FDS4559

品牌

TECH PUBLIC(台舟)

封装

SOP-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5123951

数量

1个N沟道+1个P沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

6A；5A

导通电阻(RDS(on))

30mΩ@10V；88mΩ@10V

描述特性：N沟道：VDS = 60V，ID = 6.0A，RDS(ON) < 35mΩ（VGS = 10V时）。 P沟道：VDS = -60V，ID = -5A，RDS(ON) < 95mΩ（VGS = -10V时）。 高功率和电流处理能力。 无铅产品。 表面贴装封装

SMT扩展库

FDS4559-HXY

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

SOP-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C4748740

数量

1个N沟道+1个P沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

6A

导通电阻(RDS(on))

40mΩ@10V

描述这款消费级N+P沟道MOSFET采用SOP-8封装，额定电压60V，连续电流高达6A，特别适合于电池管理系统、电源转换等需要双向电压控制的场合。器件具备双通道设计，实现高效能与低导通电阻，确保在正负电压切换时表现出色，是现代电子产品中理想的功率开关元件。

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FDS4559-NL-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

SO-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C558125

数量

1个N沟道+1个P沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

5.3A；4.9A

导通电阻(RDS(on))

26mΩ@10V；55mΩ@10V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；

SMT扩展库

FDS4559-F085-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

SO-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C50387004

数量

1个N沟道+1个P沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

5.3A；4.9A

导通电阻(RDS(on))

26mΩ@10V；55mΩ@10V

描述特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 标准。 沟槽功率 MOSFET。 100% Rg 和 UIE 测试。应用：CCFL 逆变器

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HSM6901

品牌

HUASHUO(华朔)

封装

SOP-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C700994

数量

1个N沟道+1个P沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

4.8A；3.7A

导通电阻(RDS(on))

32mΩ@10V；70mΩ@10V

描述HSM6901 是高性能互补型 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，具有高单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSM6901 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%通过 EAS 认证，具备全面的功能可靠性。

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CMS4611S

品牌

Cmos(广东场效应半导体)

封装

SOP-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5203846

数量

1个N沟道+1个P沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

6A；4A

导通电阻(RDS(on))

155mΩ@4.5V

描述CMS4611S采用先进的沟槽技术MOSFET，可实现出色的RDS(ON)。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关，还适用于众多其他应用。

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