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1.2kV 40A
IKW40N120H3
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
TO-247-3
类目
IGBT管/模块
编号
C94637
IGBT类型
FS(场截止)
耗散功率(Pd)
483W
集射极击穿电压(Vces)
1.2kV
集电极电流(Ic)
40A

描述40A1200V 英飞凌IGBT,广泛应用于电磁炉,电机,电焊机行业。

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近期成交47单

1.2kV 80A
IKW40N120H3-HXY
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
类目
IGBT管/模块
编号
C49003403
IGBT类型
FS(场截止)
耗散功率(Pd)
441W
集射极击穿电压(Vces)
1.2kV
集电极电流(Ic)
80A

描述本IGBT管/模块具备40A集电极电流(Ic)和1200V集射极击穿电压(Vces),支持高耐压与大电流工作环境。导通状态下,集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V,有效降低损耗并提升效率。内部集成二极管正向电流(IF)达40A,正向压降(Vf)为1.85V,具备良好的开关特性和热稳定性。该器件适用于各类高效能电源转换系统、智能电网设备及新能源控制装置中的高频功率切换应用。

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1.2kV 40A
IKW40N120H3
品牌
SPTECH(深圳质超)
封装
TO-247-3
类目
IGBT管/模块
编号
C5369327
IGBT类型
FS(场截止)
耗散功率(Pd)
417W
集射极击穿电压(Vces)
1.2kV
集电极电流(Ic)
40A

描述应用 不间断电源 太阳能逆变器 焊接 PFC应用

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替代参考
1.2kV 40A
YGW40N120F2
品牌
luxin-semi(上海陆芯)
封装
TO-247
类目
IGBT管/模块
编号
C4153679
耗散功率(Pd)
417W
集射极击穿电压(Vces)
1.2kV
集电极电流(Ic)
40A
集射极饱和电压(VCE(sat))
2.3V@40A,15V

描述工规级 IGBT单管 N沟道,TO247,广泛应用于各类高频电源行业。

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