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1200V、25A非穿通型(NPT)沟槽绝缘栅双极晶体管(IGBT) 停产
FGA25N120ANTDTU
品牌
onsemi(安森美)
封装
TO-3PN
类目
IGBT管/模块
编号
C462124
IGBT类型
NPT(非穿通型)
耗散功率(Pd)
312W
集射极击穿电压(Vces)
1.2kV
集电极电流(Ic)
50A

描述采用安森美半导体专有的沟槽设计和先进的非穿通(NPT)技术,这款1200V NPT绝缘栅双极晶体管(IGBT)具备出色的导通和开关性能、高雪崩耐量,且易于并联工作。该器件非常适合谐振或软开关应用,如感应加热、微波炉等。

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