FDS4435BZ

品牌

TECH PUBLIC(台舟)

封装

SOP-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5310972

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

12A

导通电阻(RDS(on))

9.5mΩ@10V；14mΩ@4.5V

描述这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

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FDS4435BZ

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

SOP-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5261056

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

11A

导通电阻(RDS(on))

20mΩ@10V

描述本款消费级P沟道MOSFET采用SOP-8封装，额定电压30V，最大连续电流高达9A。适用于电池管理系统、电源切换及高功率应用场合，具备卓越的开关性能和低导通电阻，确保高效能与稳定性，是优化电子设备功耗的理想之选。

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FDS4435BZ(UMW)

品牌

UMW(友台半导体)

封装

SOP-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C7503191

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

8.8A

导通电阻(RDS(on))

16mΩ@10V

描述特性：适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。 VDS(V) = -30V。 ID = -8.8A (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 20mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 35mΩ (VGS = -4.5V)。应用：笔记本电脑。 便携式电池组

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FDS4435BZ-JSM

品牌

JSMSEMI(杰盛微)

封装

SOP-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C18190707

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

9.7A

导通电阻(RDS(on))

35mΩ@4.5V

描述应用于便携式设备负载开关。

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FDS4435BZ-NL-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

SO-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C6705260

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

9A

导通电阻(RDS(on))

18mΩ@10V；24mΩ@4.5V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中，其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-9A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

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FDS4435BZ(MS)

品牌

MSKSEMI(美森科)

封装

SOP-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C19632034

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

9A

导通电阻(RDS(on))

22mΩ@10V

描述特性：-30V, -9A, RDS(ON) = 16mΩ@VGS = -10V。 快速开关。 有环保器件可选。 适用于 -4.5V 栅极驱动应用。应用：MB/VGA/Vcore-POL 应用。 负载开关

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FDS4435BZ(XBLW)

品牌

XBLW(芯伯乐)

封装

SOP-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C22451443

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

11A

导通电阻(RDS(on))

16mΩ@10V

描述类型: P沟道 漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 9A

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AO4435

品牌

ElecSuper(静芯)

封装

SOP8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5224296

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

10.5A

导通电阻(RDS(on))

13.5mΩ@10V；18.5mΩ@4.5V

描述P沟道，-30V，-10.5A，13.5mΩ@-10V,-10A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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JSM4435

品牌

JSMSEMI(杰盛微)

封装

SOP-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C917091

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

10A

导通电阻(RDS(on))

20mΩ@10V

描述便携式设备，使用高电池密度，先进的沟槽技术，适合于低压应用以及低在线功率损耗

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FDS4435-ES

品牌

ElecSuper(静芯)

封装

SOP8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C21713854

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

10.5A

导通电阻(RDS(on))

13.5mΩ@10V

描述P沟道，-30V，-10.5A，13.5mΩ@-10V,-10A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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HSM4435

品牌

HUASHUO(华朔)

封装

SOP-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C508460

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

9.5A

导通电阻(RDS(on))

18mΩ@10V

描述是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩耐量，具备完整功能可靠性认证。100%保证雪崩耐量。提供绿色环保器件。超低栅极电荷。出色的dv/dt效应抑制。先进的高单元密度沟槽技术

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FDS4435-GK

品牌

GOODWORK(固得沃克)

封装

SOP-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C42434484

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

9A

导通电阻(RDS(on))

15mΩ@10V

描述P-Channel增强模式功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效率快速开关应用。

FDS4435A-ES

品牌

ElecSuper(静芯)

封装

SOP-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C22363745

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

10.5A

导通电阻(RDS(on))

13.5mΩ@10V；18.5mΩ@4.5V

描述P沟道，-30V，-10.5A，13.5mΩ@-10V,-10A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

SMT扩展库

SI4435DY-ES

品牌

ElecSuper(静芯)

封装

SOP-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C22363746

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

10.5A

导通电阻(RDS(on))

13.5mΩ@10V

描述P沟道，-30V，-10.5A，13.5mΩ@-10V,-10A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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DOS9P03

品牌

DOINGTER(杜因特)

封装

SOP-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C41416037

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

9A

导通电阻(RDS(on))

25mΩ@10V

描述P管/-30V/-9A/25mΩ/(典型19mΩ)

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