收起筛选
- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 品牌
- VBsemi(微碧半导体)
- JSMSEMI(杰盛微)
- HTCSEMI(海天芯)
- Infineon(英飞凌)
多选 - 封装
- TO-220
- TO-263
多选 - 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
综合排序
价格
库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数5
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 55V
- 连续漏极电流(Id)
- 110A
- 导通电阻(RDS(on))
- 6.5mΩ@10V
描述N沟道,55V,75A,6.5mΩ@10V
- 收藏
- 对比
- ￥3.5
- ￥2.78
- ￥2.43
- ￥2.07
现货最快4小时发货
- 现货
- 452
50个/管
个
总额￥0
近期成交61单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 85A
- 导通电阻(RDS(on))
- 8.5mΩ@10V
描述应用于电源转换、电机驱动等场合，提供卓越的开关性能和稳定可靠的功率管理方案。
- 收藏
- 对比
8.5折
- ￥4.2245
- ￥3.4
- ￥2.992
- ￥2.584
- ￥2.3375
- ￥2.21
现货最快4小时发货
- 现货
- 28
50个/管
个
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 120A
- 导通电阻(RDS(on))
- 5mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 收藏
- 对比
- ￥6.52
- ￥5.25
- ￥4.62
- ￥3.99
- ￥3.61
- ￥3.42
现货最快4小时发货
- 现货
- 13
50个/管
个
总额￥0
近期成交3单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 120A
- 导通电阻(RDS(on))
- 5mΩ@10V
描述TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 收藏
- 对比
- ￥6.52
- ￥5.25
- ￥4.62
- ￥3.99
- ￥3.61
- ￥3.42
现货最快4小时发货
- 现货
- 6
50个/管
个
总额￥0
近期成交1单
替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 80V
- 连续漏极电流(Id)
- 100A
- 导通电阻(RDS(on))
- 8mΩ@10V
描述特性：RDS(on) (最大 0.008 Ω)@VGS = 10V。 栅极电荷 (典型值 80 nC)。 最大结温范围 (175℃)
- 收藏
- 对比
- ￥4.65
- ￥3.83
- ￥3.43
- ￥3.02
- ￥2.42
- ￥2.3
现货最快4小时发货
- 现货
- 7
500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交10单
