FDV301N

品牌

R+O(宏嘉诚)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C20069151

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

25V

连续漏极电流(Id)

220mA

导通电阻(RDS(on))

4Ω@4.5V；5Ω@2.7V

描述特性：VDS = 25V。 ID = 0.22A。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 4.0Ω。 RDS(on)@VGS = 2.7V < 5.0Ω。 沟槽功率MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。 固态继电器

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FDV301N-TP

品牌

TECH PUBLIC(台舟)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C48543190

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

25V

连续漏极电流(Id)

900mA

导通电阻(RDS(on))

1.05Ω@4.5V

描述这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

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FDV301N(UMW)

品牌

UMW(友台半导体)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5271193

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)

6A

导通电阻(RDS(on))

28mΩ@4.5V；50mΩ@1.8V；42mΩ@2.5V

描述特性：采用专有、高单元密度DMOS技术制造。 VDS(V) = 20V。 ID = 6A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 28mΩ (VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 42mΩ (VGS = 2.5V)。 RDS(ON) < 50mΩ (VGS = 1.8V)。应用：DC/DC转换器。 便携式应用负载开关

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FDV301N-ES

品牌

ElecSuper(静芯)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C22379629

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)

1.25A

导通电阻(RDS(on))

220mΩ@4.5V

描述带ESD防护，N沟道，20V，0.9A，150mΩ@4.5V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

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FDV301N

品牌

Slkor(萨科微)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5223668

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

25V

连续漏极电流(Id)

220mA

导通电阻(RDS(on))

5Ω@2.7V

描述特性：0.22 A, 25 V。RDS(ON) = 4 Ω @ VGS = 4.5 V。RDS(ON) = 5 Ω @ VGS = 2.7 V。非常低的栅极驱动要求，允许在3V电路中直接运行。VGS(th) < 1.5 V。用于静电放电防护的栅源齐纳二极管。>6 kV人体模型。可用一个DMOSFET替代多个NPN数字晶体管

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FDV301N

品牌

MSKSEMI(美森科)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5343307

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

250mA

导通电阻(RDS(on))

1.5Ω@4V

描述这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

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FDV301N-HXY

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C22366936

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

100mA

导通电阻(RDS(on))

2.2Ω@10V

描述FDV301N N沟道MOS管，采用紧凑型SOT-23封装，专为精细化电子设计打造。在30V的额定电压下稳定运行，提供精确到0.1A的电流控制能力，具备1200mR导通电阻，尤其适用于低功耗、小电流应用环境。广泛应用于电源管理、信号切换、保护电路等领域，是您追求高效、节能电路解决方案的理想元件。

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FDV301N-NL-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

SOT-23(TO-236)

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5878797

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)

6A

导通电阻(RDS(on))

22mΩ@4.5V

描述台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

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TPM2103NE4KS3

品牌

TECH PUBLIC(台舟)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C42436634

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

25V

连续漏极电流(Id)

900mA

导通电阻(RDS(on))

1.05Ω@4.5V

描述这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

RoHS

TPM3008NES3

品牌

TECH PUBLIC(台舟)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C22358685

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

850mA

导通电阻(RDS(on))

650mΩ@2.5V

描述这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

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