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1个N沟道 耐压:100V 电流:1.7A
FQT7N10LTF
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-223
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C154506
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
1.7A
导通电阻(RDS(on))
380mΩ@5V

描述此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻,提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

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近期成交26单

100V 6.5A
FQT7N10LTF-TP
品牌
TECH PUBLIC(台舟)
封装
SOT-223
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C50314312
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
6.5A
导通电阻(RDS(on))
80mΩ@10V

描述应用:负载/电源开关。接口。开关逻辑电平转换

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近期成交3单

N沟道MOSFET,电流:4A,耐压:100V
FQT7N10LTF-ES
品牌
ElecSuper(静芯)
封装
SOT-223
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22464635
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
4A
导通电阻(RDS(on))
120mΩ@10V
耗散功率(Pd)
3.1W

描述N沟道,100V,4A,120mΩ@10V,4A,1.7V@250μA;应用领域:POE交换机、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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1个N沟道 耐压:100V 电流:5A
FQT7N10LTF-VB
品牌
VBsemi(微碧半导体)
封装
SOT-223
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7463524
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
5A
导通电阻(RDS(on))
100mΩ@10V

描述台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道型器件,采用Trench工艺制造,适用于低功率电源模块、汽车电子、智能家居等领域。SOT223;N—Channel沟道,100V;5A;RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.5~3V;

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替代参考
耐压:100V 电流:6.5A
TPM1004NY3
品牌
TECH PUBLIC(台舟)
封装
SOT-223
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5122051
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
6.5A
导通电阻(RDS(on))
85mΩ@4.5V

描述应用:负载/电源开关。接口开关。逻辑电平转换

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替代参考
N沟道 耐压:100V 电流:4A
DMN10H220LE-13-ES
品牌
ElecSuper(静芯)
封装
SOT-223
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22464634
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
4A
导通电阻(RDS(on))
120mΩ@10V;130mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)
3.1W

描述N沟道,100V,4A,120mΩ@10V,4A,1.7V@250μA;应用领域:POE交换机、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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替代参考
N沟道,电流:4A,耐压:100V
NCE0106R-ES
品牌
ElecSuper(静芯)
封装
SOT-223
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22464637
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
4A
导通电阻(RDS(on))
120mΩ@10V

描述N沟道,100V,4A,120mΩ@10V,4A,1.7V@250μA;应用领域:POE交换机、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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替代参考
N沟道,电流:4A,耐压:100V
IRFL4310TRPBF-ES
品牌
ElecSuper(静芯)
封装
SOT-223
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22464636
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
4A
导通电阻(RDS(on))
120mΩ@10V;130mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)
3.1W

描述N沟道,100V,4A,120mΩ@10V,4A,1.7V@250μA;应用领域:POE交换机、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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