收起筛选
- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- VBsemi(微碧半导体)
- onsemi(安森美)
- HUASHUO(华朔)
- JSMSEMI(杰盛微)
多选 - 封装
- TO-220
- 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数6
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 50A
- 导通电阻(RDS(on))
- 22mΩ@10V
描述电池管理系统、电源开关及高效能电子设备设计，具有卓越的低导通电阻和快速开关性能，确保在各种应用场合下实现稳定高效的功率转换与控制。
- 收藏
- 对比
8折
- ￥1.8656
- ￥1.41896
- ￥1.25304
- ￥1.04608
- ￥0.95392
- ￥0.89856
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 90
50个/管
个
总额￥0
近期成交12单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 60A
- 导通电阻(RDS(on))
- 11mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应管，具有适中的电压容限和漏极电流，采用Trench工艺，适用于电源开关模块、电机驱动模块、电源转换器等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；60A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 收藏
- 对比
8.5折
- ￥4.335
- ￥3.5275
- ￥3.1195
- ￥2.72
- ￥2.4735
- ￥2.3545
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 67
50个/管
个
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 50A
- 导通电阻(RDS(on))
- 11mΩ@10V；13mΩ@4.5V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应管，具有适中的电压容限和漏极电流，采用Trench工艺，适用于电源开关模块、电机驱动模块、电源转换器等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；60A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 收藏
- 对比
9.5折
- ￥4.864
- ￥3.9615
- ￥3.2965
- ￥2.85
- ￥2.5745
- ￥2.4415
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 20
50个/管
个
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 50A
- 导通电阻(RDS(on))
- 22mΩ@10V
描述N沟道,60V,50A,22mΩ@10V
RoHSSMT扩展库
私有库下单最高享92折
- 收藏
- 对比
- ￥23.35
- ￥20.09
- ￥18.15
- ￥16.19
- ￥15.29
- ￥14.88
需订货
- 广东仓
- 0
50个/管
个
总额￥0
近期成交1单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 60A
- 导通电阻(RDS(on))
- 12mΩ@10V
描述HSP60N06是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSP60N06符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过正向偏置安全工作区（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥2.47
- ￥1.94
- ￥1.71
- ￥1.43
- ￥1.3
- ￥1.23
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 489
50个/管
个
总额￥0
近期成交4单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 52.4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 21mΩ@10V
- 收藏
- 对比
免费备货
快速找料
给个料号 即用即提
- *型号
热门找料