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高端和低端驱动器
IR2110PBF
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
DIP-14
类目
栅极驱动芯片
编号
C2967
驱动配置
半桥
负载类型
IGBT;MOSFET
驱动通道数
2
灌电流(IOL)
2A

描述500V,高低侧驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存935
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广东仓
931

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近期成交64单

IR2110PBF-HX
IR2110PBF-HX
品牌
ZHHXDZ(海芯电子)
封装
DIP-14
类目
栅极驱动芯片
编号
C52191358

描述IR2110PBF-HX是一款高压高速MOSFET/IGBT驱动器,具独立高低端输出,兼容3.3V逻辑输入,高边驱动电压达600V,延时匹配适用于高频应用

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存471
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9
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广东仓
471

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近期成交5单

替代参考
TF2110M-TEH
TF2110M-TEH
品牌
TFSS(德律风根)
封装
SOIC-16-300mil
类目
栅极驱动芯片
编号
C2847595
驱动配置
低边;高边
负载类型
MOSFET;IGBT
驱动通道数
2
灌电流(IOL)
2.5A

描述高压600V, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1332
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7.5
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广东仓
1328

1500/圆盘

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近期成交3单

替代参考
半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片
FAN7392N-MNS
品牌
minos(迈诺斯)
封装
DIP-14
类目
栅极驱动芯片
编号
C47967294
驱动配置
半桥
负载类型
MOSFET;IGBT
驱动通道数
2
灌电流(IOL)
4A

描述FAN7392N 700V 4A 半桥式功率 MOSFET/IGBT 是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动 芯片,采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成

RoHSSMT扩展库

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  • 对比
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  • 3.68
  • 3.25
  • 2.82
  • 2.56
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广东仓
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江苏仓
977

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近期成交5单

替代参考
高端和低端栅极驱动器
TF2110-3BS
品牌
TFSS(德律风根)
封装
DIP-14
类目
栅极驱动芯片
编号
C2683771
驱动配置
低边;高边
负载类型
MOSFET;IGBT
驱动通道数
2
灌电流(IOL)
2.5A

描述高压600V, 单相, 大电流, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存178
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  • 10.53
  • 8.84
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广东仓
178

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近期成交1单

替代参考
高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器
XL2110PBF
品牌
XINLUDA(信路达)
封装
DIP-14
类目
栅极驱动芯片
编号
C22397796
驱动配置
高边
负载类型
MOSFET;IGBT
工作电压
10V~20V
上升时间(tr)
25ns

描述500V,高低侧驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存75
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  • 2.42
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广东仓
75

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近期成交3单

替代参考
600V高端和低端栅极驱动器
COS2110PBF
品牌
COSINE(科山芯创)
封装
DIP-14
类目
栅极驱动芯片
编号
C7501650
驱动配置
全桥;半桥
负载类型
MOSFET;IGBT
灌电流(IOL)
2.5A
拉电流(IOH)
2.5A

描述高低边驱动, 10V-20V 电源电压,600V高压, 2.5峰值拉/灌电流

RoHS

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  • 3.1
  • 2.63
  • 2.35
  • 2.2
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广东仓
448

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近期成交5单

替代参考
600V高端和低端栅极驱动器
COS2113PBF
品牌
COSINE(科山芯创)
封装
DIP-14
类目
栅极驱动芯片
编号
C7501648
驱动配置
半桥
负载类型
MOSFET;IGBT
驱动通道数
2
灌电流(IOL)
2.5A

描述高低边驱动, 10V-20V 电源电压,600V高压, 2.5峰值拉/灌电流

RoHS

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  • 对比
  • 4.53
  • 3.58
  • 3.1
  • 2.63
  • 2.35
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广东仓
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