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1个N沟道 耐压:100V 电流:42A
IRF1310NPBF
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
TO-220AB
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C371548
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
42A
导通电阻(RDS(on))
36mΩ@10V

描述N 沟道

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1个N沟道 耐压:100V 电流:55A
IRF1310NPBF-VB
品牌
VBsemi(微碧半导体)
封装
TO-220AB
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C20755707
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
55A
导通电阻(RDS(on))
36mΩ@10V

描述TO220;N—Channel沟道,100V;55A;RDS(ON)=36mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;

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