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- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 50A
- 导通电阻(RDS(on))
- 22mΩ@10V
描述电池管理系统、电源开关及高效能电子设备设计，具有卓越的低导通电阻和快速开关性能，确保在各种应用场合下实现稳定高效的功率转换与控制。
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8折
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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
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- 50A
- 导通电阻(RDS(on))
- 11mΩ@10V；13mΩ@4.5V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应管，具有适中的电压容限和漏极电流，采用Trench工艺，适用于电源开关模块、电机驱动模块、电源转换器等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；60A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
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- 60A
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- 11mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应管，具有适中的电压容限和漏极电流，采用Trench工艺，适用于电源开关模块、电机驱动模块、电源转换器等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；60A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
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- 漏源电压(Vdss)
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- 22mΩ@10V
描述N沟道,60V,50A,22mΩ@10V
RoHSSMT扩展库
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- 60V
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- 52.4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 21mΩ@10V
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- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 60A
- 导通电阻(RDS(on))
- 12mΩ@10V
描述该N沟道场效应管最大漏极电流为60A，漏源击穿电压达60V，导通电阻典型值为17毫欧，栅源电压耐受范围为20V。器件凭借低导通损耗特性，适用于大电流开关场景，如电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的功率控制单元，可实现高效电能切换与热管理优化。
SMT扩展库
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替代参考
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- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 60A
- 导通电阻(RDS(on))
- 12mΩ@10V
描述HSP60N06是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSP60N06符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过正向偏置安全工作区（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。
RoHS
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