FDV303N

品牌

MSKSEMI(美森科)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5343310

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

2A

导通电阻(RDS(on))

200mΩ@4.5V

描述这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

SMT扩展库

FDV303N

品牌

TECH PUBLIC(台舟)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C19829467

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)

900mA

导通电阻(RDS(on))

500mΩ@25V

描述这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

SMT扩展库

FDV303N-GK

品牌

GOODWORK(固得沃克)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C42456341

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

1A

导通电阻(RDS(on))

270mΩ@4.5V

描述特性：快速开关。 低RDS(ON)。 沟槽MOSFET技术。 这是无铅器件。 产品材料符合RoHS要求且无卤素。应用：低端负载开关。 电平转换电路

FDV303N(UMW)

品牌

UMW(友台半导体)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5340723

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

25V

连续漏极电流(Id)

680mA

导通电阻(RDS(on))

450mΩ@4.5V；600mΩ@2.7V

描述特性：VDS(V) = 25V。 ID = 0.68A。 RDS(ON) < 28mΩ (VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 42mΩ (VGS = 2.7V)。 Compact industry standard SOT-23 surface mount package。 Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits, VGS(TH)< 1V。 Gate-Source Zener for ESD ruggedness, >6kV Human Body Model

RoHSSMT扩展库

FDV303N-HXY

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C6285730

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)

2.3A

导通电阻(RDS(on))

55mΩ@4.5V

描述该款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，适用于20V电压系统，额定电流为2.3A。拥有出色的低导通电阻和快速开关性能，特别适合应用于充电器、电源管理模块以及各类高效电子设备中，实现精确、节能的功率控制与转换。

SMT扩展库

FDV303N-NL-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

SOT-23(TO-236)

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C6705265

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)

6A

导通电阻(RDS(on))

22mΩ@4.5V

描述台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

SMT扩展库

FDV303N-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C725044

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

20V

连续漏极电流(Id)

6A

导通电阻(RDS(on))

22mΩ@4.5V

描述特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 沟槽功率MOSFET。 100%汞测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用：DC/DC转换器。 便携式应用的负载开关

SMT扩展库

TPM2103NE4KS3

品牌

TECH PUBLIC(台舟)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C42436634

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

25V

连续漏极电流(Id)

900mA

导通电阻(RDS(on))

1.05Ω@4.5V

描述这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

RoHS