 导通电阻(RDS(on))
- 265mΩ@10V
描述UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。
- 收藏
- 对比
- ￥16.4
- ￥14.02
- ￥11.06
- ￥9.54
- ￥8.85
- ￥8.55
现货最快4小时发货
- 现货
- 300
50个/管
个
总额￥0
近期成交4单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 20A
- 导通电阻(RDS(on))
- 190mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET型号，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于电源稳压模块、电动车充电桩、电力电子调速器等领域。TO220；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
- 收藏
- 对比
- ￥11.024
- ￥10.176
- ￥10.0064
- ￥9.6672
- ￥9.4976
订货7-9个工作日
- 库存
- 1000
- 增量
- 1
- 最小包装
- 1个
个
总额￥0
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 500V
- 连续漏极电流(Id)
- 25A
- 导通电阻(RDS(on))
- 210mΩ@10V
描述VD MOSFET产品，N沟道，耐压：500V，电流：25A，Rdson：210mR
- 收藏
- 对比
- ￥3.37
- ￥2.71
- ￥2.42
- ￥2.09
现货最快4小时发货
- 现货
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50个/管
个
总额￥0
近期成交2单
