- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- Cmos(广东场效应半导体)
- VBsemi(微碧半导体)
- JSMSEMI(杰盛微)
- HTCSEMI(海天芯)
- minos(迈诺斯)
- ElecSuper(静芯)
- OSEN(欧芯)
- Siliup(矽普)
- Infineon(英飞凌)
多选 - 封装
- TO-220
- TO-252
- TO-263
多选 - 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 55V
- 连续漏极电流(Id)
- 110A
- 导通电阻(RDS(on))
- 8mΩ@10V
描述先进的HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅片面积极低的导通电阻。结合快速开关速度和坚固耐用的器件设计（这是HEXFET功率MOSFET闻名之处），为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于各种应用。对于所有商业 - 工业应用，在功耗水平约达50瓦时，TO - 220封装是普遍首选
- 收藏
- 对比
- ￥2.94
- ￥2.29
- ￥1.96
- ￥1.68
- ￥1.6
- ￥1.55
- 现货
- 59K+
50个/管
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 58.6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 7mΩ@10V；8.5mΩ@4.5V
描述N沟道，60V，58A，7.5mΩ@10V,30A，1.7V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 收藏
- 对比
- ￥2.27
- ￥1.75
- ￥1.52
- ￥1.24
- ￥1.12
- ￥1.04
- 现货
- 1830
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交26单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 85A
- 导通电阻(RDS(on))
- 8.5mΩ@10V
描述适用于开关电力转换器应用。
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- 对比
- ￥2.528
- ￥2.008
- ￥1.888
- ￥1.632
- ￥1.48
- ￥1.4
- 现货
- 79
50个/管
总额￥0
近期成交13单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 55V
- 连续漏极电流(Id)
- 110A
- 导通电阻(RDS(on))
- 10mΩ@10V
描述1个N沟道 耐压:55V 电流:110A MOS管
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- 对比
- ￥3.09
- ￥2.45
- ￥2.06
- ￥1.72
- ￥1.57
- ￥1.48
- 现货
- 266
50个/管
总额￥0
近期成交16单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 120A
- 导通电阻(RDS(on))
- 5mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
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- 对比
- ￥6.194
- ￥4.9875
- ￥4.389
- ￥3.7905
- ￥3.4295
- ￥3.249
- 现货
- 41
50个/管
总额￥0
近期成交5单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 110A
- 导通电阻(RDS(on))
- 7mΩ@10V
描述VD MOSFET产品，N沟道，耐压：60V，电流：110A，Rdson：7mR
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- 对比
- ￥3.73
- ￥3
- ￥2.64
- ￥2.28
- ￥2.06
- ￥1.95
- 现货
- 1164
50个/管
总额￥0
近期成交8单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 120A
- 导通电阻(RDS(on))
- 7mΩ@10V
描述MPG120N06采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
- 收藏
- 对比
- ￥2.41
- ￥1.85
- ￥1.63
- ￥1.36
- ￥1.24
- ￥1.17
- 现货
- 490
50个/管
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 80V
- 连续漏极电流(Id)
- 100A
- 导通电阻(RDS(on))
- 8mΩ@10V
描述特性：RDS(on) (最大 0.008 Ω)@VGS = 10V。 栅极电荷 (典型值 80 nC)。 最大结温范围 (175℃)
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- 对比
- ￥3.255
- ￥2.681
- ￥2.401
- ￥2.114
- ￥1.694
- ￥1.61
- 现货
- 18
500个/圆盘
总额￥0
近期成交7单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 65V
- 连续漏极电流(Id)
- 130A
- 导通电阻(RDS(on))
- 5.8mΩ
描述3205B采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可应用于多种领域。
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- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 70V
- 连续漏极电流(Id)
- 130A
- 导通电阻(RDS(on))
- 6mΩ@10V
描述130N07是N沟道MOSFET，专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。因此，该器件适用于先进的高效开关应用。
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- 对比
