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价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 集射极击穿电压(Vces)
- 650V
- 集电极电流(Ic)
- 80A
- 耗散功率(Pd)
- 305W
- 输出电容(Coes)
- 65pF
描述特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。 可直接替代上一代IGBT。 650V击穿电压。 低栅极电荷QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。 最高结温175℃。应用：太阳能转换器。 不间断电源
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- 对比
- ￥17.35
- ￥15.06
- ￥12.69
- ￥11.22
- ￥10.55
- ￥10.27
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个
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- IGBT类型
- FS(场截止)
- 集射极击穿电压(Vces)
- 650V
- 集电极电流(Ic)
- 50A
- 输出电容(Coes)
- 206pF
描述本产品为IGBT管/模块，具备集电极电流（Ic）50A、集射极击穿电压（Vces）650V的电气特性，适用于较高功率场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.65V，有助于降低导通损耗。内置二极管可支持正向电流（IF）达50A，正向压降（Vf）为1.45V，性能稳定。该器件适合用于需要高效能与高可靠性的电力电子系统中，如电源转换及电机驱动等应用。
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- ￥15.4185
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- IGBT类型
- FS(场截止)
- 集射极击穿电压(Vces)
- 650V
- 集电极电流(Ic)
- 100A
- 耗散功率(Pd)
- 260W
描述应用 不间断电源 逆变器 焊接转换器 PFC应用 转换器与高转换频率
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- 集射极击穿电压(Vces)
- 650V
- 集电极电流(Ic)
- 50A
- 耗散功率(Pd)
- 260W
- 集射极饱和电压(VCE(sat))
- 2V@50A,15V
描述应用于不间断电源，逆变器，焊接转换器，PFC应用，转换器与高转换频率。
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