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- IGBT类型
- NPT(非穿通型)
- 集射极击穿电压(Vces)
- 1.2kV
- 集电极电流(Ic)
- 50A
- 耗散功率(Pd)
- 312W
描述采用安森美半导体专有的沟槽设计和先进的非穿通（NPT）技术，这款1200V NPT绝缘栅双极晶体管（IGBT）具备出色的导通和开关性能、高雪崩耐量，且易于并联工作。该器件非常适合谐振或软开关应用，如感应加热、微波炉等。
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