- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- TECH PUBLIC(台舟)
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- Slkor(萨科微)
- VBsemi(微碧半导体)
- UMW(友台半导体)
- JSMSEMI(杰盛微)
- MSKSEMI(美森科)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- ElecSuper(静芯)
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- SOT-23(TO-236)
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- 包装
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- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
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价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 25V
- 连续漏极电流(Id)
- 220mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 5Ω@2.7V
描述此 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件是专为在低压应用中替代数字晶体管而设计的。因为无需偏置电阻，所以此单 N 沟道 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。
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- 对比
- ￥0.2421
- ￥0.1979
- ￥0.1752
- ￥0.1263
- ￥0.1198
- ￥0.1153
- 现货
- 417K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 25V
- 连续漏极电流(Id)
- 220mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 4Ω@4.5V；5Ω@2.7V
描述特性：VDS = 25V。 ID = 0.22A。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 4.0Ω。 RDS(on)@VGS = 2.7V < 5.0Ω。 沟槽功率MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。 固态继电器
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- 对比
- ￥0.1983
- ￥0.1759
- ￥0.1646
- ￥0.1435
- ￥0.1368
- ￥0.1334
- 现货
- 31K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 1.25A
- 导通电阻(RDS(on))
- 220mΩ@4.5V
描述带ESD防护，N沟道，20V，0.9A，150mΩ@4.5V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
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- ￥0.15
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- ￥0.0834
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- ￥0.069
- 现货
- 31K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交10单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 25V
- 连续漏极电流(Id)
- 900mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.05Ω@4.5V
描述这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
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- ￥0.453134
- ￥0.362318
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- 现货
- 6605
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 25V
- 连续漏极电流(Id)
- 220mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 5Ω@2.7V
描述特性：0.22 A, 25 V。RDS(ON) = 4 Ω @ VGS = 4.5 V。RDS(ON) = 5 Ω @ VGS = 2.7 V。非常低的栅极驱动要求，允许在3V电路中直接运行。VGS(th) < 1.5 V。用于静电放电防护的栅源齐纳二极管。>6 kV人体模型。可用一个DMOSFET替代多个NPN数字晶体管
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- ￥0.23508
- ￥0.18612
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- 现货
- 2550
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交23单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 28mΩ@4.5V；50mΩ@1.8V；42mΩ@2.5V
描述特性：采用专有、高单元密度DMOS技术制造。 VDS(V) = 20V。 ID = 6A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 28mΩ (VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 42mΩ (VGS = 2.5V)。 RDS(ON) < 50mΩ (VGS = 1.8V)。应用：DC/DC转换器。 便携式应用负载开关
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- 对比
- ￥0.1713
- ￥0.1319
- ￥0.1099
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- ￥0.0814
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- 现货
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3000个/圆盘
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近期成交17单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 25V
- 连续漏极电流(Id)
- 220mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 5Ω@2.7V
描述适用于电池保护、负载开关及电源管理等领域。其优越的导通电阻和快速切换性能确保了在低压电路中的出色能效与稳定性。
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- ￥0.28304
- ￥0.2216
- ￥0.19088
- ￥0.17808
- ￥0.15968
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- 现货
- 2570
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交7单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 100mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.5Ω@10V
描述FDV301N N沟道MOS管，采用紧凑型SOT-23封装，专为精细化电子设计打造。在30V的额定电压下稳定运行，提供精确到0.1A的电流控制能力，具备1200mR导通电阻，尤其适用于低功耗、小电流应用环境。广泛应用于电源管理、信号切换、保护电路等领域，是您追求高效、节能电路解决方案的理想元件。
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- ￥0.2028
- ￥0.16029
- ￥0.139074
- ￥0.123162
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- 现货
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3000个/圆盘
总额￥0
近期成交3单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 250mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.5Ω@4V
描述这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
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- 对比
- ￥0.4683
- ￥0.3723
- ￥0.3243
- ￥0.2783
- ￥0.2495
- ￥0.235
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3000个/圆盘
总额￥0
近期成交6单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 22mΩ@4.5V
描述台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；
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- ￥0.243
- ￥0.234
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- ￥0.2016
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- 3000
- 增量
- 1
- 最小包装
- 1个
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 25V
- 连续漏极电流(Id)
- 680mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 450mΩ@4.5V
描述N沟道,25V,0.68A,450mΩ@4.5V；FDV301N的大电流版本
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- 对比
- ￥0.3242
- ￥0.2547
- ￥0.2199
- ￥0.1938
- ￥0.1729
- ￥0.1624
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- 69K+
3000个/圆盘
总额￥0
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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 850mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 650mΩ@2.5V
描述这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
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- ￥0.297445
- ￥0.233605
- ￥0.201685
- ￥0.177745
- ￥0.158555
- ￥0.14896
- 现货
- 2370
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 25V
- 连续漏极电流(Id)
- 900mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.05Ω@4.5V
描述这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
RoHS
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- ￥0.6874
- ￥0.5434
- ￥0.4714
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- ￥0.3742
- 现货
- 3000
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
