FDS8958A

品牌

TECH PUBLIC(台舟)

封装

SOP-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5123898

数量

1个N沟道+1个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

6A

导通电阻(RDS(on))

30mΩ@10V

描述应用：电池保护。负载开关

SMT扩展库

FDS8958A(UMW)

品牌

UMW(友台半导体)

封装

SOP-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C7503193

数量

1个N沟道+1个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

7A；5A

导通电阻(RDS(on))

19mΩ@10V；42mΩ@10V

描述特性：这些器件非常适合需要低在线功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。 N沟道: -VDS(V) = 30V。ID = 7A (VGS = 10V)。RDS(ON) < 28mΩ (VGS = 10V)。RDS(ON) < 40mΩ (VGS = 4.5V)。 P沟道: -VDS(V) = -30V。ID = -5A (VGS = -10V)。RDS(ON) < 52mΩ (VGS = -10V)。RDS(ON) < 80mΩ (VGS = -4.5V)

RoHS

FDS8958A-NL-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

SOP-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C7525026

数量

1个N沟道+1个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

6.8A

耗散功率(Pd)

2W

描述台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型沟道功率MOSFET，采用Trench工艺。具有双极性设计，能够同时控制正负极电流，适用于各种功率控制和开关应用。SOP8；N+P—Channel沟道,±30V；8/-8A；RDS(ON)=18/40mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±2V；

RoHS

FDS8958A-F085

品牌

onsemi(安森美)

封装

SOP-8

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C605062

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

5A

导通电阻(RDS(on))

52mΩ@10V

耗散功率(Pd)

2W

描述这些双 N 沟道和 P 沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的 PowerTrench 工艺制造，该工艺经过专门优化，可最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。这些器件非常适合需要低在线功率损耗和快速开关的低压及电池供电应用。

SMT扩展库

SP4606CP8

品牌

Siliup(矽普)

封装

SOP-8L

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C22385399

数量

1个N沟道+1个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

6A

导通电阻(RDS(on))

18mΩ@10V；30mΩ@10V

描述N+P MOSFET产品，耐压：30V，电流：N 6A/P -6A, Rdson：N 18mR/P 30mR

SMT扩展库

DOS4606H

品牌

DOINGTER(杜因特)

封装

SOP-8D

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C41367287

数量

1个N沟道+1个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

6.3A

导通电阻(RDS(on))

45mΩ@10V

描述N+P管/30V/6.3A/24mΩ(典型值18mΩ)

RoHSSMT扩展库