- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- VBsemi(微碧半导体)
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- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
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价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 5.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 50mΩ@10V
描述此 P 沟道 MOSFET 是先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对需要较宽门极驱动电压额定值 (4.5V – 25V) 的电源管理应用进行了优化。
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- 对比
- ￥2.6762
- ￥2.1464
- ￥1.9194
- ￥1.316
- ￥1.1899
- ￥1.1142
- 现货
- 5540
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交45单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 5.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 42mΩ@10V；65mΩ@4.5V
描述MOS（场效应管）
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- 对比
- ￥0.3813
- ￥0.2999
- ￥0.2592
- ￥0.2286
- ￥0.2042
- ￥0.192
- 现货
- 620
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交15单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 5.8A
- 导通电阻(RDS(on))
- 80mΩ@4.5V
描述FDS9435A(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
RoHS
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- ￥0.3437
- ￥0.2717
- ￥0.2357
- 现货
- 2760
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 5.8A
- 导通电阻(RDS(on))
- 33mΩ@10V；43mΩ@6V；56mΩ@4.5V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；
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- ￥1.0349
- ￥1.0136
- ￥0.9994
- ￥0.9851
- 现货
- 415
4000个/圆盘
总额￥0
近期成交3单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 5.8A
- 导通电阻(RDS(on))
- 55mΩ@10V
描述FDS9435A 型号MOS管，采用精良P沟道工艺制造，封装形态为节省空间的SOP-8，专为现代电子设备的小型化设计服务。该器件拥有30V的额定电压VDSS，可承载5A的强大连续漏极电流ID，且导通电阻RD(on)低至43mR，确保高效能、低损耗运行。此款MOS管广泛适用于电源转换、负载切换等场景，以其出色的电气性能成为优化系统效能的关键组件。
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- 对比
- ￥0.4216
- ￥0.3333
- ￥0.2891
- 现货
- 180
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 45mΩ@10V
描述这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
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- 对比
- ￥0.718295
- ￥0.567815
- ￥0.492575
- ￥0.436145
- ￥0.39102
- ￥0.36841
- 现货
- 450
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 5.8A
- 导通电阻(RDS(on))
- 33mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；SOP8；P—Channel沟道；-30V；-5.8A；RDS(ON)=33(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-1.7V；采用Trench技术；
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- ￥1.8077
- ￥1.4348
- ￥1.2749
- 现货
- 10
4000个/圆盘
总额￥0
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 5.1A
- 导通电阻(RDS(on))
- 43mΩ@10V
描述特性：RDS(ON) < 55mΩ @ VGS =-10V (Typ43mΩ)。 高密度单元设计，实现超低 RDS(ON)。 完全表征雪崩电压和电流。 出色的封装，利于散热。应用：电源开关应用。 硬开关和高频电路
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- 对比
- ￥3.25
- ￥2.55
- ￥2.24
- ￥1.87
- ￥1.61
- ￥1.51
- 现货
- 7
4000个/圆盘
总额￥0
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 5.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 36mΩ@10V
描述适用于电源开关和信号控制
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- 对比
- ￥0.2949
- ￥0.2349
- ￥0.2049
- ￥0.1824
- ￥0.1644
- ￥0.1554
- 现货
- 3040
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交4单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 6.5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 46mΩ@10V
描述特性：VDs (V) = 30V。 ID =-6.5A，VGS =-10V。 RDS(ON) < 46mΩ，VGS =-10V。 RDS(ON) < 72mΩ，VGS =-4.5V
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- 对比
- ￥0.3742
- ￥0.3302
- ￥0.3082
- ￥0.2917
- ￥0.2653
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- 4775
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交7单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 5.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 55mΩ@10V
描述MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的优良组合。SOP8封装普遍适用于所有商用工业表面贴装应用，并且适合诸如DC/DC转换器等低压应用。
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- 对比
- ￥0.6415
- ￥0.5071
- ￥0.4399
- ￥0.3895
- ￥0.3492
- ￥0.329
- 现货
- 3065
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交5单
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 5.8A
- 导通电阻(RDS(on))
- 38mΩ@10V；58mΩ@4.5V
- 耗散功率(Pd)
- 1.5W
描述中低压MOSFET产品，P沟道，耐压：-30V,电流：-5.8A,RDSON:38mR
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- 对比
- ￥0.2578
- ￥0.2031
- ￥0.1757
- ￥0.1552
- ￥0.1422
- 现货
- 4000
4000个/圆盘
总额￥0
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 5.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 51mΩ@10V
描述P沟道/30V/5.3A
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥0.3764
- ￥0.2996
- ￥0.2612
- 现货
- 150
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交4单
